初步
产品说明
Sirenza的Microdevices的SPF - 3043是一款高性能
0.25微米的pHEMT砷化镓场效应管。这300μm的设备
理想的偏置电压为3V ， 20mA小于最低噪声性能和
电池供电的要求。在5V ， 40毫安该设备可以
提供32dBm的OIP3的。它提供了理想的性能为
在许多商业和工业的LNA驱动级
应用程序。
典型的增益性能
35
30
25
20
15
3V,20mA
5V,40mA
SPF-3043
低噪声pHEMT制的GaAs FET
待定过时
最后一次购买日期： 2003年12月19日
产品特点
DC-10 GHz的操作
0.5分贝NF
民
@ 2 GHz的
22分贝摹
最大
@ 2 GHz的
+32 dBm的OIP3 （ 5V ， 40毫安）
+20 dBm的P1dB为（ 5V ， 40毫安）
低电流，低成本
可关键频段的应用程序电路
增益Gmax的（ dB）的
GMAX
收益
10
5
0
2
4
6
8
10
应用
模拟和数字无线系统
3G ，蜂窝， PCS
固定无线，传呼系统
针对低功耗应用驱动阶段
TEST
频率
0.9 GHz的
1.9 GHz的
0.9 GHz的
1.9 GHz的
0.9 GHz的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
1.9 GHz的
ü尼特
分钟。
典型值。
26.5
23.4
0.32
0.54
18.5
20.0
1.05
14.0
26.0
15.0
-1.1
30
90
15.3
28.5
17.0
-0.8
60
150
-10
-10
150
5.5
55
-8
-8
-0.5
120
21.5
1.40
马克斯。
频率（GHz ）
符号
evice极特
试验C onditions
V
DS
= 5V ，我
DQ
= 40毫安， 25C
（除非otherw ISE说明）
G
最大
NF
民
S
21
NF
盖
OIP
3
P
1dB
V
P
I
DSS
g
m
BV
GSO
BV
GDO
RTH
V
DS
I
DS
马克西妈妈阿瓦伊拉布勒盖
咪妮妈妈河内本身连接gure
Inserti上改
[1]
降噪器连接gure
盖
[2]
输出氏三阶截POI NT
[2]
在POI NT输出1分贝 ompressi
[2]
皮nchoff电压
[1]
[2]
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
*
Z
S
=Z
L
= 50
基于C LNA APPLI CATI我rcui吨董事会
基于C LNA APPLI CATI我rcui吨董事会
基于C LNA APPLI CATI我rcui吨董事会
基于C LNA APPLI CATI我rcui吨董事会
V
DS
= 2V ，我
DS
- 0.1毫安
V
DS
= 2V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2V, V
GS
= 0 V
[1]
dB
dB
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
V
mA
mS
V
V
° C / W
V
mA
饱和 RAI N c个光凭目前
[1]
跨
[1]
栅源击穿电压
门-D RAI 击穿电压
热RESI立场
操作，实际电压NG
操作，实际NG光凭目前
[1]
I
GS
= 0.03毫安，的DraI N打开
I
GD
= 0.03毫安，源代码开放
juncti上对铅
的DraⅠ正源
的DraⅠ正源
[1] 100 ％测试 - 直流参数测试晶圆上，最终生产测试过程中使用的是50欧姆接触板（无匹配电路），插入增益测试。
[ 2 ]测试样品 - 样品每片/包很多拉。样品测试规范是基于来自全国5片， 3片地段500设备的统计数据。该
测试固定装置是一种工程应用电路基板（部分向下压在电路板上） 。应用电路表示的最优噪声之间的折衷
匹配和输入回波损耗。
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件不
授权或保证任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2004 Sirenza的Microdevices公司，公司全球版权所有。
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EDS - 101772版D
1
初步
待定过时
结温的计算
平均无故障时间成反比的器件结
温度。对于结点温度和平均无故障时间consid-
操作设备的运行条件也应
满足下面的表达式：
P
DC
< （T
J
- T
L
) / R
TH
其中：
P
DC
= I
DS
* V
DS
(W)
T
J
=结温（ C）
T
L
=焊接温度（引脚2） （ C）
R
TH
=热阻（ ℃/ W）
SPF- 3043低噪声pHEMT制的GaAs FET
绝对最大额定值
参数
漏电流
正向栅电流
反向栅电流
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
RF输入功率
存储温度范围
符号
I
DS
I
GSF
I
GSR
V
DS
V
GS
P
IN
T
STOR
P
DISS
T
J
价值
60
30
30
7
<-3或>0
15
-40到+150
420
+150
单位
mA
A
A
V
V
分贝米
C
mW
C
偏详细
在SPF - 3043是一个耗尽型场效应晶体管，并且需要
负栅极电压达到夹断。因此，功率
电源排序电路，强烈推荐
防止有害的偏见瞬态导通期间。活跃
偏置电路，还建议以保持恒定的
漏电流从部件到部件。
功耗
结温
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备的电压
和电流不得超过规定的最大工作值
表第1页。
典型表现 - 工程应用电路（见应用笔记AN- 043 ）
频率V
DS
（GH z）的（V）的
0.90
0.90
1.90
1.90
2.14
2.45
5.50
[3]
I
DQ
NF
（毫安） （分贝）
40
80
40
80
40
40
40
1.00
0.75
1.05
0.95
1.80
1.25
1.30
收益
（ dB）的
19.3
23.3
15.3
20.0
15.3
14.9
15.5
P1dB的OIP3
[3]
S11 S22
onfiguration
（分贝米）（分贝米）（分贝）（ dB）的
19.0
19.9
17.0
23.0
18.5
18.5
18.0
29.0
30.0
28.5
32.5
30.0
27.5
29.0
-10
-20
-10
-20
-20
-15
-18
-15
-20
-15
-20
-8
-18
-18
均衡
均衡
omments
5
5
5
5
5
5
5
思ngle端
0.85-0.96 GHz的，双电源
0.8-1.0 GHz的，双电源
思ngle端
1.8-2.0 GHz的，双电源
1.8-2.0 GHz的，双电源
思ngle端
2.1-2.2 GHz的，双电源
思ngle端
2.4-2.5 GHz的，双电源
思ngle端
5.1-5.9 GHz的，双电源
P
OUT
=每基调为0 dBm ， 1MHz的音调间隔
请参考应用笔记额外的RF数据， PCB布局，物料清单，偏置指令，以及其他关键
需要考虑的问题。有关最新的应用笔记，请访问我们的网站www.sirenza.com 。
峰值RF性能在最佳配套条件
频率
（千兆赫）
0.90
1.90
[4]
[5]
V
DS
(V)
3
5
3
5
I
DQ
（MA ）
20
40
20
40
NF
MIN [ 4 ]
（ dB）的
0.25
0.32
0.50
0.54
GMAX
（ dB）的
25.5
26.5
22.4
23.3
P1dB
[5]
（ dBm的）
15.5
20.0
15.5
20.0
OIP3
[6]
（ dBm的）
29
32
29
32
Z
SOPT
S
G
D
Z
LOPT
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
*，输入匹配电路的损失已被解除emebedded 。
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
，其中Z
SOPT
和Z
LOPT
已调整为最大的P1dB
[6]
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
，其中Z
SOPT
和Z
LOPT
已调整为最大值OIP3
注意：最优的NF ，P1dB和OIP3性能不能同时实现。
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2
初步
待定过时
SPF- 3043低噪声pHEMT制的GaAs FET
典型性能 - 德 - 嵌入式S参数
增益与频率（ 3V ， 20mA）的
35
0
隔离
增益与频率（ 5V ， 40毫安）
35
0
隔离
增益Gmax的（ dB）的
增益Gmax的（ dB）的
30
25
20
15
10
5
0
2
4
-10
30
25
20
15
10
5
0
2
4
-10
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-20
GMAX
收益
-20
GMAX
收益
-30
-40
-50
-60
-30
-40
-50
-60
6
8
10
6
8
10
频率（GHz ）
S11 ， S22与频率（ 3V ， 20mA）的
1.0
0.5
2.0
频率（GHz ）
S11 ， S22与频率（ 5V ， 40毫安）
1.0
0.5
2.0
0.2
S11
10 GHz的
8 GHz的
5.0
0.2
S11
10 GHz的
8 GHz的
5.0
0.0
0.2
0.5
S22
1.0
2.0
5.0
INF
0.0
0.2
0.5
S22
1.0
2.0
5.0
INF
6 GHz的
0.2
1 GHz的
2 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
6 GHz的
5.0
0.2
1 GHz的
2 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
5.0
0.5
2.0
0.5
2.0
1.0
1.0
注意： S参数去嵌入到设备导致以Z
S
=Z
L
= 50Ω 。该装置安装在0.010 “ PCB与镀通
孔靠近引脚2和4去嵌入S参数可以从我们的网站（ www.sirenza.com ）下载。
典型性能 - 噪声参数
频率
（ GH z）
0.90
1.90
[7]
V
DS
(V)
3
5
3
5
I
DS
（MA ）
20
40
20
40
N·
MIN [ 7 ]
（ dB）的
0.25
0.32
0.50
0.54
Γ
选择
MAG
∠
昂
0.79
∠
12
0.75
∠
12
0.62
∠
34
0.62
∠
33
r
N
0.22
0.25
0.19
0.20
GMAX
（ dB）的
25.5
26.5
22.4
23.3
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
* ， NF
民
对于其中输入匹配电路的损失已经解除emebedded的噪声参数。噪音
参数使用Maury Microwave公司的自动调谐系统测量。将该装置安装在一个0.010 “的PCB与plated-
通孔靠近引脚2和4 。
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3
初步
待定过时
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
SPF- 3043低噪声pHEMT制的GaAs FET
引脚说明
针＃
1
2
3
4
产品型号订购信息
产品型号
SPF-3043
卷SIZ ê
7"
设备/卷
3000
功能
门
来源
漏
来源
RF输入/栅极偏置
描述
连接到地。通孔，以减少铅的使用
电感。放置过孔接近地面会导致越好。
RF输出/漏极偏置
相同引脚2
部分符号化
该部分将与“F3”被象征
标志和一个点标志着针1的顶部
包装的表面上。
引脚名称
4
3
推荐的PCB布局
SOT-343
包
1
2
电镀通
孔
（ 0.020" DIA ）
地
飞机
使用位于多个镀通孔孔
靠近封装管脚，以确保良好的射频
地连接到一个连续的接地面
在电路板的背面。
D
e
e
包装尺寸
L
HE
C
L
F3
C
L
E
符号
E
民
1.15
1.85
1.80
0.80
0.80
0.00
0.10
最大
1.35
2.25
2.40
1.10
1.00
0.10
0.40
Q1
b1
C
D
HE
A
A2
A1
b
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.尺寸是包容性电镀。
3.尺寸是唯一的毛边的
&金属毛刺。
4.所有规格都符合EIAJ SC70 。
5. DIE朝上模具及朝下
FOR TRIM / FORM 。即：反向TRIM / FORM 。
6.包装表面是镜面。
Q1
e
b
b1
c
L
0.65 BSC
0.25
0.55
0.10
0.10
0.40
0.70
0.18
0.30
A2
A1
A
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4
初步
初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SPF - 3043是一款高性能
0.25微米的pHEMT砷化镓场效应管。这300μm的设备
理想的偏置电压为3V ， 20mA小于最低噪声性能和
电池供电的要求。在5V ， 40毫安设备
可提供32dBm的卓越的OIP3 。它提供了理想的
表现为在许多商业一个驱动级和
工业LNA应用。
SPF-3043
低噪声pHEMT制的GaAs FET
2001年资格待定四月
产品特点
35
增益Gmax的（ dB）的
典型的增益性能
3V,20mA
5V,40mA
30
25
20
15
10
5
0
2
GMAX
收益
DC - 10 GHz的操作
超低NF ：
0.25分贝@ 1 GHz的
0.50分贝@ 2 GHz的
高副教授。增益：
25分贝@ 1 GHz的
22分贝@ 2 GHz的
低电流消耗NFopt （ 3V ， 20mA）的
+32 dBm的OIP3 ， + 20dBm的P1dB为（ 5V ， 40毫安）
低成本高性能的pHEMT
应用
LNA的无线基础设施
8
10
4
6
频率（GHz ）
固定无线基础设施
无线数据
低功耗应用驱动阶段
符号
G
最大
S
21
NF
民
P 1分贝
OIP
3
V
P
I
DSS
g
mp
BV
GSO
BV
GDO
RTH
器件特性， T = 25℃
V
DS
= 3V ，我
DS
= 20mA下（除非otherw ISE说明）
最大可用增益
Z
S
=Z
S
*, Z
L
=Z
L
*
插入增益
Z
S
=Z
L
=50
最小噪声科幻gure
Z
S
=Γ
选择
, Z
L
=Z
L
*
输出1 dB压缩点
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
输出三阶截点
Z
S
=Z
SOPT
, Z
L
=Z
LOPT
夹断电压
饱和漏极电流
峰值跨导
栅极 - 源极击穿电压
栅极 - 漏极耐压
热阻（结带领）
F = 0.9 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 1.9 GHz的
V
DS
= 3V ，我
DS
= 20毫安
V
DS
= 5V ，我
DS
= 40毫安
V
DS
= 3V ，我
DS
= 20毫安
V
DS
= 5V ，我
DS
= 40毫安
V
DS
= 2V ，我
DS
- 0.1毫安
V
DS
= 2V, V
GS
= 0V
V
DS
= 2V, V
GS
@ g
mp
I
G
= 0.03毫安
开漏，源极接地
I
G
= 0.03毫安
源代码开放，接地漏
单位
dB
dB
dB
分贝米
分贝米
V
mA
mS
V
V
摄氏度/ W
分钟。
典型值。
25.5
22.4
18.5
18.0
0.25
0.50
15.5
20
29
32
马克斯。
-1.1
45
100
-0.8
67.5
150
-10
-10
150
-0.5
100
-8
-8
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有2001年斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
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EDS- 101772版本A
1
初步
SPF- 3043低噪声pHEMT制的GaAs FET
典型性能
增益与频率（ 3V ， 20mA）的
35
0
隔离
增益与频率（ 5V ， 40毫安）
35
0
隔离
增益Gmax的（ dB）的
增益Gmax的（ dB）的
30
25
20
15
10
5
0
2
4
-10
30
25
20
15
10
5
0
2
4
-10
隔离度（dB ）
隔离度（dB ）
-20
GMAX
收益
-20
GMAX
收益
-30
-40
-50
-60
-30
-40
-50
-60
6
8
10
6
8
10
频率（GHz ）
S11 ， S22与频率（ 3V ， 20mA）的
1.0
0.5
2.0
频率（GHz ）
S11 ， S22与频率（ 5V ， 40毫安）
1.0
0.5
2.0
0.2
S11
10 GHz的
8 GHz的
5.0
0.2
S11
10 GHz的
8 GHz的
5.0
0.0
0.2
0.5
S22
1.0
2.0
5.0
INF
0.0
0.2
0.5
S22
1.0
2.0
5.0
INF
6 GHz的
0.2
1 GHz的
2 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
6 GHz的
5.0
0.2
1 GHz的
2 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
5.0
0.5
2.0
0.5
2.0
1.0
1.0
注意： S参数去嵌入到设备导致以Z
S
=Z
L
= 50Ω 。该数据表示该装置的典型的服务表现。 DE-
内置S参数可以从我们的网站下载（ www.stanfordmicro.com ） 。
典型性能
频率
（兆赫）
900
1900
V
DS
(V)
3
5
3
5
I
DS
（MA ）
20
40
20
40
FMIN
（ dB）的
0.25
0.32
0.50
0.54
Γ
选择
MAG
∠
昂
0.79
∠
12
0.75
∠
12
0.62
∠
34
0.62
∠
33
r
N
0.22
0.25
0.19
0.20
GMAX
（ dB）的
25.5
26.5
22.4
23.3
P维B
（ dBm的）
15.5
20.0
15.5
20.0
OIP3
（ dBm的）
29
32
29
32
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS- 101772版本A
2
绝对最大额定值
参数
漏电流
正向栅电流
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
RF输入功率
工作温度
存储温度范围
功耗
工作结温
符号
I
DS
I
GS
V
DS
V
GS
P
IN
T
OP
T
STOR
P
DISS
T
J
价值
150
2
7
-3
15
-40至+85
-40到+150
430
+150
单位
mA
mA
V
V
分贝米
C
C
mW
C
初步
SPF- 3043低噪声pHEMT制的GaAs FET
产品型号订购信息
产品型号
SPF-3043
卷SIZ ê
7"
设备/卷
3000
部分符号化
该部分将与“F3 ”和一个被符号化
针上的包装件的顶表面1的指标。
引脚说明
针＃
1
2
3
4
功能
门
GND &来源
漏
GND &来源
RF输入
描述
连接到地。通孔，以减少铅的使用
电感。放置过孔接近地面会导致越好。
RF输出
相同引脚2
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施，并
测试设备必须遵守。
4
3
D
e
e
包装尺寸
1
2
L
HE
C
L
F3
C
L
E
符号
E
民
1.15
1.85
1.80
0.80
0.80
0.00
0.10
最大
1.35
2.25
2.40
1.10
1.00
0.10
0.40
Q1
b1
C
D
HE
A
A2
A1
b
注意：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.尺寸是包容性电镀。
3.尺寸是唯一的毛边的
&金属毛刺。
4.所有规格都符合EIAJ SC70 。
5. DIE朝上模具及朝下
FOR TRIM / FORM 。即：反向TRIM / FORM 。
6.包装表面是镜面。
Q1
e
b
b1
c
L
0.65 BSC
0.25
0.55
0.10
0.10
0.40
0.70
0.18
0.30
A2
A1
A
使用位于靠近封装引脚的多个镀通孔的孔，以确保良好的射频接地连接到一个
连续的地平面上的电路板的背面。
726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
EDS- 101772版本A
3
QQ：2880707522 复制
