SPP1021
双P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP1021是双P沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
P沟道
-20V/0.45A,R
DS （ ON）
= 0.52@V
GS
=-4.5V
-20V/0.35A,R
DS （ ON）
= 0.70@V
GS
=-2.5V
-20V/0.25A,R
DS （ ON）
= 0.95@V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 563 （ SC - 89-6L ）封装设计
引脚配置（ SOT - 563 / SC- 89-6L ）
最热
2012/07/04
Ver.1
第1页
SPP1021
双P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
S1
G1
D2
S2
G2
D1
描述
源1
门1
排水2
源2
门2
Drain1
订购信息
产品型号
SPP1021S56RGB
包
SOT-563
最热
21
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPP1021S56RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=80℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
典型
单位
-20
±12
-0.45
-0.35
-1.0
-0.3
0.35
0.19
-55/150
-55/150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
2012/07/04
Ver.1
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