SPN7002T
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN7002T是双N沟道增强
模式的场效应晶体管都采用高生产
细胞密度DMOS技术。这些产品具有
旨在最大限度地减少通态电阻,同时
提供坚固,可靠,快速切换
性能。它们可以在大多数的应用中使用
需要高达640毫安直流,并且可以提供脉冲
电流高达950mA 。这些产品特别
适用于低电压,低电流的应用,如
小型伺服马达控制,功率MOSFET的栅极
驱动程序和其它开关应用。
应用
司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,
显示器,记忆,晶体管等。
高饱和电流能力。直接
逻辑电平接口: TTL / CMOS
电池供电系统
固态继电器
特点
60V / 0.50A ,R
DS ( ON)
= 2.0@V
GS
=10V
60V / 0.20A ,R
DS ( ON)
= 4.0@V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
R
DS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 363封装设计
引脚配置( SOT - 363 / SC- 70-6L )
最热
2009/11/10
Ver.1
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SPN7002T
双N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
S1
G1
D2
S2
G2
D1
描述
源1
门1
排水2
源2
门2
Drain1
订购信息
产品型号
SPN7002TS36RGB
包
SOT-363
部分
记号
72TYW
※
本周代码: AZ ( 1 26 ) ; AZ ( 27 52 )
※
SPN7002TS36RGB :带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压 - 连续
连续漏电流(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲( * )
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
60
±20
0.64
0.95
1.35
-55 ~ 150
-55 ~ 150
375
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
℃
/W
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2009/11/10
Ver.1
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