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SPN4920
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN4920是双N沟道增强逻辑
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用程序，笔记本电脑的电源管理和
其它电池供电的电路，其中的高侧
切换。
特点
30V/7.2A,R
DS （ ON）
= 28mΩ @ V
GS
= 10V
30V/6.0A,R
DS （ ON）
= 36mΩ @ V
GS
= 4.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP - 8P包装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOP - 8P ）
最热
2007/ 07/ 17
Ver.2
第1页
SPN4920
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
订购信息
产品型号
SPN4920S8RG
SPN4920S8TG
※
SPN4920S8RG ： 13 “带卷轴;铅 - 免费
※
SPN4920S8TG ：管;铅 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
符号
S1
G1
S2
G2
D2
D2
D1
D1
描述
源1
门1
源2
门2
排水2
排水2
排水1
排水1
包
SOP- 8P
SOP- 8P
部分
记号
SPN4920
SPN4920
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=70℃
I
D
I
DM
I
S
T
A
=25℃
T
A
=70℃
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±20
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
7.2
6.0
35
1.7
2.8
1.8
-55/150
-55/150
65
2007/ 07/ 17
Ver.2
第2页
SPN4920
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15V,R
L
=15
I
D
≡1.0A,V
根
=10V
R
G
=6
V
DS
=15V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=30V,V
GS
=0V
V
DS
=30V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=7.2A
V
GS
=4.5V,I
D
=6.0A
V
DS
=15V,I
D
=6.2A
I
S
=2.3A,V
GS
=0V
30
1.0
3.0
±100
1
5
20
0.022
0.030
13
0.8
30
7.5
3.5
450
240
38
12
10
60
15
20
20
90
30
0.028
0.036
1.2
50
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=15V,V
GS
=10V
I
D
= 7.2A
nC
pF
nS
2007/ 07/ 17
Ver.2
第3页
SPN4920
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/ 07/ 17
Ver.2
第4页
SPN4920
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/ 07/ 17
Ver.2
第5页
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SMG3400
SC4041ES
SN74LV138ATDBRE4
SSC-MBT7721
SN74LV74D
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SPN4920
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