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SPN2622
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN2622是双N沟道增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
20V/4.0A,R
DS （ ON）
=
80m@V
GS
=4.5V
20V/3.4A,R
DS （ ON）
= 100mΩ的@ V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23-6L封装设计
引脚配置（ SOT- 23-6L ）
最热
2009/12/ 05
Ver.1
第1页
SPN2622
双N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPN2622S26RGB
包
SOT-23-6L
部分
记号
22YW
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPN2622S26RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±12
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
4.0
3.4
10
1.6
1.25
0.8
-55/150
-55/150
105
2009/12/ 05
Ver.1
第2页
SPN2622
双N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=6V,R
L
=6
I
D
≡1.0A,V
根
=4.5V
R
G
=6
V
DS
=6V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦5V,V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=4.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.4A
V
DS
=5V,I
D
=-3.6A
I
S
=1.6A,V
GS
=0V
20
0.4
1.0
±100
1
5
6
0.060
0.075
10
0.8
4.8
1.0
1.0
485
85
40
8
12
30
12
14
18
35
16
0.080
0.100
1.2
8
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=6V,V
GS
=4.5V
I
D
≡2.8A
nC
pF
ns
典型特征
2009/12/ 05
Ver.1
第3页
SPN2622
双N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/12/ 05
Ver.1
第4页
SPN2622
双N沟道增强型MOSFET
典型特征
2009/12/ 05
Ver.1
第5页
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SY87701LZG
SMAJ6.0(C)
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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