【SPP06N60C3的CoolMOS特点TM功率晶体管产品概述VDS@T ， MAXRDS （ ON】,IC型号SPP06N60C3,SPP06N60C3 PDF资料,SPP06N60C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP06N60C3

的CoolMOS

特点

TM

功率晶体管

产品概述

V

DS

@

T

， MAX

R

DS （ ON），最大

I

D

650

0.75

6.2

V

A

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

定期额定雪崩

高峰值电流能力

超低电容有效

至尊的dv / dt评分

改进的跨导

PG-TO220

TYPE

SPP06N60C3

包

PG-TO220

订购代码

Q67040-S4629

记号

06N60C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

1)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR1),2)

雪崩电流，重复性

t

AR1)

漏源电压斜率

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

V

GS

V

GS

功耗

工作和存储温度

反向二极管的dv / dt

8)

修订版1.4

P

合计

T

j

,

T

英镑

dv / dt的

第1页

I

D

=6.2 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

STATIC

AC （F >1赫兹）

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=3.1 A,

V

DD

=50 V

I

D

=6.2 A,

V

DD

=50 V

价值

6.2

3.9

18.6

200

0.5

6.2

50

±20

±30

74

-55 ... 150

15

W

°C

V / ns的

2005-09-21

A

V / ns的

V

mJ

单位

A

SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

R

thJC

R

thJA

R

thJA

含铅

SMD版本，设备

在PCB上，最小的

脚印

SMD版本，设备

在PCB上， 6厘米

2

冷却

区域

3)

焊接温度

4)

波峰焊接

值

典型值。

马克斯。

单位

-

1.7

62

K / W

热阻，结 -

环境

-

35

-

T

出售

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

V

GS

=0 V,

I

D

=6.2 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 0.26毫安

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=3.9 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=3.9 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

f

= 1 MHz时，漏极开路

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.9 A

600

-

2.1

-

700

3

-

3.9

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

0.1

1

A

-

0.68

100

0.75

nA

-

1.82

1

5.6

-

S

修订版1.4

第2页

2005-09-21

SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0 V,

V

DS

=25 V,

f

= 1兆赫

-

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

-

V

DD

=480 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=6.2 A,

R

G

=12

-

47

7

12

52

10

-

ns

620

200

17

28

-

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

有效输出电容，能量

C

O（ ER ）

相关

5)

有效的输出电容，时间

相关

6)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

1)

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=480 V,

I

D

=6.2 A,

V

GS

= 0到10伏

-

3.3

12

24

5.5

-

31

-

nC

V

脉冲宽度有限的最高温度

T

， MAX

只

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

2)

3)

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米

2

（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

4)

5)

焊接温度为TO263 ：220℃ ，回流

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

6)

8)

I

SD

< = I

D

，二/ dt< = 400A / us的，V

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

BR ， DSS

, T

j

＆ LT ;吨

， MAX

.

相同的低侧和高侧开关。

修订版1.4

第3页

2005-09-21

SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

=480 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=6.2 A,

T

j

=25 °C

-

0.97

400

3.5

25

6.2

18.6

1.2

-

V

ns

C

A

值

典型值。

马克斯。

单位

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

0.0325

0.0448

0.251

0.31

0.301

K / W

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

单位

符号

价值

典型值。

0.0000502

0.000303

0.000428

0.00243

0.00526

1.09

7)

WS / K

单位

C

th6

模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果

R

THCA

= 0 K / W 。

7)

修订版1.4

第4页

2005-09-21

SPP06N60C3

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

80

10

2

限于由导通状态

阻力

1 s

60

10

1

10 s

100 s

P

合计

[W]

40

I

D

[A]

10

0

DC

1毫秒

10毫秒

20

10

-1

0

40

80

120

160

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

D =吨

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

20

20 V

7V

16

0.5

6.5 V

10

0

Z

thJC

〔 K / W〕

12

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

I

D

[A]

6V

8

10

-1

5.5 V

4

5V

4.5 V

4V

10

-2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

5

10

15

20

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版1.4

第5页

2005-09-21

SPP06N60C3

的CoolMOS

TM

功率晶体管

特点

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

定期额定雪崩

高峰值电流能力

超低电容有效

至尊的dv / dt评分

改进的跨导

产品概述

V

DS

@

T

， MAX

R

DS （ ON），最大

I

D

650

0.75

6.2

V

Ω

A

PG-TO220-3-1

TYPE

SPP06N60C3

包

PG-TO220-3-1

订购代码

Q67040-S4629

记号

06N60C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

1)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR1),2)

雪崩电流，重复性

t

AR1)

漏源电压斜率

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

I

D

=6.2 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

STATIC

AC （F >1赫兹）

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=3.1 A,

V

DD

=50 V

I

D

=6.2 A,

V

DD

=50 V

价值

6.2

3.9

18.6

200

0.5

6.2

A

mJ

单位

A

的dV / dt

50

V / ns的

门源电压

V

GS

V

GS

±20

±30

74

-55 ... 150

V

功耗

工作和存储温度

P

合计

T

j

,

T

英镑

W

°C

修订版1.4

第1页

2009-11-27

SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

R

thJC

R

thJA

含铅

SMD版本，设备

在PCB上，最小的

脚印

SMD版本，设备

在PCB上， 6厘米

2

冷却

区域

3)

焊接温度

4)

T

出售

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

1.7

62

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

热阻，结 -

环境

R

thJA

-

62

-

35

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

V

GS

=0 V,

I

D

=6.2 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 0.26毫安

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=3.9 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=3.9 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

f

= 1 MHz时，漏极开路

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.9 A

600

-

2.1

-

700

3

-

3.9

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

0.1

1

A

-

0.68

100

0.75

nA

Ω

-

1.82

1

5.6

-

S

修订版1.4

第2页

2009-11-27

SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，能量

相关

5)

有效的输出电容，时间

相关

6)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=480 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=6.2 A,

R

G

=12

Ω

V

GS

=0 V,

V

DS

=25 V,

f

= 1兆赫

-

620

200

17

28

-

pF

-

47

7

12

52

10

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=480 V,

I

D

=6.2 A,

V

GS

= 0到10伏

-

3.3

12

24

5.5

-

31

-

nC

V

脉冲宽度有限的最高温度

T

， MAX

只

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

2)

3)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

4)

焊接温度为TO263 ：220℃ ，回流

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

5)

6)

修订版1.4

第3页

2009-11-27

SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

I

S

T

C

=25 °C

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

=480 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

V

GS

=0 V,

I

F

=6.2 A,

T

j

=25 °C

-

0.97

400

3.5

25

18.6

1.2

-

V

ns

C

A

-

6.2

A

值

典型值。

马克斯。

单位

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

0.0325

0.0448

0.251

0.31

0.301

K / W

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

单位

符号

价值

典型值。

0.0000502

0.000303

0.000428

0.00243

0.00526

1.09

7)

WS / K

单位

7)

C

th6

模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果

R

THCA

= 0 K / W 。

修订版1.4

第4页

2009-11-27

SPP06N60C3

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

80

10

2

限于由导通状态

阻力

1 s

60

10

1

10 s

100 s

P

合计

[W]

I

D

[A]

40

10

0

DC

1毫秒

10毫秒

20

10

-1

0

40

80

120

160

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

D =吨

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

20

20 V

7V

16

6.5 V

0.5

10

0

Z

thJC

〔 K / W〕

12

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

I

D

[A]

6V

8

10

-1

5.5 V

4

5V

4.5 V

4V

10

-2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

5

10

15

20

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版1.4

第5页

2009-11-27

SPP06N60C3

的CoolMOS

TM

功率晶体管

特点

新的革命高电压技术

超低栅极电荷

定期额定雪崩

高峰值电流能力

超低电容有效

至尊的dv / dt评分

改进的跨导

产品概述

V

DS

@

T

， MAX

R

DS （ ON），最大

I

D

650

0.75

6.2

V

A

PG-TO220-3-1

TYPE

SPP06N60C3

包

PG-TO220-3-1

订购代码

Q67040-S4629

记号

06N60C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

1)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR1),2)

雪崩电流，重复性

t

AR1)

漏源电压斜率

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

V

GS

V

GS

功耗

工作和存储温度

P

合计

T

j

,

T

英镑

I

D

=6.2 A,

V

DS

=480 V,

T

j

=125 °C

STATIC

AC （F >1赫兹）

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=3.1 A,

V

DD

=50 V

I

D

=6.2 A,

V

DD

=50 V

价值

6.2

3.9

18.6

200

0.5

6.2

50

±20

±30

74

-55 ... 150

W

°C

A

V / ns的

V

mJ

单位

A

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SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，结 - 案

R

thJC

R

thJA

R

thJA

含铅

SMD版本，设备

在PCB上，最小的

脚印

SMD版本，设备

在PCB上， 6厘米

2

冷却

区域

3)

焊接温度

4)

T

出售

1.6毫米（ 0.063英寸）

从案例10秒

-

1.7

62

K / W

值

典型值。

马克斯。

单位

热阻，结 -

环境

-

35

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

V

GS

=0 V,

I

D

=6.2 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 0.26毫安

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=600 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=3.9 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=3.9 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

跨

R

G

g

fs

f

= 1 MHz时，漏极开路

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.9 A

600

-

2.1

-

700

3

-

3.9

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

0.1

1

A

-

0.68

100

0.75

nA

-

1.82

1

5.6

-

S

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SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效输出电容，能量

相关

5)

有效的输出电容，时间

相关

6)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

1)

值

典型值。

马克斯。

单位

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

O（ ER ）

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=480 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=6.2 A,

R

G

=12

V

GS

=0 V,

V

DS

=25 V,

f

= 1兆赫

-

620

200

17

28

-

pF

-

47

7

12

52

10

-

ns

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=480 V,

I

D

=6.2 A,

V

GS

= 0到10伏

-

3.3

12

24

5.5

-

31

-

nC

V

脉冲宽度有限的最高温度

T

， MAX

只

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

2)

3)

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

4)

焊接温度为TO263 ：220℃ ，回流

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

5)

6)

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SPP06N60C3

参数

符号条件

分钟。

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

=480 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=6.2 A,

T

j

=25 °C

-

0.97

400

3.5

25

6.2

18.6

1.2

-

V

ns

C

A

值

典型值。

马克斯。

单位

典型的瞬态热特性

符号

价值

典型值。

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

0.0325

0.0448

0.251

0.31

0.301

K / W

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

单位

符号

价值

典型值。

0.0000502

0.000303

0.000428

0.00243

0.00526

1.09

7)

WS / K

单位

7)

C

th6

模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果

R

THCA

= 0 K / W 。

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SPP06N60C3

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

80

10

2

限于由导通状态

阻力

1 s

60

10

1

10 s

100 s

P

合计

[W]

I

D

[A]

40

10

0

DC

1毫秒

10毫秒

20

10

-1

0

40

80

120

160

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

D =吨

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

20

20 V

7V

16

6.5 V

0.5

10

0

Z

thJC

〔 K / W〕

12

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

I

D

[A]

6V

8

10

-1

5.5 V

4

5V

4.5 V

10

-2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

4V

0

5

10

15

20

t

p

[s]

V

DS

[V]

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