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SPN8457
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN8457是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路和低线的功率损耗，需要在非常
小尺寸表面贴装封装。
特点
30V/5.5A,R
DS （ ON）
= 58mΩ @ V
GS
=10V
30V/4.0A,R
DS （ ON）
= 98mΩ @ V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 223封装的设计
应用
在笔记型电源管理
DC / DC转换器
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOT- 223 ）
最热
2007/ 08 / 01
Ver.1
第1页
SPN8457
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
订购信息
产品型号
SPN8457S223RG
※
SPN8457S223RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
SOT-223
部分
记号
8457
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±20
5.8
4.2
10
1.25
2.8
1.2
150
-55/150
100
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2007/ 08 / 01
Ver.1
第2页
SPN8457
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=30V,V
GS
=1.0V
V
DS
=30V,V
GS
=0.0V
T
J
=55℃
V
DS
≧4.5V,V
GS
=10V
V
DS
≧4.5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 10V ，我
D
=5.5A
V
GS
=4.5V,I
D
=4.0A
V
DS
=4.5V,I
D
=2.5A
I
S
=1.25A,V
GS
=0V
30
1.0
3.0
±100
1
10
6
4
0.050
0.078
4.6
0.82
0.058
0.098
1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=15V
GS
=10V
I
D
≡2.5
4.5
0.8
1.0
240
110
17
8
10
nC
V
DS
=15V
GS
=0V
f=1MHz
pF
20
30
35
20
ns
V
DD
=15R
L
=15
I
D
≡1.0A,V
根
=10
R
G
=6
12
17
8
2007/ 08 / 01
Ver.1
第3页
SPN8457
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/ 08 / 01
Ver.1
第4页
SPN8457
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/ 08 / 01
Ver.1
第5页
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厂家
批号
数量
封装
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