SPP11N65C3,SPA11N65C3
SPI11N65C3
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容，
4)
能源相关
有效输出电容，
5)
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=480V,
I
D
=11A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=480V,
I
D
=11A
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
8.3
1200
390
30
45
85
10
5
44
5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
70
9
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
5.5
22
45
5.5
-
-
60
-
nC
V
（高原）
V
DD
=480V,
I
D
=11A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
A R
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4
C
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
而
V
上升，从0至80％
V
O（ ER ）
OSS
DS
DSS
.
5
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
修订版2.9
第3页
2007-08-30
SPP11N65C3,SPA11N65C3
SPI11N65C3
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容，
4)
能源相关
有效输出电容，
5)
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=480V,
I
D
=11A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=480V,
I
D
=11A
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
8.3
1200
390
30
45
85
10
5
44
5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
70
9
-
-
-
-
-
-
单位
S
pF
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
-
-
-
-
5.5
22
45
5.5
-
-
60
-
nC
V
（高原）
V
DD
=480V,
I
D
=11A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
A R
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4
C
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
而
V
上升，从0至80％
V
O（ ER ）
OSS
DS
DSS
.
5
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
修订版2.91
第3页
2009-11-30
SPP11N65C3 ， SPA11N65C3
SPI11N65C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P-TO262-3-1
P-TO220-3-31
650
0.38
11
V
A
P-TO220-3-1
TYPE
SPP11N65C3
SPA11N65C3
SPI11N65C3
包
P-TO220-3-1
P-TO262-3-1
订购代码
Q67040-S4557
Q67040-S4561
记号
11N65C3
11N65C3
11N65C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4554
最大额定值
参数
符号
I
D
价值
SPP_I
SPA
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
A
11
7
11
1)
7
1)
33
340
0.6
4
±20
±
30
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
=2.5A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
33
340
0.6
4
±20
±
30
A
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
2)
I
D
=4A,
V
DD
=50V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
门源电压
A
V
W
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
125
33
工作和存储温度
T
j ,
T
英镑
-55...+150
°C
第1页
2003-08-15
SPP11N65C3 ， SPA11N65C3
SPI11N65C3
电气特性
参数
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
条件
分钟。
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
8.3
1200
390
30
45
85
10
5
44
5
-
-
-
-
-
-
-
-
70
9
S
pF
有效输出电容，
6)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
7)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=11A,
R
G
=6.8
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=11A
-
-
-
-
5.5
22
45
5.5
-
-
60
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=11A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=480V,
I
D
=11A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
= E * F。
AR
AV
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
220℃ ，回流：对于TO- 263 4Soldering温度
5HTRB @ 1000H ， 600V ，
T
JMAX
RESP 。加快HTRB @ 168小时， 600V ，
T
j
= 175°C
根据JEDEC A108 ， MIL -STD 750 / 1038-1040 ， 1042
6
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
7
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
第3页
2003-08-15
QQ：2880707522 复制
