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SPU04N60S5
SPD04N60S5
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
周期性的额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P-TO252.
2
3
1
600
0.95
4.5
P-TO251.
V
A
1
2
3
TYPE
包
订购代码
SPU04N60S5
SPD04N60S5
P-TO251.
P-TO252.
Q67040-S4228
Q67040-S4202
记号
04N60S5
04N60S5
最大额定值
参数
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
I
D
价值
4.5
2.8
单位
A
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 3.4 A,
V
DD
= 50 V
I
PULS
E
AS
9
130
0.4
4.5
±20
±
30
mJ
雪崩能量，重复
t
AR
受
T
JMAX
1)
E
AR
I
D
= 4.5 A,
V
DD
= 50 V
雪崩电流，重复性
t
AR
受
T
JMAX
I
AR
门源电压
V
GS
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
C
= 25°C
A
V
W
°C
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
50
-55... +150
工作和存储温度
2.1版
第1页
2004-03-30
SPU04N60S5
SPD04N60S5
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 4.5 A,
T
j
= 125 °C
符号
dv / dt的
价值
20
单位
V / ns的
热特性
参数
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
2)
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
电气特性，
at
Tj=25°C
除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D
=200Α,
V
GS
=V
DS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C,
T
j
=150°C
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
值
典型值。
-
-
-
35
-
马克斯。
2.5
62
62
-
260
-
-
-
-
单位
K / W
R
thJA
T
出售
-
°C
值
典型值。
-
700
4.5
0.5
-
-
0.85
2.3
20
马克斯。
-
-
5.5
600
-
3.5
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
（ BR ） DS
V
GS
=0V,
I
D
=4.5A
A
1
50
100
0.95
-
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=2.8A,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
门输入电阻
R
G
f=1MHz,
漏极开路
2.1版
第2页
2004-03-30
SPU04N60S5
SPD04N60S5
电气特性
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
条件
分钟。
值
典型值。
2.5
580
220
7
20
35
55
30
60
15
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
90
22.5
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=2.8A
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
有效输出电容，
3)
C
O（ ER ）
能源相关
有效输出电容，
4)
C
O（ TR ）
时间相关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
GS
=0V,
V
DS
= 0V至480V
pF
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=350V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=4.5A,
R
G
=18
-
-
-
-
ns
V
DD
=350V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=4.5A,
R
G
=18
V
DD
=350V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=4.5A,
R
G
=18
V
DD
=350V,
I
D
=4.5A
-
-
-
-
4.5
11
17.6
8
-
-
22.9
-
nC
V
DD
=350V,
I
D
=4.5A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=350V,
I
D
=4.5A
V
1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
=E
AR
*f.
AV
2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
3
C
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
O（ ER ）
DSS
.
4
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS
.
2.1版
第3页
2004-03-30
SPU04N60S5
SPD04N60S5
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=I
S
V
R
=350V,
I
F
=I
S
,
di
F
/dt=100A/s
符号
I
S
I
SM
条件
分钟。
T
C
=25°C
值
典型值。
-
-
1
900
3.2
马克斯。
4.5
9
1.2
1530
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
ns
C
典型的瞬态热特性
符号
价值
典型值。
单位
符号
价值
典型值。
单位
热阻
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
R
th6
0.039
0.074
0.132
0.555
0.529
0.169
K / W
热容
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
0.00007347
0.0002831
0.0004062
0.001215
0.00276
0.029
WS / K
T
j
P
合计
(t)
R
th1
R
日，正
T
例
xternal eatsink
C
th1
C
th2
C
日，正
T
上午B
2.1版
第4页
2004-03-30
SPU04N60S5
SPD04N60S5
1功耗
2安全工作区
P
合计
=
f
(
T
C
)
55
SPU04N60S5
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
1
W
A
45
40
P
合计
10
0
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
10
-1
I
D
35
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
DC
°C
160
10
-2 0
10
10
1
10
2
T
C
10
V
V
DS
3
3瞬态热阻抗
4典型。输出特性
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 10 s,
V
GS
14
K / W
A
20V
12V
10V
9.5V
Z
thJC
10
0
10
I
D
8
9V
6
10
-1
4
8.5V
8V
7.5V
2
7V
6.5V
10
-2 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
-1
0
0
5
10
15
V
V
DS
25
t
p
2.1版
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