【SPD50N03S2-07的OptiMOS功率晶体管特征N沟道产品概述VDSRDS （ ON）ID3】,IC型号SPD50N03S2-07,SPD50N03S2-07 PDF资料,SPD50N03S2-07经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPD50N03S2-07

的OptiMOS

功率晶体管

特征

N沟道

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

30

7.3

50

P- TO252 -3-11

V

m

A

增强型

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

优越的耐热性

175 ° C工作温度

额定雪崩

dv / dt的额定

TYPE

SPD50N03S2-07

包

订购代码

P- TO252 -3-11 Q67040 - S4430

记号

PN0307

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

1)

T

C

=25°C

价值

50

单位

A

I

D

漏电流脉冲

T

C

=25°C

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

200

250

13

6

±20

136

-55... +175

55/175/56

KV / μs的

V

W

°C

mJ

雪崩能量，单脉冲

I

D

=50 A ,

V

DD

=25V,

R

GS

=25

重复雪崩能量，限制了

T

JMAX

2)

反向二极管的dv / dt

I

S

=50A,

V

DS

=24V,

di/dt=200A/s,

T

JMAX

=175°C

门源电压

功耗

T

C

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

2003-05-09

SPD50N03S2-07

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

3)

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

值

典型值。

0.7

-

马克斯。

1.1

100

75

50

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0V,

I

D

=1mA

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

I

GSS

R

DS （ ON）

-

30

2.1

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=85A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=30V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

V

DS

=30V,

V

GS

=0V,

T

j

=125°C

A

0.01

1

5.7

1

100

7.3

nA

m

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=50A

1当前受限于键合线;有

R

thJC

= 1.1K / W ，芯片能够执行

I

D

= 106A在25℃下，进行详细的

信息，请参阅app.音符ANPS071E提供

www.infineon.com/optimos

设计2Defined 。不受生产测试。

3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2003-05-09

SPD50N03S2-07

电气特性

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=24V,

I

D

=50A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=24V,

I

D

=50A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

60

1630

750

150

14

36

27

25

马克斯。

-

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=50A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

30

-

S

2170 pF的

1000

230

21

54

40

38

ns

V

DD

=15V,

V

GS

=10V,

I

D

=50A,

R

G

=6.8

-

7.9

14.1

35

5.2

10.5

21.1

46.5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=24V,

I

D

=50A

V

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=50A

V

R

=15V,

I

F=

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

T

C

=25°C

-

0.9

41

46

50

200

1.3

51

58

A

V

ns

nC

第3页

2003-05-09

SPD50N03S2-07

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

6 V

SPD50N03S2-07

2漏极电流

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

55

SPD50N03S2-07

150

W

A

45

40

120

110

P

合计

100

90

80

70

60

I

D

100 120 140 160

°C

190

35

30

25

20

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

5

0

20

40

60

80

15

10

100 120 140 160

°C

190

T

C

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 °C

10

3

SPD50N03S2-07

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD50N03S2-07

K / W

A

/

I

D

t

= 7.6s

p

10 s

10

0

V

DS

10

2

DS

（上

)

Z

thJC

100 s

I

D

=

R

10

-1

D = 0.50

10

1

1毫秒

-2

0.20

0.10

0.05

10

-3

单脉冲

0.02

0.01

10

0

10

-1

10

0

10

1

V

10

2

10

-4

10

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第4页

t

p

2003-05-09

SPD50N03S2-07

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 80 s

120

SPD50N03S2-07

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

V

GS

24

SPD50N03S2-07

P

合计

= 136W

i

V

[V]

GS

a

b

A

100

90

80

h

4.2

4.5

4.8

5.0

5.2

5.5

5.8

6.0

10.0

m

20

e

f

g

h

c

d

e

R

DS （ ON）

18

16

14

12

10

8

I

D

70

60

50

40

30

20

10

0

1

2

3

c

a

b

e

g

f

g

h

i

f

6

d

i

4

V

GS

[V] =

2

e

5.2

f

5.5

g

5.8

h

i

6.0 10.0

4

V

0

5.5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

A

100

V

DS

I

D

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

t

p

= 80 s

100

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25°C

参数：

g

fs

80

A

80

S

60

70

g

fs

V

6.5

V

GS

I

D

60

50

40

30

50

40

30

20

10

0

1

2

3

4

5

10

0

20

40

60

80

A

I

D

120

第5页

2003-05-09

SPD50N03S2-07摹

的OptiMOS

功率晶体管

特征

N沟道

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

30

7.3

50

PG-TO252-3

V

m

A

增强型

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

优越的耐热性

175 ° C工作温度

额定雪崩

d

V / DT

评级

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

TYPE

包

SPD50N03S2-07摹PG- TO252-3

记号

PN0307

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

1)

T

C

=25°C

价值

50

单位

A

I

D

漏电流脉冲

T

C

=25°C

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

200

250

13

6

±20

136

-55... +175

55/175/56

KV / μs的

V

W

°C

mJ

雪崩能量，单脉冲

I

D

=50 A ,

V

DD

=25V,

R

GS

=25

重复雪崩能量，限制了

T

JMAX

2)

反向二极管的dv / dt

I

S

=50A,

V

DS

=24V,

di/dt=200A/s,

T

JMAX

=175°C

门源电压

功耗

T

C

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

02-09-2008

SPD50N03S2-07摹

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

3)

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

值

典型值。

0.7

-

马克斯。

1.1

100

75

50

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0V,

I

D

=1mA

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

I

GSS

R

DS （ ON）

-

30

2.1

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=85A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=30V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C

V

DS

=30V,

V

GS

=0V,

T

j

=125°C

A

0.01

1

5.7

1

100

7.3

nA

m

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=50A

1当前受限于键合线;有

R

thJC

= 1.1K / W ，芯片能够执行

I

D

= 106A在25℃下，进行详细的

信息，请参阅app.音符ANPS071E提供

www.infineon.com/optimos

设计2Defined 。不受生产测试。

3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

02-09-2008

SPD50N03S2-07摹

电气特性

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DD

=24V,

I

D

=50A,

V

GS

= 0至10V

V

DD

=24V,

I

D

=50A

符号

条件

分钟。

值

典型值。

60

1630

750

150

14

36

27

25

马克斯。

-

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=50A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

30

-

S

2170 pF的

1000

230

21

54

40

38

ns

V

DD

=15V,

V

GS

=10V,

I

D

=50A,

R

G

=6.8

-

7.9

14.1

35

5.2

10.5

21.1

46.5

-

nC

V

（高原）

V

DD

=24V,

I

D

=50A

V

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0V,

I

F

=50A

V

R

=15V,

I

F=

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

I

S

T

C

=25°C

-

0.9

41

46

50

200

1.3

51

58

A

V

ns

nC

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02-09-2008

SPD50N03S2-07摹

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

6 V

SPD50N03S2-07

2漏极电流

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

55

SPD50N03S2-07

150

W

A

45

40

120

110

P

合计

100

90

80

70

60

I

D

100 120 140 160

°C

190

35

30

25

20

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

5

0

20

40

60

80

15

10

100 120 140 160

°C

190

T

C

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 °C

10

3

SPD50N03S2-07

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD50N03S2-07

K / W

A

/

I

D

t

= 7.6s

p

10 s

10

0

V

DS

10

2

DS

（上

)

Z

thJC

100 s

I

D

=

R

10

-1

D = 0.50

10

1

1毫秒

-2

0.20

0.10

0.05

10

-3

单脉冲

0.02

0.01

10

0

10

-1

10

0

10

1

V

10

2

10

-4

10

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第4页

t

p

02-09-2008

SPD50N03S2-07摹

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 80 s

120

SPD50N03S2-07

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

V

GS

24

SPD50N03S2-07

P

合计

= 136W

i

V

[V]

GS

a

b

A

100

90

80

h

4.2

4.5

4.8

5.0

5.2

5.5

5.8

6.0

10.0

m

20

e

f

g

h

c

d

e

R

DS （ ON）

18

16

14

12

10

8

I

D

70

60

50

40

30

20

10

0

1

2

3

c

a

b

e

g

f

g

h

i

f

6

d

i

4

V

GS

[V] =

2

e

5.2

f

5.5

g

5.8

h

i

6.0 10.0

4

V

0

5.5

0

10

20

30

40

50

60

70

80

A

100

V

DS

I

D

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

≥

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

t

p

= 80 s

100

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25°C

参数：

g

fs

80

A

80

S

60

70

g

fs

V

6.5

V

GS

I

D

60

50

40

30

50

40

30

20

10

0

1

2

3

4

5

10

0

20

40

60

80

A

I

D

120

第5页

02-09-2008