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SPN3632
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN3632是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用程序，笔记本电脑的电源管理和
其它电池供电的电路，其中的高侧
切换。
特点
100V/80A,R
DS （ ON）
= 8.5mΩ@V
GS
= 10V
100V/40A,R
DS （ ON）
= 9.8mΩ@V
GS
= 6.0V
100V/10A,R
DS （ ON）
=为10mΩ @ V
GS
= 4.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TO- 220-3L封装设计
应用
DC / DC转换器
负荷开关
开关电源二次侧同步整流器
引脚配置（ TO- 220-3L ）
最热
2009 / 04 / 10
Ver.1
第1页
SPN3632
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
D
S
描述
门
漏
来源
订购信息
产品型号
SPN3632T220TGB
包
TO-220-3L
部分
记号
SPN3632
※
SPN3632T220TGB ：管;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
雪崩电流
功耗
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
AS
P
D
EAS
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
100
±20
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
80
80
240
60
62.5
3.38
335
雪崩能量单脉冲
（ TJ = 25℃时， L = 0.12mH ，我
AS
= 75A ，V
DD
= 80V. )
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
-55/150
-55/150
2
℃
℃
℃/W
2009 / 04 / 10
Ver.1
第2页
SPN3632
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50V,R
L
=0.6
I
D
≡20A,V
根
=10V
R
G
=1.0
V
DS
=50V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
T
J
= 150 °C
V
DS
≥10V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=80A
V
GS
= 6.0V ，我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
V
DS
=15V,I
D
=20A
I
S
=30A,V
GS
=0V
100
1.0
3.0
±100
1
250
70
7.5
8.5
8.2
62
8.5
9.8
10.0
1.5
230
80
55
14200
800
220
75
40
100
25
V
nA
uA
A
m
S
V
V
DS
=50V,V
GS
=10V
I
D
= 20A
nC
pF
nS
2009 / 04 / 10
Ver.1
第3页
SPN3632
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009 / 04 / 10
Ver.1
第4页
SPN3632
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009 / 04 / 10
Ver.1
第5页
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SETB
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数量
封装
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