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最终数据
SPP03N60S5
SPB03N60S5
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
P-TO263-3-2
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
600
1.4
3.2
V
A
P-TO220-3-1
TYPE
SPP03N60S5
SPB03N60S5
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
订购代码
Q67040-S4184
Q67040-S4197
记号
03N60S5
03N60S5
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
脉冲漏极电流,
t
p
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
D
= 2.4 A,
V
DD
= 50 V
雪崩能量,重复
t
AR
T
JMAX
1)
E
AR
I
D
= 3.2 A,
V
DD
= 50 V
雪崩电流,重复性
t
AR
T
JMAX
I
AR
门源电压
V
GS
栅极 - 源极电压AC (F >1Hz )
功耗,
T
C = 25°C
工作和存储温度
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
3.2
±20
±30
38
-55... +150
W
°C
A
V
0.2
I
PULS
E
AS
符号
I
D
3.2
2
5.7
100
mJ
价值
单位
A
第1页
2003-10-06
最终数据
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 3.2 A,
T
j
= 125 °C
SPP03N60S5
SPB03N60S5
符号
dv / dt的
价值
20
单位
V / ns的
热特性
参数
热阻,结 - 案
热阻,结 - 环境,含铅
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
2)
焊接温度,
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
3)
电气特性,
at
Tj=25°C
除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
V
( BR ) DS
V
GS
=0V,
I
D
=3.2A
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS ( TH)
I
DSS
I
D
=135Α,
V
GS
=V
DS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C,
T
j
=150°C
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
T
出售
-
-
-
典型值。
-
-
-
35
-
马克斯。
3.3
62
62
-
260
单位
K / W
°C
典型值。
-
700
4.5
0.5
-
-
1.26
3.4
马克斯。
-
-
5.5
600
-
3.5
-
-
-
-
-
单位
V
A
1
70
100
1.4
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=2A,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
第2页
2003-10-06
最终数据
电气特性
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V,
I
D
=3.2A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=350V,
I
D
=3.2A
SPP03N60S5
SPB03N60S5
分钟。
典型值。
1.8
420
150
3.6
35
25
40
15
22.5
-
马克斯。
-
-
-
-
ns
S
pF
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
条件
V
DS
≥2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=2A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=350V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=3.2A,
R
G
=20
-
-
-
-
3.5
7
12.4
8
-
-
16
-
nC
V
(高原)
V
DD
=350V,
I
D
=3.2A
V
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
=E
AR
*f.
AV
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ,回流:对于TO- 263 3Soldering温度
第3页
2003-10-06
最终数据
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流,
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=350V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
SPP03N60S5
SPB03N60S5
分钟。
典型值。
-
-
1
1000
2.3
马克斯。
3.2
5.7
1.2
1700
-
V
ns
C
A
-
-
-
-
-
单位
符号
I
S
I
SM
条件
T
C
=25°C
典型的瞬态热特性
符号
热阻
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.054
0.103
0.178
0.757
0.682
0.202
K / W
价值
典型值。
热容
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
0.00005232
0.0002034
0.0002963
0.0009103
0.002084
0.024
WS / K
单位
符号
价值
典型值。
单位
T
j
P
合计
(t)
R
th1
R
日,正
T
xternal eatsink
C
th1
C
th2
C
日,正
T
上午B
第4页
2003-10-06
最终数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
40
SPP03N60S5
SPP03N60S5
SPB03N60S5
2安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
1
W
A
32
28
10
0
P
合计
24
20
16
I
D
10
-1
12
8
4
0
0
10
-2 0
10
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
1
10
2
T
C
10
V
V
DS
3
3瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
1
4典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 10 s,
V
GS
10
A
K / W
8
10V
20V
12V
Z
thJC
10
0
7
I
D
6
5
9V
8.5V
4
10
-1
3
2
1
10
-2 -5
10
-4
-3
-2
-1
0
8V
7.5V
7V
6.5V
10
10
10
10
s
10
0
0
5
10
15
V
V
DS
25
t
p
第5页
2003-10-06
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPP03N60S5_03
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