SPN6335
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN6335是双N沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
N沟道
20V/0.95A,R
DS （ ON）
=380m@V
GS
=4.5V
20V/0.75A,R
DS （ ON）
=450m@V
GS
=2.5V
20V/0.65A,R
DS （ ON）
=800m@V
GS
=1.8V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 363 （ SC - 70-6L ）封装设计
引脚配置（ SOT - 363 / SC- 70-6L ）
最热
2007/01/ 02
Ver.2
第1页
SPN6335
双N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPN6335S36RG
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPN6335S36RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
SOT-363
部分
记号
35YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=80℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±12
1.2
0.9
4
0.6
0.35
0.19
-55/150
-55/150
360
400
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
2007/01/ 02
Ver.2
第2页
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