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SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
描述
该SPN05T10是N沟道逻辑增强模式
这是使用超生产功率场效应晶体管
高细胞密度的DMOS沟道技术。该SPN05T10
已被专门设计用于改善整体
使用的DC / DC转换效率同步或
传统开关PWM控制器。它一直
低栅极电荷优化,低R
DS ( ON)
和快速
开关速度。
特点
100V/2A,R
DS ( ON)
= 320mΩ @ V
GS
= 10V
高密度电池设计极低的RDS ( ON)
呈导通电阻和最大直流电流
能力
TO- 252封装设计
应用
高频小功率开关的
MB / NB / VGA
网络的DC / DC电源系统
负荷开关
引脚配置
TO-252
最热
2011/12/09
Ver.1
第1页
SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
1
2
3
符号
G
D
S
描述
来源
订购信息
产品型号
部分
记号
SPN05T10T252RGB
TO-252
SPN05T10T252RGB :带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
SPN05T10
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流(T
J
=150
)
漏电流脉冲
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
100
±20
单位
V
V
A
A
W
/W
6
4.6
9
40
-55/150
-55/150
62
2011/12/09
Ver.1
第2页
SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 50V ,我
D
=2A,
V
= 10V ,R
G
=3.3
V
DS
=15V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=2A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=1A
V
DS
=5V,I
D
=2A
I
S
=1A,V
GS
=0V
100
1
2.0
2.5
±100
1
5
2.2
0.30
0.31
2.4
0.32
0.34
1.2
9
2
1.4
508
29
16.5
2
21.5
11.2
18.8
13
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=50V,V
GS
=10V
I
D
= 2A
nC
pF
nS
2011/12/09
Ver.1
第3页
SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
TO- 252封装外形图
2011/12/09
Ver.1
第4页
SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
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电话: 886-2-2655-8178
传真: 886-2-2655-8468
HTTP : //www.syncpower.com
2011/12/09
Ver.1
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    -
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联系人:陈小姐 付先生
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20+
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全新原装 货期两周
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