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SPN2054
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN2054是N沟道逻辑增强模式
功率场效应晶体管都采用高细胞产生
密度, DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备是
特别适用于低电压的应用中,如
DC / DC转换器和台式电脑电源
管理。
包装普遍首选的商业
工业表面贴装应用
特点
20V/12A,R
DS ( ON)
=40m@V
GS
=10V
20V / 7A ,R
DS ( ON)
=45m@V
GS
=4.5V
20V / 4A ,R
DS ( ON)
=50m@V
GS
=2.5V
20V / 2A ,R
DS ( ON)
=60m@V
GS
=1.8V
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TO- 252-2L封装设计
应用
在台式计算机电源管理
DC / DC转换器
液晶显示器逆变器
引脚配置( TO- 252-2L )
最热
2006/08/16
Ver.3
第1页
SPN2054
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
1
2
3
符号
G
S
D
描述
来源
订购信息
产品型号
SPN2054T252RG
本周代码: AZ ( 1 26 ) ; AZ ( 27 52 )
SPN2054T252RG :带卷轴;铅 - 免费
TO-252-2L
部分
记号
SPN2054
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流(T
J
=150
)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
20
±12
单位
V
V
A
A
A
W
℃/W
12
8
20
12
40
20
-55/150
-55/150
105
2006/08/16
Ver.3
第2页
SPN2054
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
GS
=10V,I
D
=12A
V
GS
=4.5V,I
D
=7A
V
GS
=2.5V,I
D
=4A
V
GS
=1.8V,I
D
=2A
V
DS
=5V,I
D
=-3.6A
I
S
=7A,V
GS
=0V
20
0.36
1.0
±100
1
5
0.031
0.035
0.040
0.048
10
0.95
4.8
1.0
1.0
485
85
40
8
14
18
35
16
0.040
0.045
0.050
0.060
1.2
8
V
nA
uA
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
S
V
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V
I
D
≡12A
nC
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
V
DD
=10V,R
L
=6
I
D
≡1.0A,V
=4.5V
R
G
=6
12
30
12
ns
2006/08/16
Ver.3
第3页
SPN2054
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/08/16
Ver.3
第4页
SPN2054
N沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/08/16
Ver.3
第5页
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    联系人:杨小姐
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    SPN2054
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    -
    -
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SPN2054
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23000
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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
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SPN2054
DO
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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