【SPN9926N沟道增强型MOSFET描述该SPN9926是双N沟道增强逻辑型功率场效应晶体管都采用】,IC型号SPN9926S8TG,SPN9926S8TG PDF资料,SPN9926S8TG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SPN9926

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN9926是双N沟道增强逻辑

型功率场效应晶体管都采用生产

高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用程序，笔记本电脑的电源管理和

其它电池供电的电路，其中的高侧

切换。

特点

20V/5.0A,R

DS （ ON）

=50m@V

GS

=4.5V

20V/4.0A,R

DS （ ON）

=65m@V

GS

=2.5V

20V/2.8A,R

DS （ ON）

=90m@V

GS

=1.8V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOP - 8P包装设计

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

引脚配置（ SOP - 8P ）

最热

2007/ 06 / 08

Ver.1

第1页

SPN9926

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

7

8

订购信息

产品型号

SPN9926S8RG

SPN9926S8TG

※

SPN9926S8RG ： 13 “带卷轴;铅 - 免费

※

SPN9926S8TG ：管;铅 - 免费

ABSOULTE最大额定值

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

J

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

符号

S1

G1

S2

G2

D2

D2

D1

D1

描述

源1

门1

源2

门2

排水2

排水2

排水1

排水1

包

SOP- 8P

SOP- 8P

部分

记号

SPN9926

SPN9926

符号

V

DSS

V

GSS

T

A

=25℃

T

A

=70℃

I

D

I

DM

I

S

T

A

=25℃

T

A

=70℃

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

典型

20

±12

单位

V

V

A

A

A

W

℃

℃

℃/W

5.0

3.4

30

1.6

2.8

1.8

-55/150

-55/150

105

2007/ 06 / 08

Ver.1

第2页

SPN9926

N沟道增强型MOSFET

电气特性

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,I

D

=250uA

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,I

D

=250uA

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

SD

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=6V,R

L

=6

I

D

≡1.0A,V

根

=4.5V

R

G

=6

V

DS

=6V,V

GS

=0V

f=1MHz

V

DS

=0V,V

GS

=±12V

V

DS

=20V,V

GS

=0V

V

DS

=20V,V

GS

=0V

T

J

=55℃

V

DS

≦5V,V

GS

=4.5V

V

GS

=4.5V,I

D

=5.0A

V

GS

=2.5V,I

D

=4.0A

V

GS

=1.8V,I

D

=2.8A

V

DS

=5V,I

D

=-3.6A

I

S

=1.6A,V

GS

=0V

20

0.4

1.0

±100

1

5

6

0.040

0.055

0.075

10

0.8

4.8

1.0

1.0

485

85

40

8

12

30

12

14

18

35

16

0.050

0.065

0.090

1.2

8

V

nA

uA

A

S

V

V

DS

=6V,V

GS

=4.5V

I

D

≡2.8A

nC

pF

ns

2007/ 06 / 08

Ver.1

第3页

SPN9926

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2007/ 06 / 08

Ver.1

第4页

SPN9926

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2007/ 06 / 08

Ver.1

第5页

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