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SPN3456
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN3456是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用诸如蜂窝电话和笔记本
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路和低线的功率损耗，需要在非常
小尺寸表面贴装封装。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
30V/6.0A,R
DS （ ON）
= 40MΩ @ V
GS
=10V
30V/5.0A,R
DS （ ON）
= 50mΩ的@ V
GS
=4.5V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TSOP- 6P包装设计
引脚配置（ TSOP- 6P ）
最热
2013/08/12
Ver.2
第1页
SPN3456
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
订购信息
产品型号
SPN3456ST6RG
SPN3456ST6RGB
包
TSOP-6P
TSOP-6P
部分
记号
56YW
56YW
符号
D
D
G
S
D
D
描述
漏
漏
门
来源
漏
漏
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPN3456ST6RG ：带卷轴;铅 - 免费
※
SPN3456ST6RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
※
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
30
±20
6.0
5.0
30
1.7
2.0
1.3
150
-55/150
90
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2013/08/12
Ver.2
第2页
SPN3456
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=24V,V
GS
=1.0V
V
DS
=24V,V
GS
=0.0V
T
J
=55℃
V
DS
≧4.5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.0A
V
GS
=4.5V,I
D
=5.0A
V
DS
=4.5V,I
D
=5.4A
I
S
=1.7A,V
GS
=0V
30
1.0
3.0
±100
1
10
10
0.030
0.040
12
0.8
0.040
0.050
1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=15V
GS
=10V
I
D
≡6.7A
10
1.6
3.2
450
240
38
7
18
nC
V
DS
=15V
GS
=0V
f=1MHz
pF
15
20
40
20
ns
V
DD
=15R
L
=15
I
D
≡1.0A,V
根
=10
R
G
=6
10
20
11
2013/08/12
Ver.2
第3页
SPN3456
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2013/08/12
Ver.2
第4页
SPN3456
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2013/08/12
Ver.2
第5页
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