初步数据表
产品说明
该Sirenza的SPM- 1045是无源混频器设计的
需要高线性度上变频和下转换系统
锡永。它采用专有的硅场效应管与久经考验的可靠性
能够芯和线平衡 - 不平衡变换器。它通过高效运行
广泛的本地振荡器的权力，与输入第三
为了拦截剩余约15-20分贝以上
LO功率。此产品封装在标准的表面
安装模块出色的RF性能。
SPM-1045
高线性度无源混频器的FET
功能框图
产品特点
RF
IF
LO
出色的线性度。
可预见的转换损耗与LO功率。
可使用带有LO功率+ 10dBm的到
+17dBm.
应用
产品规格：下变频器
北美蜂窝上变频器和
下变频器
测试条件： FLO = 750MHz的FIF = 100MHz的FRF = 850MHz的普罗= 17dBm的
参数
RF输入频率范围
LO频率
IF输出频率
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
转换损耗
SSB噪声系数
TOI （输入）
Plo=10dBm
Plo=14dBm
Plo=17dBm
的P1dB （输入）
LO-RF隔离
LO- IF隔离
RF- IF隔离
LO功率
Plo=17dBm
750MHz
750MHz
850MHz
请参阅图表的性能与LO功率
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
FRF = 850 MHz的
FLO = 750 MHz的
FIF = 100 MHz的
FRF = 850 MHz的
测试条件
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
分钟。
500
700
50
7
12
10
7.5
7.5
27
32
32
20
50
30
30
17
10
10
典型值。
马克斯。
1000
800
500
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS102960版本A
初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
产品规格：向上转换器
测试条件： FLO = 750MHz的FIF = 100MHz的FRF = 850MHz的普罗= 17dBm的
参数
RF输出频率范围
LO频率
IF输入频率
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
转换损耗
TOI （输入）
Plo=10dBm
Plo=13dBm
Plo=17dBm
的P1dB （输入）
LO功率
Plo=17dBm
请参阅图表的性能与LO功率
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
FRF = 850 MHz的
FLO = 750 MHz的
FIF = 100 MHz的
测试条件
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
分钟。
500
700
50
7
12
10
7.5
25
32
32
20
17
10
典型值。
马克斯。
1000
800
300
绝对最大额定值
参数
RF输入
LO输入
IF输入
工作温度
储存温度
价值
+15
+20
+15
-40至+85
-65到+150
单位
DBM
DBM
DBM
C
C
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
装置的电压和电流必须不超过最大工作
阿婷1页表中指定的值。
在SPM -1045混频器是一个MOSFET的基于高性能混合器设计为在高线性变频
美国蜂窝频带。该混频器功能的LO功率要求具有广泛的自由度。转换损耗几乎保持不变
之间10dBm的和LO功率17dBm的。三阶截取大约是成正比的LO驱动器。这意味着
这个混频器可以被用来代替各种各样的要求的各种LO功率混合器。该混频器采用非平衡变压器上
所有三个端口，因此每个端口提供了一个DC短路。
下面几页的图表说明了在各种工作条件下的SPM- 1045的性能。在
为了复制这些性能测试，请注意以下几点需要注意：
-The混合机应该看到，在所有端口通过使用绝缘器或衰减器良好的回波损耗。这是特别真实
因为这个端口的穷人回波损耗的LO端口。如果波纹是出现在一个频率扫描，这可能是由于反射
在有线导致对设备造成的电压驻波比变差。
谐波的振-The存在会引起变化的TOI 。
-BE意识到，许多不同的频率的信号在混频器的输出端的存在，并且任何一个都可能导致
频谱分析仪产生互调。
- 当测量TOI ，确保两台发电机供电的RF信号不互动，引起互调them-
的自我。
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2
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EDS102960版本A
初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
转换损耗与频率的关系，高端LO ，
下变频器
10
转换损耗
转换损耗
9
8
7
6
500
17dBm
14dBm
10dBm
10
9
8
7
6
500
17dBm
14dBm
10dBm
转换损耗。与频率，高边LO
上变频器
600
700
800
900
1000
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
RF频率， MHz的
转换损耗与频率，低端LO
下变频器
10
转换损耗
转换损耗
9
8
17dBm
14dBm
10dBm
7
6
500
11
10
9
8
转换损耗。与频率，低端LO
上变频器
17dBm
14dBm
10dBm
600
700
800
900
1000
7
500
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
RF频率， MHz的
转换损耗与LO功率，下变频器
LO = 750MHz的， RF = 850MHz的
LO = 850MHz的， RF = 750MHz的
转换损耗，分贝
10
转换损耗
转换损耗与LO功率，最高转换器
LO = 750MHz的， IF = 100MHz的
10
9
高端LO
低端LO
7
9
8
7
6
0
5
10
LO功率， dBm的
高端LO
低端LO
8
6
15
20
0
5
10
LO功率， dBm的
15
20
这些图表表明混合器转换损耗与频率的关系，与两个低端LO激励（射频下面LO频率频
昆西）和高侧励磁（ LO频率之上的RF频率） 。操作既作为降压转换器和一个向上
转换器被示出，以10 LO功率，14，和17dBm的。在所有情况下， IF频率为100MHz 。
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SPM- 1045高线性度混频器
三阶互调失真与频率的关系，高端LO
下变频器
40
输入TOI ， dBm的
输入TOI ， dBm的
35
三阶互调失真与频率的关系，高端LO
上变频器
35
17dBm
14dBm
30
10dBm
30
17dBm
14dBm
25
10dBm
25
500
600
700
800
900
1000
20
500
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
RF频率， MHz的
三阶互调失真与频率的关系，低端LO
下变频器
40
输入TOI ， dBm的
35
TOI ，与频率，低端LO
上变频器
输入TOI ， dBm的
35
17dBm
14dBm
30
10dBm
30
17dBm
14dBm
25
10dBm
25
500
600
700
800
900
1000
20
500
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
FR频率， MHz的
TOI主场迎战LO功率，下变频器
LO = 750MHz的， RF = 850MHz的（低端）
LO = 850MHz的， RF = 750MHz的（高压侧）
40
35
TOI ， dBm的
30
低端LO
25
20
15
0
5
10
LO功率， dBm的
15
20
高端LO
TOI ， dBm的
40
35
30
25
20
15
0
TOI主场迎战LO功率，最高转换器
LO = 750MHz的， RF = 850MHz的
LO = 750MHz的， RF = 650MHz的
高端LO
低端LO
5
10
15
LO功率， dBm的
20
这些图表表明混合器三阶截取（ TOI）对频率参考混频器的输入端（即，参考
到的情况下关闭所述RF端口下变频器，或在上变频器的情况下， IF端口） ，与两个低端LO励磁
灰（ LO频率低于RF频率）和高侧励磁（ LO频率之上的RF频率） 。手术
既作为降压转换器和上转换器被示出，以10 LO功率，14，和17dBm的。在所有情况下，在IF频
昆西为100MHz 。测量三阶截取使用的RF功率为+ 0dBm的，除非情况下，超过TOI
为30dBm ，在这种情况下输入功率增加，使上述本底噪声的互调色调可见。
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初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
850
800
750
LO
700
频率。
兆赫
650
600
550
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
转换损耗，分贝
（向下转换器）
Plo=17dBm
9.5-10
9-9.5
8.5-9
8-8.5
7.5-8
7-7.5
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
850
825
（向上转换器）
800
Plo=17dBm
775
750
725
LO
700
频率。
9.5-10
675
兆赫
9-9.5
650
8.5-9
625
8-8.5
600
575
7.5-8
550
1400
转换损耗，分贝
7-7.5
RF频率。兆赫
RF频率。兆赫
850
800
750
输入截取， dBm的
（向下转换器）
Plo=17dBm
34-36
32-34
30-32
28-30
26-28
1000
1100
1200
1300
500
600
700
800
900
24-26
22-24
输入截取， dBm的
（向上转换器）
800
Plo=17dBm
850
750
LO
700
频率。
兆赫
650
600
14005
50
LO
700
频率。
兆赫
650
600
550
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
34-36
32-34
30-32
28-30
26-28
RF频率。兆赫
RF频率。兆赫
TOI与温度的关系
34
输入TOI ， dBm的
插入损耗
33
32
31
30
-50
9
8.5
8
7.5
7
-30
-10
10
30
50
70
90
-50
插入损耗与温度的关系
-30
-10
10
30
50
70
90
温度
温度
等高线图显示混频器输入三阶互调失真和转换损耗过各种RF和LO频率。这些轮廓
图可用于评估这些混频器的适用性在各种操作的频率。需要注意的是恒定的IF
频率曲线可以叠加作为对角线。还显示TOI和插入损耗与温度的曲线图。
这些曲线测量下变频器模式，具有750MHz的LO ， 850MHz的RF和LO 14dBm的功率。
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产品说明
该Sirenza的SPM- 1045是无源混频器设计的
需要高线性度上变频和下转换系统
锡永。它采用专有的硅场效应管与久经考验的可靠性
能够芯和线平衡 - 不平衡变换器。它通过高效运行
广泛的本地振荡器的权力，与输入第三
为了拦截剩余约15-20分贝以上
LO功率。此产品封装在标准的表面
安装模块出色的RF性能。
SPM-1045
高线性度无源混频器的FET
功能框图
产品特点
RF
IF
LO
出色的线性度。
可预见的转换损耗与LO功率。
可使用带有LO功率+ 10dBm的到
+17dBm.
应用
产品规格：下变频器
北美蜂窝上变频器和
下变频器
测试条件： FLO = 750MHz的FIF = 100MHz的FRF = 850MHz的普罗= 17dBm的
参数
RF输入频率范围
LO频率
IF输出频率
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
转换损耗
SSB噪声系数
TOI （输入）
Plo=10dBm
Plo=14dBm
Plo=17dBm
的P1dB （输入）
LO-RF隔离
LO- IF隔离
RF- IF隔离
LO功率
Plo=17dBm
750MHz
750MHz
850MHz
请参阅图表的性能与LO功率
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
FRF = 850 MHz的
FLO = 750 MHz的
FIF = 100 MHz的
FRF = 850 MHz的
测试条件
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
分钟。
500
700
50
7
12
10
7.5
7.5
27
32
32
20
50
30
30
17
10
10
典型值。
马克斯。
1000
800
500
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices的产品
在生命支持设备和/或系统。
版权所有2002年Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
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初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
产品规格：向上转换器
测试条件： FLO = 750MHz的FIF = 100MHz的FRF = 850MHz的普罗= 17dBm的
参数
RF输出频率范围
LO频率
IF输入频率
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
转换损耗
TOI （输入）
Plo=10dBm
Plo=13dBm
Plo=17dBm
的P1dB （输入）
LO功率
Plo=17dBm
请参阅图表的性能与LO功率
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
FRF = 850 MHz的
FLO = 750 MHz的
FIF = 100 MHz的
测试条件
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
分钟。
500
700
50
7
12
10
7.5
25
32
32
20
17
10
典型值。
马克斯。
1000
800
300
绝对最大额定值
参数
RF输入
LO输入
IF输入
工作温度
储存温度
价值
+15
+20
+15
-40至+85
-65到+150
单位
DBM
DBM
DBM
C
C
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
装置的电压和电流必须不超过最大工作
阿婷1页表中指定的值。
在SPM -1045混频器是一个MOSFET的基于高性能混合器设计为在高线性变频
美国蜂窝频带。该混频器功能的LO功率要求具有广泛的自由度。转换损耗几乎保持不变
之间10dBm的和LO功率17dBm的。三阶截取大约是成正比的LO驱动器。这意味着
这个混频器可以被用来代替各种各样的要求的各种LO功率混合器。该混频器采用非平衡变压器上
所有三个端口，因此每个端口提供了一个DC短路。
下面几页的图表说明了在各种工作条件下的SPM- 1045的性能。在
为了复制这些性能测试，请注意以下几点需要注意：
-The混合机应该看到，在所有端口通过使用绝缘器或衰减器良好的回波损耗。这是特别真实
因为这个端口的穷人回波损耗的LO端口。如果波纹是出现在一个频率扫描，这可能是由于反射
在有线导致对设备造成的电压驻波比变差。
谐波的振-The存在会引起变化的TOI 。
-BE意识到，许多不同的频率的信号在混频器的输出端的存在，并且任何一个都可能导致
频谱分析仪产生互调。
- 当测量TOI ，确保两台发电机供电的RF信号不互动，引起互调them-
的自我。
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初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
转换损耗与频率的关系，高端LO ，
下变频器
10
转换损耗
转换损耗
9
8
7
6
500
17dBm
14dBm
10dBm
10
9
8
7
6
500
17dBm
14dBm
10dBm
转换损耗。与频率，高边LO
上变频器
600
700
800
900
1000
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
RF频率， MHz的
转换损耗与频率，低端LO
下变频器
10
转换损耗
转换损耗
9
8
17dBm
14dBm
10dBm
7
6
500
11
10
9
8
转换损耗。与频率，低端LO
上变频器
17dBm
14dBm
10dBm
600
700
800
900
1000
7
500
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
RF频率， MHz的
转换损耗与LO功率，下变频器
LO = 750MHz的， RF = 850MHz的
LO = 850MHz的， RF = 750MHz的
转换损耗，分贝
10
转换损耗
转换损耗与LO功率，最高转换器
LO = 750MHz的， IF = 100MHz的
10
9
高端LO
低端LO
7
9
8
7
6
0
5
10
LO功率， dBm的
高端LO
低端LO
8
6
15
20
0
5
10
LO功率， dBm的
15
20
这些图表表明混合器转换损耗与频率的关系，与两个低端LO激励（射频下面LO频率频
昆西）和高侧励磁（ LO频率之上的RF频率） 。操作既作为降压转换器和一个向上
转换器被示出，以10 LO功率，14，和17dBm的。在所有情况下， IF频率为100MHz 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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EDS102960版本A
初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
三阶互调失真与频率的关系，高端LO
下变频器
40
输入TOI ， dBm的
输入TOI ， dBm的
35
三阶互调失真与频率的关系，高端LO
上变频器
35
17dBm
14dBm
30
10dBm
30
17dBm
14dBm
25
10dBm
25
500
600
700
800
900
1000
20
500
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
RF频率， MHz的
三阶互调失真与频率的关系，低端LO
下变频器
40
输入TOI ， dBm的
35
TOI ，与频率，低端LO
上变频器
输入TOI ， dBm的
35
17dBm
14dBm
30
10dBm
30
17dBm
14dBm
25
10dBm
25
500
600
700
800
900
1000
20
500
600
700
800
900
1000
RF频率， MHz的
FR频率， MHz的
TOI主场迎战LO功率，下变频器
LO = 750MHz的， RF = 850MHz的（低端）
LO = 850MHz的， RF = 750MHz的（高压侧）
40
35
TOI ， dBm的
30
低端LO
25
20
15
0
5
10
LO功率， dBm的
15
20
高端LO
TOI ， dBm的
40
35
30
25
20
15
0
TOI主场迎战LO功率，最高转换器
LO = 750MHz的， RF = 850MHz的
LO = 750MHz的， RF = 650MHz的
高端LO
低端LO
5
10
15
LO功率， dBm的
20
这些图表表明混合器三阶截取（ TOI）对频率参考混频器的输入端（即，参考
到的情况下关闭所述RF端口下变频器，或在上变频器的情况下， IF端口） ，与两个低端LO励磁
灰（ LO频率低于RF频率）和高侧励磁（ LO频率之上的RF频率） 。手术
既作为降压转换器和上转换器被示出，以10 LO功率，14，和17dBm的。在所有情况下，在IF频
昆西为100MHz 。测量三阶截取使用的RF功率为+ 0dBm的，除非情况下，超过TOI
为30dBm ，在这种情况下输入功率增加，使上述本底噪声的互调色调可见。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS102960版本A
初步数据表
SPM- 1045高线性度混频器
850
800
750
LO
700
频率。
兆赫
650
600
550
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
转换损耗，分贝
（向下转换器）
Plo=17dBm
9.5-10
9-9.5
8.5-9
8-8.5
7.5-8
7-7.5
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
850
825
（向上转换器）
800
Plo=17dBm
775
750
725
LO
700
频率。
9.5-10
675
兆赫
9-9.5
650
8.5-9
625
8-8.5
600
575
7.5-8
550
1400
转换损耗，分贝
7-7.5
RF频率。兆赫
RF频率。兆赫
850
800
750
输入截取， dBm的
（向下转换器）
Plo=17dBm
34-36
32-34
30-32
28-30
26-28
1000
1100
1200
1300
500
600
700
800
900
24-26
22-24
输入截取， dBm的
（向上转换器）
800
Plo=17dBm
850
750
LO
700
频率。
兆赫
650
600
14005
50
LO
700
频率。
兆赫
650
600
550
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
34-36
32-34
30-32
28-30
26-28
RF频率。兆赫
RF频率。兆赫
TOI与温度的关系
34
输入TOI ， dBm的
插入损耗
33
32
31
30
-50
9
8.5
8
7.5
7
-30
-10
10
30
50
70
90
-50
插入损耗与温度的关系
-30
-10
10
30
50
70
90
温度
温度
等高线图显示混频器输入三阶互调失真和转换损耗过各种RF和LO频率。这些轮廓
图可用于评估这些混频器的适用性在各种操作的频率。需要注意的是恒定的IF
频率曲线可以叠加作为对角线。还显示TOI和插入损耗与温度的曲线图。
这些曲线测量下变频器模式，具有750MHz的LO ， 850MHz的RF和LO 14dBm的功率。
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