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SPN4416B
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN4416B是N沟道增强逻辑
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用程序，笔记本电脑的电源管理和
其它电池供电的电路，其中的高侧
切换。
特点
20V/10.0A,R
DS （ ON）
= 12mΩ @ V
GS
= 4.5V
20V / 7.0A ，R
DS （ ON）
= 25MΩ @ V
GS
= 2.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP - 8P包装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOP - 8P ）
最热
2009/12/20
Ver.1
第1页
SPN4416B
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
S
S
S
G
D
D
D
D
描述
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
订购信息
产品型号
SPN4416BS8RGB
包
SOP- 8P
部分
记号
SPN4416B
※
SPN4416BS8RGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±12
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
10.0
7.6
35
2.3
2.5
1.6
-55/150
-55/150
80
2009/12/20
Ver.1
第2页
SPN4416B
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≥5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=7.0A
V
DS
=15V,I
D
=5.0A
I
S
=1.0A,V
GS
=0V
20
0.6
1.4
±100
1
10
6
0.008
0.020
30
0.8
0.012
0.025
1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V
I
D
≡5.0A
18
4.2
6.8
850
135
105
12
25
nC
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
16
28
55
58
ns
V
DD
=10V,R
L
=10
I
D
≡1.0A,V
根
=4.5V
R
G
=6
10
30
35
2009/12/20
Ver.1
第3页
SPN4416B
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/12/20
Ver.1
第4页
SPN4416B
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/12/20
Ver.1
第5页
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    SPN4416B
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