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SPN2346W

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN2346W是N沟道增强逻辑

型功率场效应晶体管都采用生产

高密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

特点

20V/6.0A,R

DS （ ON）

= 35mΩ @ V

=4.5V

20V/5.0A,R

DS （ ON）

= 40MΩ @ V

=2.5V

20V/4.0A,R

DS （ ON）

= 100mΩ的@ V

=1.8V

超高密度电池设计极低

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 23封装设计

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

引脚配置（ SOT -23 ）

最热

S46WYW

2013/03/13

Ver.2

第1页

SPN2346W

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

订购信息

产品型号

SPN2346WS23RGB

包

SOT-23

最热

S46WYW

符号

描述

门

来源

漏

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPN2346WS23RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±12

4.0

3.0

1.0

1.25

0.8

-55/150

140

单位

℃

2013/03/13

Ver.2

第2页

SPN2346W

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

=0V,V

=±12V

=20V,V

=0V

=20V,V

=0V

=55℃

≥5V,V

=4.5V

= 4.5V ，我

=6.0A

= 2.5V ，我

=5.0A

= 1.8V ，我

=4.0A

=15V,I

=5.0A

=1.0A,V

=0V

0.4

1.0

±100

0.028

0.036

0.080

0.8

0.035

0.040

0.100

1.2

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=10V,R

=10

≡1.0A,V

根

=4.5V

=10V,V

=0V

f=1MHz

=10V,V

=4.5V

≡5.0A

1.4

2.1

600

120

100

2013/03/13

Ver.2

第3页

SPN2346W

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2013/03/13

Ver.2

第4页

SPN2346W

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2013/03/13

Ver.2

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2018+

126880

SOT23-3

全新原装15818663367

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SPN2346W

SYNCPOWER

2443+

23000

SOT-23

一级代理专营，原装现货，价格优势

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SPN2346W

25+23+

35500

SOT-23

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SPN2346W

SYNCPOWER

24+

21000

SOT-23

真实库存信息/只做原装正品/支持实单

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SPN2346W

SYNCPOWER

24+

32000

SOT-23

百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！

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SPN2346W

19+

18974

SOT-23

全新原装正品/质量有保证

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SPN2346W

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26000

SOT-23

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SYNCPOWE

21+

45000

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