【SPN1443N沟道增强型MOSFET描述该SPN1443是N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管都采用】,IC型号SPN1443S32RG,SPN1443S32RG PDF资料,SPN1443S32RG经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPN1443

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN1443是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路和低线的功率损耗，需要在非常

小尺寸表面贴装封装。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

30V/2.8A,R

DS （ ON）

= 65mΩ @ V

=10V

30V/2.3A,R

DS （ ON）

= 90mΩ @ V

=4.5V

超高密度电池设计极低

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 323 （ SC - 70 ）封装设计

引脚配置（ SOT- 323 ， SC- 70 ）

最热

2006/03/20

Ver.2

第1页

SPN1443

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

订购信息

产品型号

SPN1443S32RG

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPN1443S32RG ：带卷轴;铅 - 免费

包

SOT-323

部分

记号

43YW

符号

描述

门

来源

漏

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±20

2.8

2.3

1.25

0.33

0.21

150

-55/150

100

单位

℃

2006/03/20

Ver.2

第2页

SPN1443

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

=0V,V

=±20V

=30V,V

=1.0V

=30V,V

=0.0V

=55℃

≧4.5V,V

=10V

≧4.5V,V

=4.5V

= 10V ，我

=2.8A

=4.5V,I

=2.3A

=4.5V,I

=2.8A

=1.25A,V

=0V

1.0

3.0

±100

0.050

0.075

4.6

0.82

0.065

0.090

1.2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=15V

=10V

≡2.5

4.5

0.8

1.0

240

110

=15V

=0V

f=1MHz

=15R

=15

≡1.0A,V

根

=10

2006/03/20

Ver.2

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SPN1443

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2006/03/20

Ver.2

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SPN1443

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2006/03/20

Ver.2

第5页

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