SPP1015
P沟道增强型MOSFET
描述
该SPP1015是P沟道增强型
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
司机：继电器/螺线管/灯具/锤
电源转换器电路
负载/电源开关手机，寻呼机
特点
P沟道
-20V/0.45A,R
DS （ ON）
= 0.52@V
GS
=-4.5V
-20V/0.35A,R
DS （ ON）
= 0.70@V
GS
=-2.5V
-20V/0.25A,R
DS （ ON）
= 0.95@V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 523 （ SC - 89 ）封装设计
引脚配置（ SOT - 523 / SC- 89 ）
最热
2013/01/ 08
Ver.1
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SPP1015
P沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
订购信息
产品型号
SPP1015S52RG
SPP1015S52RGB
包
SOT-523
SOT-523
最热
5Y
5Y
※
SPP1015S52RG ：带卷轴;铅 - 免费
※
SPP1015S52RGB ：带卷轴;铅 - 无卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
2013/01/ 08
Ver.1
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=80℃
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
T
A
=25℃
T
A
=70℃
典型
单位
-20
±12
-0.45
-0.35
-1.0
-0.3
0.27
0.16
-55/150
-55/150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
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