【SPN04N60S5酷MOS 功率晶体管特征新的革命高电压技术世界范围内最好的RDS （ ON）采用】,IC型号SPN04N60S5,SPN04N60S5 PDF资料,SPN04N60S5经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SPN04N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

采用SOT 223

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

600

0.95

0.8

SOT-223

4

V

A

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

3

2

1

VPS05163

TYPE

SPN04N60S5

包

SOT-223

订购代码

Q67040-S4211

记号

04N60S5

最大额定值

参数

连续漏电流

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

T

A

= 25 °C

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

A

= 25°C

符号

I

D

价值

0.8

0.65

单位

A

I

PULS

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

3

±20

±30

1.8

-55... +150

W

°C

V

工作和存储温度

2.2版

第1页

2005-02-21

SPN04N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 4.5 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

符号

分钟。

R

thjs

R

thJA

值

典型值。

马克斯。

单位

热阻，结 - 焊接点

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

-

-

-

20

110

-

-

-

70

K / W

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

-

-

260

°C

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=200Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

值

典型值。

-

700

4.5

0.5

-

-

0.8

2.3

20

马克斯。

-

-

5.5

600

-

3.5

-

-

-

-

-

-

单位

V

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=4.5A

A

1

50

100

0.95

-

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=2.8A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

2.2版

第2页

2005-02-21

SPN04N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.65A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f

=1MHz

符号

条件

分钟。

-

-

-

-

-

-

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=0.8A,

R

G

=18

值

典型值。

1

600

325

15

20

35

40

20

130

30

马克斯。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

S

pF

有效输出电容，

2)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

3)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

pF

-

-

-

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

-

-

-

-

4.1

9.2

17

8

-

-

-

-

nC

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

V

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

2

C

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

而

V

上升，从0至80％

V

O（ ER ）

OSS

DS

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

2.2版

第3页

2005-02-21

SPN04N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=

I

S

V

R

=350V,

I

F

=

I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

A

=25°C

值

典型值。

-

-

0.85

200

1.2

马克斯。

0.8

3

1.05

-

-

-

-

-

-

-

单位

A

V

ns

C

2.2版

第4页

2005-02-21

SPN04N60S5

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

1.9

SPN04N60S5

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

=25°C

10

1

W

1.6

1.4

A

10

0

P

合计

1

0.8

0.6

I

D

10

-1

1.2

10

-2

0.4

0.2

0

0

10

-3 0

10

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

1

10

2

T

A

10

V

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

A

14

K / W

1

13V

11V

12

11

10

10

Z

thJC

10

0

I

D

9

8

7

9V

10

-1

10

-2

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

6

5

4

3

2

1

7V

4

8

12

16

20

10

-3 -7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

10

10

10

10

10

10

10

s

10

1

0

0

V

26

t

p

V

DS

第5页

2.2版

2005-02-21

SPN04N60S5

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

采用SOT 223

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

600

0.95

0.8

SOT-223

4

V

A

超低栅极电荷

至尊的dv / dt评分

超低电容有效

改进的跨导

3

2

1

VPS05163

TYPE

SPN04N60S5

包

SOT-223

订购代码

Q67040-S4211

记号

04N60S5

最大额定值

参数

连续漏电流

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

T

A

= 25 °C

门源电压

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

A

= 25°C

符号

I

D

价值

0.8

0.65

单位

A

I

PULS

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

3

±20

±30

1.8

-55... +150

W

°C

V

工作和存储温度

2.1版

第1页

2004-03-30

SPN04N60S5

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 4.5 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

20

单位

V / ns的

热特性

参数

符号

分钟。

R

thjs

R

thJA

值

典型值。

马克斯。

单位

热阻，结 - 焊接点

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

-

-

-

20

110

-

-

-

70

K / W

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

-

-

260

°C

电气特性，

at

Tj=25°C

除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=200Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

值

典型值。

-

700

4.5

0.5

-

-

0.8

2.3

20

马克斯。

-

-

5.5

600

-

3.5

-

-

-

-

-

-

单位

V

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=4.5A

A

1

50

100

0.95

-

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=2.8A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

2.1版

第2页

2004-03-30

SPN04N60S5

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.65A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f

=1MHz

符号

条件

分钟。

-

-

-

-

-

-

V

DD

=350V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=0.8A,

R

G

=18

值

典型值。

1

600

325

15

20

35

40

20

130

30

马克斯。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

单位

S

pF

有效输出电容，

2)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

3)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

pF

-

-

-

-

ns

栅极电荷特性

门源费

Q

gs

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gd

Q

g

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

-

-

-

-

4.1

9.2

17

8

-

-

-

-

nC

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=350V,

I

D

=0.8A

V

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

2

C

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

而

V

上升，从0至80％

V

O（ ER ）

OSS

DS

DSS

.

3

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

2.1版

第3页

2004-03-30

SPN04N60S5

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=

I

S

V

R

=350V,

I

F

=

I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

A

=25°C

值

典型值。

-

-

0.85

200

1.2

马克斯。

0.8

3

1.05

-

-

-

-

-

-

-

单位

A

V

ns

C

2.1版

第4页

2004-03-30

SPN04N60S5

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

1.9

SPN04N60S5

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

=25°C

10

1

W

1.6

1.4

A

10

0

P

合计

1

0.8

0.6

I

D

10

-1

1.2

10

-2

0.4

0.2

0

0

10

-3 0

10

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

1

10

2

T

A

10

V

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

A

14

K / W

1

13V

11V

12

11

10

10

Z

thJC

10

0

I

D

9

8

7

9V

10

-1

10

-2

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

6

5

4

3

2

1

7V

4

8

12

16

20

10

-3 -7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

10

10

10

10

10

10

10

s

10

1

0

0

V

26

t

p

V

DS

第5页

2.1版

2004-03-30

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

SPN04N60S5

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

SPN04N60S5

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

SPN04N60S5

Infineon Technologies

2436+

3800

SOT-223-4

代理Infineon Technologies专营，原装现货优势

深圳市晶美隆科技有限公司

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电话：0755- 82519391 0755-83209630

联系人：李林

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

SPN04N60S5

INFINEON

24+

11758

P-SOT223-4-4

全新原装现货热卖

深圳市晶美隆科技有限公司销售一部

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电话：0755-83209630 82519391

联系人：许小姐

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

SPN04N60S5

INF

24+

11880

TO-220

优势现货，只做原装正品

江苏芯钻时代电子科技有限公司

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QQ：1316996791 复制

电话：18913062888

联系人：陈先生

地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号

SPN04N60S5

Infineon Technologies

24+

5000

TO-261-4, TO-261AA

原装正品现货

深圳市金嘉锐电子有限公司

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QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859

联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

SPN04N60S5

Infineon

2025+

26820

PG-SOT223-4

【原装优势★★★绝对有货】

深圳市楷瑞达科技电子有限公司

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