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SPP15P10P摹
SPD15P10P摹
SIPMOS
小信号三极管
特点
P沟道
增强型
正常水平
额定雪崩
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
-100
0.24
-15
V
A
PG-TO220-3
PG-TO252-3
TYPE
SPP15P10P摹
SPD15P10P摹
PG-TO220-3
PG-TO252-3
记号
15P10P
15P10P
无铅
是的
是的
填料
非干
非干
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
雪崩能量,单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D,脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=-15 A,
R
GS
=25
价值
-15
-10.6
-60
230
±20
128
-55 ... 175
1C (千伏为2kV的)
260 °C
55/175/56
mJ
V
W
°C
单位
A
修订版1.6
第1页
2009-08-25
SPP15P10P摹
SPD15P10P摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,
结 - 焊接点
热阻,
结 - 环境
R
thJC
最小的足迹,
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
,
稳定状态
典型值。
马克斯。
单位
-
-
1.17
K / W
R
thJA
-
-
75
-
-
45
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= -1毫安
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-
1.54毫安
V
DS
=-100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-100 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=-20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-10 V,
I
D
=-10.6 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=-10.6 A
-100
-4
-
-3
-
-2.1
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-10
-10
160
-100
-100
240
nA
m
g
fs
4.7
9.3
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米( 1层, 70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1)
修订版1.6
第2页
2009-08-25
SPP15P10P摹
SPD15P10P摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
2)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S,脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
V
R
=50 V,
I
F
=|I
S
|,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-15 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-0.94
100
419
-15
60
-1.35
150
628
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-80 V,
I
D
=-15 A,
V
GS
= 0至-10 V
-
-
-
-
5.4
18
37
5.9
7.2
27
48
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-50 V,
V
GS
=-10 V,
I
D
=-15 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
961
237
100
9.5
23
33
16
1280
315
150
15.9
33
43
20
ns
pF
典型值。
马克斯。
单位
2)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.6
第3页
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SPP15P10P摹
SPD15P10P摹
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2漏极电流
I
D
= F (T
C
); |V
GS
|≥10 V
140
16
120
12
100
P
合计
[W]
-I
D
[A]
80
8
60
40
4
20
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
2
限于由导通状态
阻力
100 s
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
1
10
1
1毫秒
10
0
-I
D
[A]
10毫秒
DC
Z
thjs
〔 K / W〕
0.5
0.2
0.1
0.05
10
0
10
-1
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.6
第4页
2009-08-25
SPP15P10P摹
SPD15P10P摹
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
40
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
500
-4 V
-4.5 V
35
-10 V
30
-8 V
-7 V
400
-5 V
20
R
DS ( ON)
[m
]
25
-6 V
-I
D
[A]
-6 V
300
15
-7 V
10
-5 V
200
-8 V
-10 V
5
-4.5 V
-4 V
0
0
2
4
6
8
10
100
0
10
20
30
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
参数:
T
j
10
25 °C
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
20
8
125 °C
15
6
-I
D
[A]
g
fs
[S]
4
2
0
1
3
5
7
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
修订版1.6
第5页
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