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SPN9971
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN9971是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。该SPN9971有
被专门设计用于改善整体
无论使用的同步DC / DC转换器效率
或传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化，低R
DS （ ON）
和快速
开关速度。
特点
60V/16A,R
DS （ ON）
= 40MΩ @ V
GS
=10V
60V/12A,R
DS （ ON）
= 45mΩ @ V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TO- 252 ， TO- 251封装设计
应用
在笔记型电源管理
动力系统
DC / DC转换器
负荷开关
引脚配置
TO-252
TO-251
最热
2009/04/20
Ver.1
第1页
SPN9971
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
订购信息
产品型号
包
部分
记号
SPN9971T252RGB
TO-252
SPN9971T251TGB
TO-251
※
SPN9971T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
※
SPN9971T251RGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费
SPN9971
SPN9971
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
TO-252-2L
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
TO-251
T
A
=25℃
T
A
=100℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AS
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
60
±20
25
16
80
25
40
55
150
-55/150
100
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2009/04/20
Ver.1
第2页
SPN9971
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30V,R
L
=6.8
I
D
≡4.4A,V
根
=10V
R
G
=1
V
DS
=30V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=16A
V
GS
=4.5V,I
D
=12A
V
DS
=15V,I
D
=5.3A
I
S
=2.0A,V
GS
=0V
60
0.8
2.0
±100
1
5
30
0.038
0.042
24
0.8
10
3.5
3.6
890
85
48
10
12
25
10
15
20
35
15
0.040
0.045
1.2
15
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=30V,V
GS
=5V
I
D
= 5.3A
nC
pF
nS
2009/04/20
Ver.1
第3页
SPN9971
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/04/20
Ver.1
第4页
SPN9971
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/04/20
Ver.1
第5页
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SL5162KGMP1S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SPN9971
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21+
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全新原装正品/质量有保证
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SPN9971
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