SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
符号
G
D
S
描述
门
漏
来源
订购信息
产品型号
包
部分
记号
SPN05T10T252RGB
TO-252
※
SPN05T10T252RGB :带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
SPN05T10
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明)
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
A
=25℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
100
±20
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
℃
/W
6
4.6
9
40
-55/150
-55/150
62
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SPN05T10
N沟道增强型MOSFET
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