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SPN4526

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN4526是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用程序，笔记本电脑的电源管理和

其它电池供电的电路，其中的高侧

切换。

特点

40V/10A,R

DS （ ON）

= 25MΩ @ V

= 10V

40V / 8A ，R

DS （ ON）

= 30mΩ到@ V

= 4.5V

40V / 6A ，R

DS （ ON）

= 36mΩ @ V

= 2.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOP - 8P包装设计

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

引脚配置（ SOP - 8P ）

最热

2009/ 02/ 20

Ver.1

第1页

SPN4526

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

来源

门

漏

订购信息

产品型号

SPN4526S8RGB

包

SOP- 8P

部分

记号

SPN4526

※

SPN4526S8RGB 13 “带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±20

单位

℃

℃/W

2.3

2.5

1.6

-55/150

2009/ 02/ 20

Ver.1

第2页

SPN4526

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=20V,R

≡5.0A,V

根

=10V

=20V,V

=0V

f=1MHz

=0V,V

=±20V

=40V,V

=0V

=40V,V

=0V

=85℃

= 5V,V

=4.5V

= 10V ，我

=10A

=4.5V,I

= 8A

=2.5V,I

= 6A

=15V,I

=6.2A

=2.3A,V

=0V

0.5

1.0

±100

0.020

0.023

0.027

0.8

2.8

3.2

850

110

0.025

0.030

0.036

1.2

=20V,V

=4.5V

= 5A

2009/ 02/ 20

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SPN4526

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2009/ 02/ 20

Ver.1

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SPN4526

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2009/ 02/ 20

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