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初步数据
SPD35N10
SIPMOS
功率晶体管
特征
N沟道
增强型
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定





产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
100
44
35
P-TO252
V
A
TYPE
SPD35N10
包
P-TO252
订购代码
Q67042-S4125
记号
35N10
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
35
26.4
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
140
245
6
±20
150
-55... +175
55/175/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
T
C
=25°C
I
S
=35A,
V
DS
=80V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I
D
=35 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
第1页
2002-01-30

m
初步数据
SPD35N10
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
F)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1
100
75
50
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
-
-
100
2.1
值
典型值。
-
3
马克斯。
-
4
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= - A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
1
1
36
1
100
100
44
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=26.4A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2002-01-30

漏源导通电阻
初步数据
SPD35N10
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=26.4A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
23
1180
245
137
12.2
63
39
23
马克斯。
-
1570
326
206
18.3
95
59
34
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=35A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=80V,
I
D
=35A
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
=35A
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=35A
V
R
=50V,
I
F =
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
I
SM
T
C
=25°C
第3页

I
D
=35A,
R
G
=7

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
12
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
ns
-
-
-
-
6.5
27
49
6.1
8.6
41
65
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
0.95
80
230
35
140
1.25
100
290
A
V
ns
nC
2002-01-30
初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(
T
C
)
160
SPD35N10
SPD35N10
2漏极电流
I
D
=
f
(
T
C
)
参数：
V
GS
10 V
38
SPD35N10
A
W
32
120
28
P
合计
100
I
D
24
20
16
80
60
12
40
8
20
4
0
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
20
40
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPD35N10
参数：
D
=
t
p
/
T
10
1
SPD35N10
K / W
A
10
0
t
P = 2.5μs之
10
2
Z
thJC
I
D
10
-1
10 s
D
DS
/
I
DS
（上
10
1
=
V
100 s
10
-2
)
R
1毫秒
10
-3
单脉冲
10毫秒
10
0 -1
10
DC
10
0
10
1
10
2
V
10
3
10
-4 -7
10
10
-6
V
DS
第4页

60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2002-01-30
初步数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
SPD35N10
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(
I
D
)
参数：
t
p
= 80 s
90
e
d
c
参数：
V
GS
500
a
A
70
60
50
40
VGS电压[V] =
a= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
R
DS （ ON）
I
D
300
200
30
20
10
0
0
b
100
a
1
2
3
4
5
6
V
8
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
60
8典型。正向跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
24
A
g
fs
40
I
D
30
20
10
0
2
3
4
5
V
7
V
GS
第5页

0
0
10
20
m
b
V
GS
[V]=
a= 5
b= 6
c= 8
d= 10
e= 12
c
d
e
30
40
50
60
70
80
A
100
I
D

S
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
A
35
I
D
2002-01-30
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SN5472J
SY100E445JC
S-80820CNUA-B9A-T2
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