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SPN7002K
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN7002K是N沟道增强模式
场效应晶体管都采用高细胞产生
密度DMOS技术。这些产品已
旨在最大限度地减少通态电阻,同时提供
坚固耐用,可靠,快速的开关性能。他们
可以在需要高达大多数应用中使用
640毫安DC ,并且可以提供脉冲电流高达
950毫安。这些产品特别适用于低
电压,低电流的应用,如小的伺服
马达控制,功率MOSFET栅极驱动器,以及其他
开关应用。
应用
司机:继电器,螺线管,照明灯,锤子,显示器,
回忆,晶体管等。
高饱和电流能力。
直接
逻辑电平接口: TTL / CMOS
电池供电系统
固态继电器
特点
60V / 0.50A ,R
DS ( ON)
= 2.0@V
GS
=10V
60V / 0.20A ,R
DS ( ON)
= 4.0@V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
R
DS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23封装设计
引脚配置( SOT -23 )
最热
2012/06/20
Ver.3
第1页
SPN7002K
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
1
2
3
符号
G
S
D
描述
来源
订购信息
产品型号
SPN7002KS23RGB
SOT-23
最热
NKXX
SPN7002KS23RGB :带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压 - 连续
连续漏电流(T
J
=150
)
漏电流脉冲( * )
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
60
±20
0.3
0.8
0.35
-55 ~ 150
-55 ~ 150
350
单位
V
V
A
A
W
/W
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2012/06/20
Ver.3
第2页
SPN7002K
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250Ua
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
T
J
=25℃
V
DS
=48V,V
GS
=0V
T
J
=70℃
V
GS
=10V,I
D
=0.50A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=0.20A
V
DS
= 10 V,I
D
= 0.6 A
60
1.0
1.7
2.5
±30
1
uA
100
2.0
3.0
0.08
1.3
3.0
3.5
S
V
V
uA
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
R
DS ( ON)
Gfs(1)
V
SD
(1) V
GS
= 0 V,I
S
= 0.5A
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 30 V,I
D
= 0.6 A
R
G
= 3.3 V
GS
= 10.0 V
R
D
= 52
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
V
DD
= 50 V,I
D
= 0.6 A,
V
GS
= 4.5 V
0.6
0.2
0.2
30
7
4
2
15
8
11
0.8
nC
50
pF
ns
(1 )脉冲:脉冲持续时间
300
s,
占空比≦ 2%。
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区。
2012/06/20
Ver.3
第3页
SPN7002K
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2012/06/20
Ver.3
第4页
SPN7002K
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2012/06/20
Ver.3
第5页
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPN7002K
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    -
    -
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SPN7002K
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23000
SOT-23
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