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SPN2302D
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN2302D是N沟道增强逻辑
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度， DMOS沟道技术。这种高
密度工艺特别适合于减小导通状态
性。这些装置特别适用于低
如蜂窝电话和笔记本电压应用，例如
计算机的电源管理和其它电池供电的
电路和低线的功率损耗，需要在非常
小尺寸表面贴装封装。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
20V/3.6A,R
DS （ ON）
= 97mΩ @ V
GS
=4.5V
20V/3.1A,R
DS （ ON）
= 113mΩ @ V
GS
=2.5V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 23封装设计
引脚配置（ SOT -23 ）
最热
引脚说明
2012/08/06
Ver.2
第1页
SPN2302D
N沟道增强型MOSFET
针
1
2
3
订购信息
产品型号
SPN2302DS23RG
SPN2302DS23RGB
包
SOT-23
SOT-23
最热
S02YW
S02YW
符号
G
S
D
描述
门
来源
漏
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPN2302DS23RG ：带卷轴;铅 - 免费
※
SPN2302DS23RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±12
3.2
2.6
10
1.6
1.25
0.8
150
-55/150
100
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2012/08/06
Ver.2
第2页
SPN2302D
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≧5V,V
GS
=4.5V
V
DS
≧5V,V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.1A
V
DS
=5V,I
D
=3.6A
I
S
=1.6A,V
GS
=0V
20
0.45
1.2
±100
1
10
6
4
0.085
0.100
10
0.85
0.097
0.113
1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=10V,R
L
=5.5
I
D
≡3.6A,V
根
=4.5V
R
G
=6
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V
I
D
≡3.6A
5.4
0.65
1.4
340
115
33
12
36
34
10
10
nC
pF
25
60
60
25
ns
2012/08/06
Ver.2
第3页
SPN2302D
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2012/08/06
Ver.2
第4页
SPN2302D
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2012/08/06
Ver.2
第5页
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SL4518BD
SEL6710Y
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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