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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1577页 > SPI07N60C3
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS ( ON)
I
D
PG-TO220FP
PG-TO262
650
0.6
7.3
PG-TO220
2
V
A
1
23
P-TO220-3-1
PG- TO- 220-3-31 ; -3-111 :全隔离封装( 2500 VAC , 1分钟)
TYPE
SPP07N60C3
PG-TO220-3
订购代码
Q67040-S4400
记号
07N60C3
07N60C3
07N60C3
SPI07N60C3
PG-TO262
Q67040-S4424
SPA07N60C3
PG-TO220FP
SP000216303
最大额定值
参数
符号
价值
SPP_I
SPA
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
7.3
4.6
7.3
1)
4.6
1)
脉冲漏极电流,
t
p
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
I
PULS
21.9
21.9
A
E
AS
E
AR
I
AR
230
0.5
230
0.5
mJ
雪崩能量,重复
t
AR
T
JMAX
2)
I
D
=7.3A,
V
DD
=50V
雪崩电流,重复性
t
AR
T
JMAX
栅源电压静态
7.3
7.3
A
V
GS
±20
±
30
±20
±
30
V
栅极 - 源极电压AC (F >1Hz )
功耗,
T
C
= 25°C
V
GS
P
合计
83
32
W
工作和存储温度
反向二极管的dv / dt
6)
启示录
3.2
第1页
T
j ,
T
英镑
dv / dt的
-55...+150
15
°C
V / ns的
2009-11-27
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
最大额定值
参数
符号
价值
单位
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 7.3 A,
T
j
= 125 °C
d
v
/d
t
50
V / ns的
热特性
参数
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
R
thJA
典型值。
马克斯。
单位
热阻,结 - 案
热阻,结 - 的情况下, FULLPAK
热阻,结 - 环境,含铅
热阻,结 - 环境, FULLPAK
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
1.5
3.9
62
80
62
-
K / W
焊接温度,
波峰焊接
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
T
出售
-
-
260
°C
电气特性,
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
符号
条件
参数
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
V
( BR ) DS
V
GS
=0V,
I
D
=7.3A
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS ( TH)
I
DSS
I
D
=350A,
V
GS = VDS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
典型值。
-
700
3
0.5
-
-
0.54
1.46
0.8
马克斯。
-
-
3.9
单位
V
600
-
2.1
-
-
-
-
-
-
A
1
100
100
0.6
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=30V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=4.6A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
启示录
3.2
第2页
2009-11-27
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
典型值。
6
790
260
16
30
55
6
3.5
60
7
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
100
15
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=4.6A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容,
4)
C
O( ER )
能源相关
有效输出电容,
5)
C
O( TR )
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/13V,
I
D
=7.3A,
R
G
=12
,
T
j
=125°C
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A
-
-
-
-
3
9.2
21
5.5
-
-
27
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A,
V
GS
= 0至10V
V
(高原)
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4
C
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
5
C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
6
我< = I , DI / dt< = 400A / us的,V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
& LT ; V
BR , DSS
, T
j
& LT ;吨
, MAX
.
相同的低侧和高侧开关。
启示录
3.2
第3页
2009-11-27
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
电气特性
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流,
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
典型的瞬态热特性
符号
SPP_I
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.024
0.046
0.085
0.308
0.317
0.112
T
j
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
条件
分钟。
T
C
=25°C
典型值。
-
-
1
400
4
28
800
马克斯。
7.3
21.9
1.2
600
-
-
-
-
-
单位
A
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=480V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
T
j
=25°C
价值
SPA
0.024
0.046
0.085
0.195
0.45
2.511
R
th1
单位
K / W
符号
SPP_I
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
R
日,正
T
价值
SPA
0.00012
0.0004578
0.000645
0.001867
0.007558
0.412
0.00012
0.0004578
0.000645
0.001867
0.004795
0.045
单位
WS / K
xternal eatsink
P
合计
(t)
C
th1
C
th2
C
日,正
T
上午B
启示录
3.2
第4页
2009-11-27
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
100
SPP07N60C3
2功耗FULLPAK
P
合计
=
f
(
T
C
)
34
W
W
80
70
28
24
P
合计
60
50
40
P
合计
°C
20
16
12
30
20
10
0
0
8
4
0
0
20
40
60
80
100
120
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
4安全工作区FULLPAK
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
2
A
A
10
1
10
1
I
D
10
0
I
D
10
0
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
1
2
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
V
V
DS
3
10
-2 0
10
10
10
10
V
V
DS
启示录
3.2
第5页
2009-11-27
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS ( ON)
I
D
PG-TO220FP
PG-TO262
650
0.6
7.3
PG-TO220
2
V
A
1
23
P-TO220-3-1
PG- TO- 220-3-31 ; -3-111 :全隔离封装( 2500 VAC , 1分钟)
TYPE
SPP07N60C3
PG-TO220-3
订购代码
Q67040-S4400
记号
07N60C3
07N60C3
07N60C3
SPI07N60C3
PG-TO262
Q67040-S4424
SPA07N60C3
PG-TO220FP
SP000216303
最大额定值
参数
符号
价值
SPP_I
SPA
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
7.3
4.6
7.3
1)
4.6
1)
脉冲漏极电流,
t
p
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
I
D
PULS
21.9
21.9
A
E
AS
E
AR
I
AR
230
0.5
230
0.5
mJ
雪崩能量,重复
t
AR
T
JMAX
2)
I
D
=7.3A,
V
DD
=50V
雪崩电流,重复性
t
AR
T
JMAX
栅源电压静态
7.3
7.3
A
V
GS
±20
±
30
±20
±
30
V
栅极 - 源极电压AC (F >1Hz )
功耗,
T
C
= 25°C
V
GS
P
合计
83
32
W
工作和存储温度
反向二极管的dv / dt
6)
启示录
3.1
第1页
T
j
,
T
英镑
dv / dt的
-55...+150
15
°C
V / ns的
2007-08-30
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
最大额定值
参数
符号
价值
单位
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 7.3 A,
T
j
= 125 °C
d
v
/d
t
50
V / ns的
热特性
参数
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
R
thJA
典型值。
马克斯。
单位
热阻,结 - 案
热阻,结 - 的情况下, FULLPAK
热阻,结 - 环境,含铅
热阻,结 - 环境, FULLPAK
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
1.5
3.9
62
80
62
-
K / W
焊接温度,
波峰焊接
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
T
出售
-
-
260
°C
电气特性,
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
V
( BR ) DS
V
GS
=0V,
I
D
=7.3A
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS ( TH)
I
DSS
I
D
=350A,
V
GS = VDS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
典型值。
-
700
3
0.5
-
-
0.54
1.46
0.8
马克斯。
-
-
3.9
单位
V
600
-
2.1
-
-
-
-
-
-
A
1
100
100
0.6
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=30V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=4.6A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
启示录
3.1
第2页
2007-08-30
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
典型值。
6
790
260
16
30
55
6
3.5
60
7
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
100
15
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=4.6A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容,
4)
C
O( ER )
能源相关
有效输出电容,
5)
C
O( TR )
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/13V,
I
D
=7.3A,
R
G
=12
,
T
j
=125°C
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A
-
-
-
-
3
9.2
21
5.5
-
-
27
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A,
V
GS
= 0至10V
V
(高原)
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4
C
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
5
C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
6
我< = I , DI / dt< = 400A / us的,V
SD
D
的dcLINK
=400V, V
PEAK
& LT ; V
BR , DSS
, T
j
& LT ;吨
, MAX
.
相同的低侧和高侧开关。
启示录
3.1
第3页
2007-08-30
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
电气特性
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流,
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
典型的瞬态热特性
符号
SPP_I
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.024
0.046
0.085
0.308
0.317
0.112
T
j
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
条件
分钟。
T
C
=25°C
典型值。
-
-
1
400
4
28
800
马克斯。
7.3
21.9
1.2
600
-
-
-
-
-
单位
A
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=480V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
T
j
=25°C
价值
SPA
0.024
0.046
0.085
0.195
0.45
2.511
R
th1
单位
K / W
符号
SPP_I
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
R
日,正
T
价值
SPA
0.00012
0.0004578
0.000645
0.001867
0.007558
0.412
0.00012
0.0004578
0.000645
0.001867
0.004795
0.045
单位
WS / K
xternal eatsink
P
合计
(t)
C
th1
C
th2
C
日,正
T
上午B
启示录
3.1
第4页
2007-08-30
SPP07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
100
SPP07N60C3
2功耗FULLPAK
P
合计
=
f
(
T
C
)
34
W
W
80
70
28
24
P
合计
60
50
40
P
合计
°C
20
16
12
30
20
10
0
0
8
4
0
0
20
40
60
80
100
120
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
4安全工作区FULLPAK
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
2
A
A
10
1
10
1
I
D
10
0
I
D
10
0
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
1
2
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
V
V
DS
3
10
-2 0
10
10
10
10
V
V
DS
启示录
3.1
第5页
2007-08-30
SPP07N60C3 , SPB07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
高的峰值电流能力
改进的跨导
P-TO220-3-31
1
2
3
V
DS
@
T
JMAX
R
DS ( ON)
I
D
P-TO262-3-1
P-TO263-3-2
650
0.6
7.3
V
A
P-TO220-3-31
P-TO220-3-1
2
1
P-TO220-3-1
23
P- TO- 220-3-31 :完全隔离包(2500 VAC , 1分钟)
TYPE
SPP07N60C3
SPB07N60C3
SPI07N60C3
SPA07N60C3
最大额定值
参数
P-TO220-3-1
P-TO263-3-2
P-TO262-3-1
订购代码
Q67040-S4400
Q67040-S4394
Q67040-S4424
记号
07N60C3
07N60C3
07N60C3
07N60C3
P- TO220-3-31 Q67040 - S4409
符号
I
D
价值
SPP_B_I
SPA
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
A
7.3
4.6
7.3
1)
4.6
1)
21.9
230
0.5
7.3
±20
±
30
脉冲漏极电流,
t
p
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
I
PULS
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
V
GS
P
合计
21.9
230
0.5
7.3
±20
±
30
A
mJ
雪崩能量,重复
t
AR
T
JMAX
2)
I
D
=7.3A,
V
DD
=50V
雪崩电流,重复性
t
AR
T
JMAX
栅源电压静态
A
V
W
栅极 - 源极电压AC (F >1Hz )
功耗,
T
C
= 25°C
83
32
工作和存储温度
T
j ,
T
英镑
-55...+150
°C
2.1版
第1页
2004-04-07
SPP07N60C3 , SPB07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
最大额定值
参数
符号
价值
单位
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 7.3 A,
T
j
= 125 °C
d
v
/d
t
50
V / ns的
热特性
参数
符号
分钟。
R
thJC
R
thJC_FP
R
thJA
R
thJA_FP
R
thJA
典型值。
马克斯。
单位
热阻,结 - 案
热阻,结 - 的情况下, FULLPAK
热阻,结 - 环境,含铅
热阻,结 - 环境, FULLPAK
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
1.5
3.9
62
80
62
-
K / W
焊接温度,
从案例10秒1.6毫米( 0.063英寸)
T
出售
-
-
260
°C
电气特性,
at
T
J = 25 ° C除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
V
( BR ) DS
V
GS
=0V,
I
D
=7.3A
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS ( TH)
I
DSS
I
D
=350A,
V
GS = VDS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
典型值。
-
700
3
0.5
-
-
0.54
1.46
0.8
马克斯。
-
-
3.9
单位
V
600
-
2.1
-
-
-
-
-
-
A
1
100
100
0.6
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=30V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=4.6A
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
2.1版
第2页
2004-04-07
SPP07N60C3 , SPB07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
典型值。
6
790
260
16
30
55
6
3.5
60
7
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
100
15
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=4.6A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
-
-
-
-
-
-
S
pF
有效输出电容,
4)
C
O( ER )
能源相关
有效输出电容,
5)
C
O( TR )
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=380V,
V
GS
=0/13V,
I
D
=7.3A,
R
G
=12
,
T
j
=125°C
-
-
-
-
ns
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A
-
-
-
-
3
9.2
21
5.5
-
-
27
-
nC
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A,
V
GS
= 0至10V
V
(高原)
V
DD
=480V,
I
D
=7.3A
V
只有最高温度1Limited
2Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm (一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
4
C
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
5
C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间作为
C
OSS
V
DS
上升,从0至80%
V
DSS
.
2.1版
第3页
2004-04-07
SPP07N60C3 , SPB07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
电气特性
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流,
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
秋天反向峰值速率
恢复电流
典型的瞬态热特性
符号
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.024
0.046
0.085
0.308
0.317
0.112
T
j
P
合计
(t)
C
th1
C
th2
C
日,正
T
上午B
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
di
rr
/ DT
条件
分钟。
T
C
=25°C
典型值。
-
-
1
400
4
28
800
马克斯。
7.3
21.9
1.2
600
-
-
-
-
-
单位
A
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=480V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
-
-
V
ns
C
A
A / μs的
T
j
=25°C
价值
SPP_B_I
SPA
0.024
0.046
0.085
0.195
0.45
2.511
R
th1
单位
K / W
符号
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
R
日,正
T
价值
SPP_B_I
0.00012
0.0004578
0.000645
0.001867
0.004795
0.045
SPA
0.00012
0.0004578
0.000645
0.001867
0.007558
0.412
单位
WS / K
xternal eatsink
2.1版
第4页
2004-04-07
SPP07N60C3 , SPB07N60C3
SPI07N60C3 , SPA07N60C3
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
100
SPP07N60C3
2功耗FULLPAK
P
合计
=
f
(
T
C
)
34
W
W
80
70
28
24
P
合计
60
50
40
P
合计
°C
20
16
12
30
20
10
0
0
8
4
0
0
20
40
60
80
100
120
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
4安全工作区FULLPAK
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0,
T
C
= 25°C
10
2
A
A
10
1
10
1
I
D
10
0
I
D
10
0
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
10
-1
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
1
2
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
V
V
DS
3
10
-2 0
10
10
10
10
V
V
DS
2.1版
第5页
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPI07N60C3
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
SPI07N60C3
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SPI07N60C3
Infineon Technologies
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代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
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INFINEON
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联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
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INFINEON
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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INFINEON
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联系人:郑
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INFINEON/英飞凌
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原装正品,价优
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联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
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SPI07N60C3
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