【最终数据SPP20N60C3 ， SPB20N60C3SPI20N60C3 ， SPA20N60C3】,IC型号SPI20N60C3,SPI20N60C3 PDF资料,SPI20N60C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

最终数据

SPP20N60C3 ， SPB20N60C3

SPI20N60C3 ， SPA20N60C3

V

DS

@

T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

650

0.19

20.7

V

A

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

P-TO220-3-31

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

高的峰值电流能力

改进的跨导

P- TO- 220-3-31 ：完全隔离包（2500 VAC ， 1分钟）

TYPE

SPP20N60C3

SPB20N60C3

SPI20N60C3

SPA20N60C3

最大额定值

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

P-TO220-3-31

1

2

3

P-TO262-3-1

P-TO263-3-2

P-TO220-3-1

包

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

订购代码

Q67040-S4398

Q67040-S4397

Q67040-S4550

记号

20N60C3

P- TO220-3-31 Q67040 - S4410

符号

I

D

20.7

13.1

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

62.1

690

1

20

±20

±30

208

价值

SPP_B

SPP_B_I

SPA

单位

A

20.7

1)

13.1

1)

62.1

690

1

20

±20

±30

34.5

W

°C

A

V

A

mJ

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=10A,

V

DD

=50V

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

2)

I

D

=20A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

栅源电压静态

栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

-55...+150

第1页

2003-10-08

最终数据

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 480 V,

I

D

= 20.7 A,

T

j

= 125 °C

SPP20N60C3 ， SPB20N60C3

SPI20N60C3 ， SPA20N60C3

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 的情况下， FULLPAK

热阻，结 - 环境，含铅

热阻，结 - 环境， FULLPAK

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

3)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

4)

电气特性，

at

T

J = 25 ° C除非另有说明

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=20A

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=1000A,

V

GS = V DS

V

DS

=600V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJC_FP

R

thJA

R

thJA_FP

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

35

-

马克斯。

0.6

3.6

62

80

62

-

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

700

3

0.1

-

0.16

0.43

0.54

马克斯。

-

3.9

单位

V

600

-

2.1

-

A

1

100

0.19

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=30V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=13.1A

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-10-08

最终数据

电气特性

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

SPP20N60C3 ， SPB20N60C3

SPI20N60C3 ， SPA20N60C3

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=13.1A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

17.5

2400

780

50

83

160

10

马克斯。

-

单位

S

pF

有效输出电容，

5)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

6)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

=380V,

V

GS

=0/13V,

I

D

=20.7A,

R

G

=3.6,

T

j

=125

-

ns

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/13V,

I

D

=20.7A,

R

G

=3.6

-

5

67

4.5

-

100

12

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

-

11

33

87

5.5

-

114

-

nC

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=20.7A

V

只有最高温度1Limited

2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度

5

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

6

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-10-08

最终数据

电气特性

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.00769

0.015

0.029

0.114

0.136

0.059

T

j

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

SPP20N60C3 ， SPB20N60C3

SPI20N60C3 ， SPA20N60C3

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

500

11

70

1400

马克斯。

20.7

62.1

1.2

800

-

单位

A

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

-

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

=25°C

价值

SPP_B_I

SPA

0.00769

0.015

0.029

0.163

0.323

2.526

R

th1

单位

K / W

符号

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

R

日，正

T

例

价值

SPP_B_I

0.0003763

0.001411

0.001931

0.005297

0.012

0.091

SPA

0.0003763

0.001411

0.001931

0.005297

0.008453

0.412

单位

WS / K

xternal eatsink

T

上午B

第4页

2003-10-08

最终数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

240

SPP20N60C3

SPP20N60C3 ， SPB20N60C3

SPI20N60C3 ， SPA20N60C3

2功耗FULLPAK

P

合计

=

f

(T

C

)

35

W

200

180

25

P

合计

140

120

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100

120

P

合计

20

15

10

5

160

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

T

C

°C

160

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

4安全工作区FULLPAK

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C

10

2

A

10

1

10

1

I

D

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

TP = 10毫秒

DC

1

2

3

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

10

-2 0

10

V

DS

第5页

2003-10-08

V

DS

G

P-TO220-3-31

1

2

3

T

JMAX

G

FP

G

2

G-TO220

G

PG-TO262

G

FP SP000216354

C3

T

C

T

C

t

p

V

DD

T

JMAX

T

JMAX

V

DD

E

AR

T

JMAX

栅源电压静态

功耗，

T

C

= 25°C

反向二极管的dv / dt 7 ）

V

GS

V

GS

P

合计

dv / dt的

15

V / ns的

±

Rev.3.1

2009-02-19

V

DS

T

j

R

thJC

R

thJA

波峰焊接

V

（ BR ） DSS

V

GS

V

GS

,

V

DS

T

j

T

j

V

GS

V

GS

T

j

T

j

V

DS

V

GS

V

R

G

Rev.3.1

第2页

2009-02-19

3

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

≥

V

GS

f

V

DS

V

GS

V

DS

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

V

GS

T

j

5°C

R

G

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

t

r

t

D（关闭）

t

f

门源费

栅漏电荷

Q

gs

Q

gd

V

DD

V

DD

V

GS

V

DD

0J - STD20和JESD22

E

AR

f

C

OSS

C

OSS

V

DS

V

DS

7

我< = I ， DI / dt< = 400A / us的，V

SD

D

的dcLINK

=400V, V

PEAK

＆ LT ; V

BR ， DSS ，

T

j

＆ LT ;吨

， MAX

.

相同的低侧和高侧开关。

Rev.3.1

9-02-19

T

C

逆二极管直流，

脉冲

I

SM

V

GS

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

t

rr

Q

rr

I

RRM

V

R

di

F

/ DT

T

j

I

Rev.3.1.

9-02-19

3

T

C

P

合计

T

C

P

合计

P

合计

T

C

T

C

V

DS

T

C

10

2

T

C

A

10

1

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

10

-2 0

10

1

10

2

10

V

DS

3

V

DS

Rev.3.1

09-02-19