SPD30N06S2L-13
的OptiMOS
功率晶体管
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
55
13
30
P- TO252 -3-11
V
m
A
增强型
逻辑电平
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
TYPE
SPD30N06S2L-13
包
订购代码
P- TO252 -3-11 Q67040 - S4254
记号
2N06L13
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
1)
T
C
=25°C
价值
30
30
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
120
240
13.6
6
±20
136
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
I
S
=30A,
V
DS
=44V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
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2003-05-09
SPD30N06S2L-13
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
0.69
-
-
-
马克斯。
1.1
100
75
50
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
55
1.2
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=80A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=55V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=55V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
1
1
12.5
9.7
1
100
100
17
13
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=30A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=30A
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 1.1K / W ，芯片能够执行
I
D
= 71A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
设计2Defined 。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
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