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SPN9977

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN9977是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用超高制作

细胞密度， DMOS沟道技术。该SPN9977有

被专门设计用于改善整体效率

用DC / DC转换器使用同步或

传统开关PWM控制器。它一直

低栅极电荷优化，低R

DS （ ON）

和快速

开关速度。

特点

60V/8A,R

DS （ ON）

= 115mΩ @ V

GS

= 10V

60V/6A,R

DS （ ON）

= 110mΩ @ V

GS

= 4.5V

高密度电池设计极低的RDS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力

TO- 252 ， TO- 251封装设计

应用

在笔记型电源管理

动力系统

DC / DC转换器

负荷开关

引脚配置

TO-252

TO-251

最热

2009/04/25

Ver.1

第1页

SPN9977

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

1

2

3

符号

G

S

D

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

包

部分

记号

SPN9977T252RGB

TO-252

SPN9977T251TGB

TO-251

※

SPN9977T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

※

SPN9977T251RGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费

SPN9977

SPN9977

ABSOULTE最大额定值

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

J

=150

℃

)

漏电流脉冲

雪崩电流

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

T

A

=25℃

TO-252-2L

TO-251

T

A

=25℃

T

A

=70℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

AS

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

典型

60

±20

单位

V

V

A

A

A

W

℃

℃

℃

/W

14

9.0

45

14

40

55

150

-55/150

100

2009/04/25

Ver.1

第2页

SPN9977

N沟道增强型MOSFET

电气特性

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,I

D

=250uA

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,I

D

=250uA

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

SD

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=30V,R

L

=8.8

I

D

≡3.4A,V

根

=10V

R

G

=1

V

DS

=15,V

GS

=0V

f=1MHz

V

DS

=0V,V

GS

=±20V

V

DS

=60V,V

GS

=0V

V

DS

=60V,V

GS

=0V

T

J

=85℃

V

DS

≥5V,V

GS

=10V

V

GS

= 10V ，我

D

=8A

V

GS

=4.5V,I

D

=6A

V

DS

=15V,I

D

=4.3A

I

S

=1.7A,V

GS

=0V

60

0.5

1.5

±100

1

5

14

0.110

0.105

15

0.8

15

2.5

2.6

675

80

40

10

15

25

12

20

25

35

20

0.115

0.110

1.2

20

V

nA

uA

A

S

V

V

DS

=30V,V

GS

=10V

I

D

= 4.3A

nC

pF

nS

2009/04/25

Ver.1

第3页

SPN9977

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2009/04/25

Ver.1

第4页

SPN9977

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2009/04/25

Ver.1

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