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SPN1026
双N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN1026是双N沟道增强
模式的场效应晶体管都采用高生产
细胞密度DMOS技术。这些产品具有
旨在最大限度地减少通态电阻，同时
提供坚固，可靠，快速切换
性能。它们可以在大多数的应用中使用
需要高达320毫安直流，并且可以提供脉冲
电流高达1.0A 。这些产品特别
适用于低电压，低电流的应用，如
小型伺服马达控制，功率MOSFET的栅极
驱动程序和其它开关应用。
应用
司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，
显示器，记忆，晶体管等。
高饱和电流能力。直接
逻辑电平接口： TTL / CMOS
电池供电系统
固态继电器
特点
60V / 0.50A ，R
DS （ ON）
= 4.0@V
GS
=10V
60V / 0.30A ，R
DS （ ON）
= 5.0@V
GS
=5V
超高密度电池设计极低
R
DS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT - 563 / SC- 89-6L封装设计
引脚配置（ SOT - 563 / SC- 89-6L ）
最热
2006/12/18
Ver.2
第1页
SPN1026
双N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
S1
G1
D2
S2
G2
D1
描述
源1
门1
排水2
源2
门2
Drain1
订购信息
产品型号
SPN1026S56RG
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPN1026S56RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
SOT-563
部分
记号
D
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压 - 连续
栅 - 源电压 - 不重复（T
p
<为50μs ）
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲（ * ）
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
符号
V
DSS
V
GSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
60
±20
±40
0.32
1.0
0.25
0.30
-55 ~ 150
-55 ~ 150
375
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2006/12/18
Ver.2
第2页
SPN1026
双N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V，I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 30 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 5 V
1.4
0.8
0.5
43
20
6
5
15
7
8
ns
pF
2.0
nC
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=50V,V
GS
=0V
V
DS
=50V,V
GS
=0V
T
J
= 85℃
V
GS
=10V,I
D
=0.50A
V
GS
= 5V ，我
D
=0.30A
60
1.0
1.7
2.5
±100
10
100
2.8
3.5
4.0
5.0
0.32
1.4
1.5
V
nA
nA
A
A
S
V
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
I
SD
I
SDM
(2)
GFS （ 1 ）V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 A
V
SD
(1) V
GS
= 0 V，I
S
= 0.2A
0.6
0.85
（1 ）脉冲：脉冲持续时间= 300
μs,
占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
2006/12/18
Ver.2
第3页
SPN1026
双N沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/12/18
Ver.2
第4页
SPN1026
双N沟道增强型MOSFET
典型特征
2006/12/18
Ver.2
第5页
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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