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SPN4392
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN4392是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用程序，笔记本电脑的电源管理和
其它电池供电的电路，其中的高侧
切换。
特点
30V/22A,R
DS （ ON）
= 8mΩ @ V
GS
=10V
30V/18A,R
DS （ ON）
= 12mΩ @ V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOP - 8P包装设计
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
高端DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
引脚配置（ SOP - 8P ）
最热
2007/07/20
Ver.1
第1页
SPN4392
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
订购信息
产品型号
SPN4392S8RG
SPN4392S8TG
※
SPN4392S8RG ： 13 “带卷轴;铅 - 免费
※
SPN4392S8TG ：管;铅 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
符号
S
S
S
G
D
D
D
D
描述
来源
来源
来源
门
漏
漏
漏
漏
包
SOP- 8P
SOP- 8P
部分
记号
SPN4392
SPN4392
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
=25℃
T
A
=70℃
I
D
I
DM
I
S
T
A
=25℃
T
A
=70℃
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±20
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
22
18
50
5.6
2.5
1.6
-55/150
-55/150
80
2007/07/20
Ver.1
第2页
SPN4392
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
,I
DS
=250uA
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
= 0V,V
GS
= ±20 V
V
DS
= 30V,V
GS
=0V
V
DS
= 30V,V
GS
=0V,
T
J
= 125C
V
GS
= 10V ，我
D
= 13A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 15V ，我
D
=20 A
I
F
= 13 A，V
GS
= 0V
30
0.6
1.6
±100
1
100
0.006
0.009
10
1.0
1.5
0.008
0.012
V
nA
uA
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 15V,V
GS
= 5V,
I
D
=13 A
12
4
5
1500
320
200
8
20
nC
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V,
F=1MHz
pF
12
15
30
9
ns
(V
DD
= 15 V，I
D
= 13 A,
V
GS
=10V,R
G
= 2.5)
10
18
6
2007/07/20
Ver.1
第3页
SPN4392
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/07/20
Ver.1
第4页
SPN4392
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2007/07/20
Ver.1
第5页
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S-80880CLNB-B8B-T2
SIOV-S10K115GS4R5
STA-5063Z
SMF17A
SC431CZ-2
SSY39V400704IE2
SLD-63538950X
SN65LBC176JG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPN4392S8RG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：陈泽强
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