【SPN1423N沟道增强型MOSFET描述该SPN1423是N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管都采用】,IC型号SPN1423S32RG,SPN1423S32RG PDF资料,SPN1423S32RG经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN1423是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路中的高侧开关和低线

需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗

贴装封装。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

20V/2.8A,R

DS （ ON）

= 90mΩ @ V

=4.5V

20V/2.2A,R

DS （ ON）

= 100mΩ的@ V

=2.5V

超高密度电池设计极低

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 323 （ SC - 70 ）封装设计

引脚配置（ SOT- 323 ， SC- 70 ）

最热

2005/05/25

Ver.1

第1页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

SPN1423S32RG

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPN1423S32RG ：带卷轴;铅 - 免费

包

SOT-323

部分

记号

23YW

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±12

2.8

2.2

1.6

0.33

单位

℃

℃/W

0.21

150

-55/150

100

2005/05/25

Ver.1

第2页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

=0V,V

=±12V

=20V,V

=0V

=20V,V

=0V

=55℃

≧5V,V

=4.5V

≧5V,V

=2.5V

=4.5V,I

=2.8A

=2.5V,I

=2.2A

=5V,I

=2.8A

=1.6A,V

=0V

0.45

1.2

±100

0.055

0.075

0.85

0.090

0.100

1.2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=10V,V

=4.5V

≡2.8A

5.4

0.65

1.4

340

115

=10V,V

=0V

f=1MHz

=10V,R

=5.5

≡2.8A,V

根

=4.5V

2005/05/25

Ver.1

第3页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2005/05/25

Ver.1

第4页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

典型特征

2005/05/25

Ver.1

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SPN1423

N沟道增强型MOSFET

描述

该SPN1423是N沟道逻辑增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。

这些装置特别适用于低电压

应用诸如蜂窝电话和笔记本

计算机的电源管理和其它电池供电的

电路中的高侧开关和低线

需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗

贴装封装。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

20V/2.8A,R

DS （ ON）

= 90mΩ @ V

=4.5V

20V/2.2A,R

DS （ ON）

= 100mΩ的@ V

=2.5V

超高密度电池设计极低

DS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 323 （ SC - 70 ）封装设计

引脚配置（ SOT- 323 ， SC- 70 ）

最热

2012/06/20

Ver.2

第1页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

SPN1423S32RG

SPN1423S32RGB

包

SOT-323

最热

23YW

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPN1423S32RG ：带卷轴;铅 - 免费

※

SPN1423S32RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

=25

℃

除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

=25℃

=70℃

=25℃

=70℃

符号

DSS

GSS

英镑

θJA

典型

±12

2.8

2.2

1.6

1.25

0.8

150

-55/150

100

单位

℃

℃/W

2012/06/20

Ver.2

第2页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=250uA

GS （ TH）

=250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

=0V,V

=±12V

=20V,V

=0V

=20V,V

=0V

=55℃

≧5V,V

=4.5V

≧5V,V

=2.5V

=4.5V,I

=2.8A

=2.5V,I

=2.2A

=5V,I

=2.8A

=1.6A,V

=0V

0.45

1.2

±100

0.055

0.075

0.85

0.090

0.100

1.2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=10V,R

=5.5

≡2.8A,V

根

=4.5V

=10V,V

=0V

f=1MHz

=10V,V

=4.5V

≡2.8A

5.4

0.65

1.4

340

115

2012/06/20

Ver.2

第3页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

SOT- 323封装外形图

2012/06/20

Ver.2

第4页

SPN1423

N沟道增强型MOSFET

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电话： 886-2-2655-8178

传真： 886-2-2655-8468

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2012/06/20

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