SPN7002L
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN7002L是N沟道增强模式
场效应晶体管都采用高细胞产生
密度DMOS技术。这些产品已
旨在最大限度地减少通态电阻,同时提供
坚固耐用,可靠,快速的开关性能。他们
可以在需要高达大多数应用中使用
300毫安DC ,并且可以提供脉冲电流高达0.8A 。
这些产品特别适用于低电压,
低电流的应用,如小型伺服马达
控制,功率MOSFET的栅极驱动器,和其他
开关应用。
应用
司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,
显示器,记忆,晶体管等。
高饱和电流能力。直接
逻辑电平接口: TTL / CMOS
电池供电系统
固态继电器
特点
50V / 0.30A ,R
DS ( ON)
= 3.5@V
GS
=10V
50V / 0.25A ,R
DS ( ON)
= 5.5@V
GS
=4.5V
50V / 0.05A ,R
DS ( ON)
= 7.5@V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低
R
DS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23封装设计
引脚配置( SOT -23 )
最热
2009/03/10
Ver.1
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SPN7002L
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
订购信息
产品型号
SPN7002LS23RG
※
本周代码: AZ ( 1 26 ) ; AZ ( 27 52 )
※
SPN7002LS23RG :带卷轴;铅 - 免费
包
SOT-23
部分
记号
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
L72YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压 - 连续
栅 - 源电压 - 不重复(T
p
<为50μs )
连续漏电流(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲( * )
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
符号
V
DSS
V
GSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
50
±20
±40
0.3
0.8
0.35
-55 ~ 150
-55 ~ 150
375
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
℃
/W
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2009/03/10
Ver.1
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