【初步数据SPD18P06PSPU18P06PSIPMOS功率晶体管特点·产品概述漏源电压漏源导通电阻】,IC型号SPD18P06P,SPD18P06P PDF资料,SPD18P06P经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据

SPD18P06P

SPU18P06P

SIPMOS

功率晶体管

特点

·

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

P沟道

增强型

额定雪崩

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

-60

0.13

-18.6

V

W

·

A

TYPE

SPD18P06P

SPU18P06P

包

P-TO252

P-TO251

订购代码

Q67040-S4189

Q67040-S4192

销1

G

销2/4

D

3脚

S

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

-18.6

-13.2

单位

A

I

D

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

漏电流脉冲

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

-74.4

150

8

6

KV / μs的

mJ

T

C

= 25 °C

雪崩能量，单脉冲

I

D

= -18.6 A ,

V

DD

= -25 V,

R

GS

= 25

W

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S

= -18.6 A,

V

DS

= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 175 °C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±20

80

-55...+175

55/175/56

V

W

°C

T

C

= 25 °C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

1999-11-22

初步数据

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

SPD18P06P

SPU18P06P

单位

马克斯。

1.85

100

75

50

K / W

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

-3

马克斯。

-

-4

A

-

-0.1

-10

0.1

-1

-100

0.13

nA

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-60

-2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= -250 A

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= -1毫安

零栅极电压漏极电流

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

-

V

GS

= -20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

W

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

1999-11-22

初步数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

动态特性

跨

典型值。

SPD18P06P

SPU18P06P

单位

马克斯。

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

4

-

8

690

230

95

12

-

860

290

120

18

S

pF

V

DS

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= -13.2 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

上升时间

t

r

-

5.8

8.7

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

24.5

37

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

下降时间

t

f

-

11

16.5

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

第3页

1999-11-22

初步数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

动态特性

门源费

典型值。

SPD18P06P

SPU18P06P

单位

马克斯。

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

4.4

9.3

22

-5.56

6.6

14

33

-

nC

V

DD

= -48 ,

I

D

= -18.6 A

栅漏电荷

V

DD

= -48 V,

I

D

= -18.6 A

栅极电荷总量

V

DD

= -48 V,

I

D

= -18.6 ,

V

GS

= 0至-10 V

栅极电压平台

V

DD

= -48 ,

I

D

= -18.6 A

参数

反向二极管

逆二极管连续正向电流

符号

分钟。

值

典型值。

-

-1

70

139

马克斯。

-18.6

-74.4

-1.33

105

208

单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

A

T

C

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

ns

nC

V

GS

= 0 V,

I

F

= -18.6 A

反向恢复时间

V

R

= -30 V,

I

F

=

I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= -30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

第4页

1999-11-22

初步数据

功耗

漏电流

SPD18P06P

SPU18P06P

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD18P06P

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

10 V

SPD18P06P

90

-20

W

70

60

A

-16

-14

P

合计

I

D

50

40

30

20

10

0

100 120 140 160

°C

190

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

20

40

60

80

20

40

60

80

100 120 140 160

°C

190

T

C

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 °C

-10

2

SPD18P06P

t

P = 29.0μs

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD18P06P

K / W

10

0

A

Z

thJC

100 s

I

D

10

-1

-10

1

D = 0.50

10

1毫秒

DS

/I

-2

D

0.20

0.10

0.05

DS

（上

)

=V

R

10

-3

10毫秒

0.02

0.01

单脉冲

DC

-10

0 -1

-10

0

-10

1

V

-10

2

10

-4 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第5页

t

p

1999-11-22

SPD18P06P

G

SIPMOS

功率晶体管

特点

·

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

P沟道

增强型

额定雪崩

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

-60

0.13

-18.6

V

W

·

A

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

TYPE

SPD18P06P

G

包

PG-TO252-3

销1

G

销2/4

D

3脚

S

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

-18.6

-13.2

单位

A

I

D

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

漏电流脉冲

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

-74.4

150

8

6

KV / μs的

mJ

T

C

= 25 °C

雪崩能量，单脉冲

I

D

= -18.6 A ,

V

DD

= -25 V,

R

GS

= 25

W

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S

= -18.6 A,

V

DS

= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 175 °C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±20

80

-55...+175

55/175/56

V

W

°C

T

C

= 25 °C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

修订版3.4

第1页

2008-09-02

SPD18P06P

G

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

马克斯。

1.85

100

75

50

K / W

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

-3

马克斯。

-

-4

A

-

-0.1

-10

0.1

-1

-100

0.13

nA

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-60

-2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= -250 A

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= -1毫安

零栅极电压漏极电流

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

-

V

GS

= -20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

W

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

修订版3.4

第2页

2008-09-02

SPD18P06P

G

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

动态特性

跨

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

4

-

8

690

230

95

12

-

860

290

120

18

S

pF

V

DS

2*

I

D

*

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= -13.2 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

上升时间

t

r

-

5.8

8.7

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

24.5

37

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

下降时间

t

f

-

11

16.5

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -10 V,

I

D

= -13.2 A,

R

G

= 2.7

W

修订版3.4

第3页

2008-09-02

SPD18P06P

G

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

值

分钟。

动态特性

门源费

典型值。

马克斯。

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

4.4

9.3

22

-5.56

6.6

14

33

-

nC

V

DD

= -48 ,

I

D

= -18.6 A

栅漏电荷

V

DD

= -48 V,

I

D

= -18.6 A

栅极电荷总量

V

DD

= -48 V,

I

D

= -18.6 ,

V

GS

= 0至-10 V

栅极电压平台

V

DD

= -48 ,

I

D

= -18.6 A

参数

反向二极管

逆二极管连续正向电流

符号

分钟。

值

典型值。

-

-1

70

139

马克斯。

-18.6

-74.4

-1.33

105

208

单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

A

T

C

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

ns

nC

V

GS

= 0 V,

I

F

= -18.6 A

反向恢复时间

V

R

= -30 V,

I

F

=

I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= -30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

修订版3.4

第4页

2008-09-02

SPD18P06P

G

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD18P06P

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

10 V

SPD18P06P

90

-20

W

70

60

A

-16

-14

P

合计

I

D

50

40

30

20

10

0

100 120 140 160

°C

190

-12

-10

-8

-6

-4

-2

0

20

40

60

80

20

40

60

80

100 120 140 160

°C

190

T

C

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 °C

-10

2

SPD18P06P

t

P = 29.0μs

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD18P06P

K / W

10

0

A

Z

thJC

100 s

I

D

10

-1

-10

1

D = 0.50

10

1毫秒

DS

/I

-2

D

0.20

0.10

0.05

DS

（上

)

=V

R

10

-3

10毫秒

0.02

0.01

单脉冲

DC

-10

0 -1

-10

0

-10

1

V

-10

2

10

-4 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

修订版3.4

第5页

t

p

2008-09-02