【SPN8878BN沟道增强型MOSFET描述该SPN8878B是N沟道增强逻辑型功率场效应晶体管都采】,IC型号SPN8878BT252RGB,SPN8878BT252RGB PDF资料,SPN8878BT252RGB经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPN8878B

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN8878B是N沟道增强逻辑

型功率场效应晶体管都采用生产

高密度， DMOS沟道技术。该

SPN8878B已被专门设计用于改善

用DC / DC转换器使用任一整体效率

同步或传统开关PWM控制器。

它已被优化的低门电荷，低R

DS （ ON）

和快速的开关速度。

特点

30V/20A,R

DS （ ON）

= 14mΩ @ V

=10V

30V/15A,R

DS （ ON）

= 19MΩ @ V

=4.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

TO- 252和TO- 251封装设计

应用

在笔记型电源管理

动力系统

DC / DC转换器

负荷开关

引脚配置

TO-252

TO-251

最热

TO-252

TO-251

2011/09/27

Ver.5

第1页

SPN8878B

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

包

部分

记号

SPN8878BT252RGB

TO-252

SPN8878BT251TGB

TO-251

※

SPN8878BT252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

※

SPN8878BT251TGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费

SPN8878B

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

连续漏电流

TO-252-2L

功耗

=25℃

TO-251

EAS

TSTG

RΘJA

=25℃

=100℃

符号

VDSS

VGSS

IDM

典型

±20

-55/150

100

℃

℃/W

单位

雪崩能量单脉冲

（ TJ = 25℃时， L = 0.14mH ，我

= 30A ，V

= 20V. )

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

2011/09/27

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SPN8878B

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=15V,R

=0.3

≡50A,V

根

=10V

=15V

=0V

f=1MHz

=0V,V

=±20V

=24V,V

=0V

=24V,V

=0V

=55℃

≥5V,V

=10V

= 10V ，我

=20A

=4.5V,I

=15A

=15V,I

=20A

=40A,V

=0V

0.6

1.8

±100

0.012

0.015

0.8

2.8

2.0

850

158

120

1.5

0.014

0.019

=15V,V

=10V

= 50A

2011/09/27

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SPN8878B

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2011/09/27

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SPN8878B

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2011/09/27

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