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SPN5454

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN5454是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。该SPN5454有

被专门设计用于改善整体

无论使用的同步DC / DC转换器效率

或传统开关PWM控制器。它一直

低栅极电荷优化，低R

DS （ ON）

和快速

开关速度。

特点

40V/10A,R

DS （ ON）

=18m@V

= 10V

40V / 8A ，R

DS （ ON）

= 20MΩ @ V

= 4.5V

40V / 6A ，R

DS （ ON）

= 28mΩ @ V

= 2.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

TO- 252封装设计

应用

在笔记型电源管理

动力系统

DC / DC转换器

负荷开关

引脚配置

TO-252

最热

2011/09/ 27

Ver.2

第1页

SPN5454

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

包

部分

记号

SPN5454T252RGB

TO-252

※

SPN5454T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

SPN5454

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

雪崩电流

TO-252-2L

功耗

=25℃

TO-251

EAS

英镑

θJA

=25℃

=100℃

符号

DSS

GSS

典型

±20

-55/150

100

℃

℃/W

第2页

单位

雪崩能量单脉冲

（ TJ = 25℃时， L = 0.14mH ，我

= 30A ，V

= 20V. )

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

2011/09/ 27

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SPN5454

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=20V,R

≡5.0A,V

根

=10V

=20V,V

=0V

f=1MHz

=0V,V

=±20V

=32V,V

=0V

=32V,V

=0V

=55℃

= 5V,V

=4.5V

= 10V ，我

=10A

=4.5V,I

= 8A

=2.5V,I

= 6A

=15V,I

=6.2A

=2.3A,V

=0V

0.5

1.0

±100

0.012

0.014

0.020

0.8

2.8

3.2

850

110

0.018

0.020

0.028

1.2

=20V,V

=4.5V

= 5A

2011/09/ 27

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SPN5454

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2011/09/ 27

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N沟道增强型MOSFET

典型特征

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Ver.2

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