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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第465页 > SPP04N80C3
最终数据
SPP04N80C3
SPA04N80C3
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P-TO220-3-31
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）
P-TO220-3-31
800
1.3
4
V
A
P-TO220-3-1
1
2
3
TYPE
SPP04N80C3
SPA04N80C3
包
P-TO220-3-1
订购代码
Q67040-S4433
记号
04N80C3
04N80C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4434
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
SPP
I
D
4
2.5
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
12
170
0.1
4
±20
±30
63
价值
SPA
单位
A
4
1)
2.5
1)
12
170
0.1
4
±20
±30
38
W
°C
A
V
A
mJ
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=0.8A,
V
DD
=50V
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=4A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
工作和存储温度
-55...+150
第1页
2003-07-02
最终数据
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 640 V,
I
D
= 4 A,
T
j
= 125 °C
SPP04N80C3
SPA04N80C3
符号
dv / dt的
价值
50
单位
V / ns的
热特性
参数
热阻，结 - 案
热阻，结 - 的情况下， FULLPAK
热阻，结 - 环境，含铅
热阻，结 - 环境， FULLPAK
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
3)
电气特性，
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D
=240A,
V
GS = VDS
V
DS
=800V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
T
出售
-
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
2
4
62
80
260
单位
K / W
°C
值
典型值。
-
870
3
0.5
-
-
1.1
3
0.7
马克斯。
-
-
3.9
800
-
2.1
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
（ BR ） DS
V
GS
=0V,
I
D
=4A
A
10
100
100
1.3
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=2.5A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
第2页
2003-07-02
最终数据
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
SPP04N80C3
SPA04N80C3
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=2.5A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
3
570
240
12
15.6
33.7
25
15
65
12
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
75
16
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
有效输出电容，
4)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
5)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=400V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=4A,
R
G
=22
-
-
-
-
ns
V
DD
=640V,
I
D
=4A
-
-
-
-
2.4
11
20
6
-
-
26
-
nC
V
DD
=640V,
I
D
=4A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=640V,
I
D
=4A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度
4
C
5
C
O（ ER ）
O（ TR ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
第3页
2003-07-02
最终数据
电气特性
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
典型的瞬态热特性
符号
SPP
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.033
0.063
0.113
0.432
0.423
0.14
T
j
P
合计
(t)
C
th1
C
th2
C
日，正
T
上午B
SPP04N80C3
SPA04N80C3
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
条件
分钟。
T
C
=25°C
值
典型值。
-
-
1
520
4
12
300
马克斯。
4
12
1.2
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=640V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
T
j
=25°C
价值
SPA
0.033
0.063
0.113
0.237
0.515
2.517
R
th1
单位
K / W
符号
SPP
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
R
日，正
T
例
价值
SPA
0.0003336
0.0004755
0.001405
0.006369
0.412
单位
0.00008691 0.00008691 Ws中/ K
0.0003336
0.0004755
0.001405
0.003503
0.036
xternal eatsink
第4页
2003-07-02
最终数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
70
SPP04N80C3
SPP04N80C3
SPA04N80C3
2功耗FULLPAK
P
合计
=
f
(T
C
)
40
W
W
60
55
50
30
P
合计
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
P
合计
°C
160
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
T
C
°C
160
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
4安全工作区FULLPAK
I
D
=
f
(V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
2
A
A
10
1
10
1
I
D
10
0
I
D
10
0
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
10
1
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
V
V
DS
3
10
-2 0
10
10
2
10
V
V
DS
3
第5页
2003-07-02
SPP04N80C3
的CoolMOS
特点
TM
功率晶体管
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）最大值
@ T
j
= 25°C
Q
克，典型值
800
1.3
23
V
nC
新的革命高电压技术
至尊的dv / dt评分
高峰值电流能力
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
超低栅极电荷
超低电容有效
PG-TO220-3
的CoolMOS
TM
800V设计：
具有高直流电压批量工业应用
切换应用程序（即有源钳位正激）
TYPE
SPP04N80C3
包
PG-TO220-3
记号
04N80C3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR2),3)
雪崩电流，重复性
t
AR2),3)
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
DS
=0…640 V
STATIC
AC （F >1赫兹）
功耗
工作和存储温度
安装力矩
P
合计
T
j
,
T
英镑
M3和M3.5螺丝
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=0.8 A,
V
DD
=50 V
I
D
=4 A,
V
DD
=50 V
价值
4
2.5
12
170
0.1
4
50
±20
±30
63
-55 ... 150
60
W
°C
NCM
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
修订版2.9
第1页
2008-10-15
SPP04N80C3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
4)
符号条件
I
S
I
S，脉冲
的dV / dt
T
C
=25 °C
12
4
V / ns的
价值
4
单位
A
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
R
thJC
R
thJA
含铅
-
-
-
-
2
62
K / W
焊接温度，
T
出售
波峰焊只允许在引线
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
I
DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=4 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
= 0.24毫安
V
DS
=800 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=800 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=2.5 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=2.5 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
R
G
f
= 1 MHz时，漏极开路
800
-
2.1
-
-
870
3
-
-
-
3.9
10
A
V
-
-
-
50
-
1.1
-
100
1.3
nA
-
-
3
1.2
-
-
修订版2.9
第2页
2008-10-15
SPP04N80C3
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
C
国际空间站
C
OSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=100 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
-
-
V
DD
=400 V,
V
GS
=0/10 V,
I
D
=4 A,
R
G
=22 ? ,
T
j
=25 °C
-
-
-
51
25
15
72
12
-
-
-
-
-
ns
570
25
19
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
有效输出电容，能量
C
O（ ER ）
相关
5)
有效的输出电容，时间
相关
6)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
1)
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=640 V,
I
D
=4A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
3
12
23
5.5
-
-
31
-
nC
V
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=I
S
=4 A,
T
j
=25 °C
-
-
1
520
4
12
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
V
R
=400 V,
I
F
=I
S
=4 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
J- STD20和JESD22
脉冲宽度
t
p
受
T
， MAX
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
I
SD
=I
D
，二/ dt≤400A / μs的，V
的dcLINK
= 400V, V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
, T
j
＆ LT ;吨
JMAX
，相同的低侧和高侧开关
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
5)
6)
修订版2.9
第3页
2008-10-15
SPP04N80C3
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
70
10
2
限于由导通状态
阻力
60
10
1
50
10 s
100 s
1 s
P
合计
[W]
I
D
[A]
40
10
0
1毫秒
10毫秒
30
20
DC
10
-1
10
0
0
25
50
75
100
125
150
10
-2
1
10
100
1000
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
P
)
参数：
D =吨
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C;
t
p
=10 s
参数：
V
GS
15
20 V
12
10
0
0.5
10 V
Z
thJC
〔 K / W〕
0.2
0.1
0.05
0.02
9
I
D
[A]
6V
6
5.5 V
10
-1
0.01
单脉冲
3
5V
4.5 V
10
-2
10
-5
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0
5
10
15
20
25
t
p
[s]
V
DS
[V]
修订版2.9
第4页
2008-10-15
SPP04N80C3
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=150 °C;
t
p
=10 s
参数：
V
GS
6
20 V
10 V
6V
6典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=150 °C
参数：
V
GS
5.4
5
5
5.5 V
4.6
4
R
DS （ ON）
[
]
4.2
I
D
[A]
3
5V
3.8
6V
10 V
2
4.5 V
3.4
4.5 V
4V
5V
5.5 V
20 V
1
3
0
0
5
10
15
20
25
2.6
0
2
4
6
8
V
DS
[V]
I
D
[A]
7漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=2.5 A;
V
GS
=10 V
8典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
;
t
p
=10 s
参数：
T
j
3.6
3.2
2.8
2.4
15
25 °C
10
R
DS （ ON）
[
]
1.6
典型值
98 %
I
D
[A]
2
150 °C
1.2
0.8
0.4
0
-60
-20
20
60
100
140
180
5
0
0
2
4
6
8
10
T
j
[°C]
V
GS
[V]
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2008-10-15
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