SPM6M050-010D
SENSITRON
半导体
技术参数
DATA SHEET 1161 REV 。初步一
三相MOSFET桥， 100伏， 50安培
PER MOSFET器件电气特性
(Tj=25
0
C除非另有说明）
MOSFET特性
特征
连续漏电流
最大脉冲漏
当前
漏 - 源
击穿电压
门极 - 源
电压
静态漏极至源极上
阻力
漏极 - 源极漏
当前
导通延迟
上升时间
关断延时
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输
电容
热阻
工作和存储
结温
符号
I
D
I
DM
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS
I
DSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
thJC
T
j
测试条件
V
GS
= 10V ，T
C
= 25
o
C
T
C
= 80
o
C
T
C
= 25
o
C
T
j
=25
o
C，V
GS
=0V,
I
D
=500A
V
DS
= V
GS
, T
j
=25
o
C
I
D
= 500
A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 40 A
V
GS
=0V,
V
DS
=100V,
o
T
j
= 25℃ V
I
D
= 50 A，V
GS
= 10 V,
T
j
=25
o
C,
R
G
= 5 ,
V
DD
= 30V
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
分钟。
-
-
100
1.0
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.013
-
25
150
60
120
3.8
0.90
0.30
0.7
-
马克斯。
50
50
150
-
3.0
0.018
250
单位
A
A
V
V
A
ns
-
-
nF
-
-
-
-40
1
150
o
C / W
o
C
源极漏极二极管的特性
特征
正向电压
反向恢复时间
符号
V
SD
t
rr
测试条件
T
j
=25
o
C，我
F
= 30A
T
j
= 25
o
C，我
S
= 30 A,
的di / dt = 100 A /
s
分钟。
-
-
典型值。
0.80
90
马克斯。
1.1
130
单位
V
ns
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3
鹿园，NY 11729
3
（ 631 ） 586 7600传真（ 631 ） 242 9798
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SENSITRON
技术参数
DATA SHEET 1161 REV 。初步一
栅极驱动器
参数
电源电压
输入ON电流
光隔离器逻辑高输入阈值
输入反向击穿电压
输入正向电压@ I
in
= 5毫安
欠压锁定
ITRIP阈值电压
开启延迟
开启上升时间
延时关闭
关闭下降时间
输入输出隔离电压
(1)
符号
VCC
HIN ， LIN
I
th
BV
in
V
F
Vccuv
ITRIP
th
t
OND
t
r
t
OFFD
t
f
民
10
1.6
典型值
15
-
1.6
最大
20
5
单位
V
mA
mA
V
5
1.5
7.0
0.4
-
-
-
-
1000
-
0.49
-
-
-
-
1.7
9.7
0.58
1000
200
1300
200
V
V
V
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
（ 1 ）一旦ITRIP达到阈值时，驾驶员闭锁。这种情况可以通过持有所有三个低复位
边输入高电平的时间超过10
秒或通过回收在V
cc
供应量。
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SENSITRON
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DATA SHEET 1161 REV 。初步一
包装图：
0.3
民
电源引脚
Φ
=0.05”
信号引脚：
Φ
=0.03”
间距= 0.1 “的中心 - 中心
铜基
14
1
0.22
0.80
0.125
0.275
φ
= 0.2
1.5
1.4
0.53
0.295
COM
+V
0.80
Ph3
14
0.80
Ph2
4
Ph1
0.40
1
0.75
0.50
0.235
0.20
0.475
0.21
x 4
0.17
x 8
2.60
3.15
3.62
0.10
x 13
包装材料：
基地：铜
框架：镍
盖：塑料
电源端子：铜
信号端子&真值表：
栅极驱动器真值表
HIN1,2,3
0
0
1
1
信号引脚
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
功能
+15V
PWR- GRND
NC
HIN1
HIN2
HIN3
SGN- GRND
LIN1
LIN2
LIN3
SGN- GRND
NC
ITRIP
ITRIP - RTN
LIN1,2,3
0
1
0
1
HO1,2,3
0
1
0
0
LO1,2,3
0
0
1
0
注意：此设备可以用一个非使用
反相输入端的逻辑，如果LIN和HIN互换。
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医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
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