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SPD30N03S2L-20
G
的OptiMOS
功率晶体管
特征
N沟道
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
30
20
30
PG- TO252 -3
V
m
A
增强型
逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
优越的耐热性
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
TYPE
包
记号
2N03L20
SPD30N03S2L -20G PG- TO252 -3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
1)
T
C
=25°C
价值
30
30
单位
A
I
D
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
120
70
6
6
±20
60
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
重复雪崩能量，限制了
T
JMAX
2)
反向二极管的dv / dt
I
S
=30A,
V
DS
=-V,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
02-09-2008
SPD30N03S2L-20
G
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
3)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
1.7
-
-
-
马克斯。
2.5
100
75
50
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
30
1.2
值
典型值。
-
1.6
马克斯。
-
2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=23A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,
T
j
=125°C
A
0.01
10
1
22.9
15.5
1
100
100
31
20
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=18A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=18A
1当前受限于键合线;有
R
thJC
= 2.5K / W ，芯片能够执行
I
D
= 43A在25℃下，进行详细的
信息，请参阅app.音符ANPS071E提供
www.infineon.com/optimos
2
由设计确定。不受生产测试。
3Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
02-09-2008
SPD30N03S2L-20
G
电气特性
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=24V,
I
D
=30A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=24V,
I
D
=30A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
28
530
200
60
6
11
20
17
马克斯。
-
700
275
90
9
17
30
26
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f=1MHz
14
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=15V,
V
GS
=10V,
I
D
=30A,
R
G
=12.7
ns
-
-
-
-
1.7
4.9
14.3
3.2
2.2
7.4
19
-
nC
V
（高原）
V
DD
=24V,
I
D
=30A
V
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
INV 。二极管直流，脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=30A
V
R
=-V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
I
S
T
C
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
1.1
15
2
30
120
1.4
18
3
A
V
ns
nC
第3页
02-09-2008
SPD30N03S2L-20
G
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
4 V
65
SPD30N03S2L-20
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
32
SPD30N03S2L-20
W
A
55
50
24
P
合计
45
I
D
100 120 140 160
°C
190
40
35
20
16
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
8
12
4
T
C
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
10
3
SPD30N03S2L-20
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPD30N03S2L-20
K / W
A
10
t
= 35.0s
p
0
10
2
Z
thJC
100 s
I
D
/
I
D
DS
（上
)
=
V
DS
10
-1
R
D = 0.50
10
-2
0.20
0.10
10
1
1毫秒
0.05
10
-3
0.02
0.01
单脉冲
10
0
10
-1
10
0
10
1
V
10
2
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
02-09-2008
SPD30N03S2L-20
G
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
SPD30N03S2L-20
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
65
SPD30N03S2L-20
75
A
P
合计
= 60W
V
[V]
GS
a
b
c
m
55
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
6.0
7.0
10.0
c
d
e
h
gf
60
55
e
50
R
DS （ ON）
50
d
e
45
40
35
30
25
I
D
45
d
f
g
h
40
35
30
25
20
15
10
5
a
b
c
20
15
10
5
V
GS
[V] =
c
4.0
d
4.5
e
5.0
f
6.0
g
h
7.0 10.0
f
h
g
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
0
5
0
10
20
30
40
A
60
V
DS
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
60
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
30
A
50
45
S
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
10
15
g
fs
V
I
D
40
20
0
5.5
0
5
10
15
20
A
I
D
30
V
GS
第5页
02-09-2008
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