SPF-3143Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SPF - 3143Z是一款高性能0.5微米pHEMT制
砷化镓场效应管。这600μm的器件非常偏置电压为3V ， 20毫安
对于最低噪声性能和电池供电的要求。在
5V ， 40毫安器件可提供32.5 dBm的OIP3 。它提供了理想的
性能在许多商业和工业的LNA一个驱动级
应用程序。
在Sirenza的无铅封装的雾锡涂层采用了退火后
过程中，以减轻锡须的形成和每欧盟RoHS标准
指令2002/95 。这个包还生产绿色成型
含有三氧化锑无卤化，也没有阻燃剂的化合物。
典型的增益性能
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
低噪声pHEMT制的GaAs FET
产品特点
提供无铅，符合RoHS标准，绿色&
包装
DC - 3.5 GHz的操作
0.58分贝NF
民
@ 2 GHz的
21分贝摹
最大
@ 2 GHz的
+31 dBm的OIP3 （ 5V ， 40毫安）
17.7 dBm的P1dB为（ 5V ， 40毫安）
低电流，低成本
适用于关键应用频段电路
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5V 40毫安
增益Gmax的（ dB）的
3V 20毫安
GMAX
收益
应用
模拟和数字无线系统
3G ，蜂窝， PCS
固定无线，传呼系统
针对低功耗应用驱动阶段
2
4
频率（GHz ）
6
8
10
测试条件
符号
参数
V
DS
= 5V ，我
DQ
= 40毫安， 25C
（除非另有说明）
单位
测试频率
（千兆赫）
分钟。
典型值。
马克斯。
G
最大
NF
民
S
21
NF
收益
OIP
3
P
1dB
V
P
I
DSS
g
m
BVgso
BVGDO
V
DS
I
DS
R
TH
J-升
最大可用增益
最小噪声科幻gure
插入增益
噪声系数
收益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
夹断电压
饱和漏极电流
跨
栅源击穿电压
栅极 - 漏极击穿电压
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结 - 铅）
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
*
Z
S
=Z
L
=50Ω
应用电路
应用电路
应用电路，
音频间隔= 1MHz时，
每个音噘嘴= 0 dBm的
应用电路
V
DS
= 2V ，我
DS
- 0.6毫安
V
DS
= 2V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2V, V
GS
= 0 V
I
GS
= 300
μA,
开漏
I
GD
= 300
μA,
源代码开放
漏源
漏源
交界处领导
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
0.9
1.9
0.9
1.9
0.9
1.9
1.9
1.9
1.9
18.2
14.1
30.5
19.0
-1.4
23.3
19.9
0.36
0.58
19.7
0.8
15.6
32.5
20.5
-1.0
180
210
-10
-12
21.2
1.0
17.1
V
mA
mS
V
V
V
mA
° C / W
-0.6
-7
-7
5.5
38
40
200
42
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EDS - 103162 C版本
1
SPF- 3143Z低噪声pHEMT制的GaAs FET
结温的计算
平均无故障时间成反比的器件结
温度。对于结点温度和平均无故障时间consid-
操作设备的运行条件也应
满足下面的表达式：
P
DC
< （T
J
- T
L
) / R
TH
其中：
P
DC
= I
DS
* V
DS
(W)
T
J
=结温（ C）
T
L
=焊接温度（引脚2） （ C）
R
TH
=热阻（ ℃/ W）
绝对最大额定值
参数
漏电流
正向栅电流
反向栅电流
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
RF输入功率
存储温度范围
功耗
结温
符号
I
DSS
I
GSF
I
GSR
V
DS
V
GS
P
IN
T
STOR
P
DISS
T
J
价值
180
600
600
7
<-3或>0
15
-40到+150
325
+150
单位
mA
μ
A
μ
A
V
V
分贝米
C
mW
C
偏详细
在SPF - 3143Z是耗尽型场效应晶体管，并且需要
负栅极电压达到夹断。因此，功率
电源排序电路，强烈推荐
防止有害的偏见瞬态导通期间。活跃
偏置电路，还建议以保持恒定的
漏电流从部件到部件。
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不得超过规定的最大工作值
表第1页。
峰值RF性能在最佳配套条件
频率
（千兆赫）
0.90
1.90
[1]
[2]
V
DS
(V)
3
5
3
5
I
DQ
（MA ）
20
40
20
40
NF
MIN [ 1 ]
（ dB）的
0.25
0.36
0.50
0.58
GMAX
（ dB）的
21.5
23.3
18.3
19.1
P1dB
[2]
（ dBm的）
15
18
15
18
OIP3
[3]
（ dBm的）
29
31
29
31
Z
SOPT
S
G
D
Z
LOPT
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
*，输入匹配电路的损失已被解除emebedded 。
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
，其中Z
SOPT
和Z
LOPT
已调整为最大的P1dB
[3]
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
，其中Z
SOPT
和Z
LOPT
已调整为最大值OIP3
注意：最优的NF ，P1dB和OIP3性能不能同时实现。
典型性能 - 噪声参数
频率
（千兆赫）
0.90
1.90
[4]
V
DS
(V)
3
5
3
5
I
DS
（MA ）
20
40
20
40
NF
MIN [ 4 ]
（ dB）的
0.25
0.36
0.50
0.58
Γ
选择
MAG
∠
昂
0.70
∠
12.1
0.66
∠
12.6
0.46
∠
26.4
0.38
∠
28.1
r
N
0.14
0.14
0.13
0.13
GMAX
（ dB）的
21.5
23.3
18.3
19.1
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
* ， NF
民
对于其中输入匹配电路的损失已经解除emebedded的噪声参数。该装置是
安装在0.010 “ PCB与镀通孔靠近引脚2和4 。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。一流的ESD额定值1B 。
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
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2
SPF- 3143Z低噪声pHEMT制的GaAs FET
引脚说明
针＃
1
2
3
4
产品型号订购信息
产品型号
SPF-3143Z
卷SIZ ê
7"
设备/卷
3000
功能
门
来源
漏
来源
RF输入/栅极偏置
描述
连接到地。通孔，以减少铅的使用
电感。放置过孔接近地面会导致越好。
RF输出/漏极偏置
无连接/推荐接地引脚
部分符号化
该部分将与“ F31Z ”来象征
标志和一个点标志着针1的顶部
包装的表面上。
引脚名称
4
3
推荐的PCB布局
SOT-343
包
1
2
电镀通
孔
（ 0.020" DIA ）
地
飞机
使用位于多个镀通孔孔
靠近封装管脚，以确保良好的射频
地连接到一个连续的接地面
在电路板的背面。
D
e
e
包装尺寸
L
HE
C
L
F31Z
C
L
E
符号
E
喃
1.25
2.05
2.10
1.05
0.90
0.05
0.25
0.65
0.375
0.675
0.14
0.20
Q1
b1
C
D
HE
A
A2
A1
b
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.尺寸是包容性电镀。
3.尺寸是唯一的毛边的
&金属毛刺。
4.所有规格都符合EIAJ SC70 。
5. DIE朝上模具及朝下
FOR TRIM / FORM 。即：反向TRIM / FORM 。
6.包装表面是镜面。
Q1
e
b
b1
c
L
A2
A1
A
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