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SPN2038

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN2038是N沟道逻辑增强模式

这是生产高功率场效应晶体管

单元密度的DMOS沟道技术。该SPN2038有

被专门设计用于改善整体

无论使用的同步DC / DC转换器效率

或传统开关PWM控制器。它一直

低栅极电荷优化，低R

DS （ ON）

和快速

开关速度。

特点

20V / 14A ，R

DS （ ON）

= 16mΩ @ V

GS

=4.5V

20V/7A,R

DS （ ON）

= 22MΩ @ V

GS

=2.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

应用

在笔记型电源管理

动力系统

DC / DC转换器

负荷开关

引脚配置

TO-252

最热

2012/09/17

Ver.2

第1页

SPN2038

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

1

2

3

符号

G

S

D

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

包

最热

SPN2038

SPN2038T252RGB

TO-252

※

SPN2038T252RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到管壳

T

C

=25℃

T

C

=25℃

T

C

=100℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

R

θJC

典型

20

±16

28

18

70

25

-55/150

-55/150

5

单位

V

V

A

A

W

℃

℃

℃

/W

2012/09/17

Ver.2

第2页

SPN2038

N沟道增强型MOSFET

电气特性

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,I

D

=250uA

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,I

D

=250uA

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

SD

V

DS

=0V,V

GS

=±16V

V

DS

=16V,V

GS

=0V

V

DS

=16V,V

GS

=0V

T

J

=55℃

V

DS

≥5V,V

GS

=4.5V

V

GS

= 4.5V ，我

D

=14A

V

GS

=2.5V,I

D

=7A

V

DS

=5V,I

D

=14A

I

S

=1A,V

GS

=0V

20

0.5

1.2

±100

1

5

28

0.016

0.022

30

0.02

0.028

1.2

V

nA

uA

A

S

V

Q

g

Q

gs

Q

gd

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

= 10V ，我

D

≡14A,

V

GS

= 4.5V ，R

G

=3.3

V

DS

=15, V

GS

=0V

f=1MHz

V

DS

=15V, V

GS

=4.5V

I

D

= 14A

9.8

2.1

3

772

83

79

4

12.5

20

8

nS

pF

nC

2012/09/17

Ver.2

第3页

SPN2038

N沟道增强型MOSFET

典型特征

图。 1典型的输出特性

图。 2导通电阻VS栅极电压

图。 3正向特性

图。 4总栅极电荷

图。 5栅极电压与温度

图。 6导通电阻与温度

2012/09/17

Ver.2

第4页

SPN2038

N沟道增强型MOSFET

典型特征

图。 7电容VS的Vds

图。 8安全操作区

图。 9最大瞬态热阻抗

图。 10开关时间波形

图。 11栅极电荷波形

2012/09/17

Ver.2

第5页

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