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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第831页 > SPD09P06PL
SPD09P06PL
G
SIPMOS
=
功率晶体管
特征
P沟道
P沟道
增强型
增强型
逻辑电平
prueb
逻辑电平
175 ° C工作温度
175 ° C工作温度
额定雪崩
额定雪崩
dv / dt的额定
dv / dt的额定
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
-60
0.25
-9.7
PG-TO252-3
V
漏
销2
TYPE
SPD09P06PL
G
包
PG-TO252-3
无铅
是的
门
pin1
来源
3脚
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
-9.7
-6.8
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
-38.8
70
4.2
6
±20
42
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=-9.7A,
V
DS
=-48,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
修订版2.5

I
D
=-9.7 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
第1页
2008-07-29

A






SPD09P06PL
G
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
3.6
100
75
50
单位
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=-250A
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
-60
-1
值
典型值。
-
-1.5
马克斯。
-
-2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=-250A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-60V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-60V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
A
-0.1
-10
-10
0.3
0.2
-1
-100
-100
0.4
0.25
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=-20V,
V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-5.4A
漏源导通电阻
V
GS
=-10V,
I
D
=-6.8A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
修订版2.5
第2页
2008-07-29

漏源导通电阻
SPD09P06PL
G
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=-5.4
符号
条件
分钟。
值
典型值。
3.5
360
103
40
11
168
49
89
马克斯。
-
450
130
50
17
252
74
134
单位
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
f=1MHz
V
DD
=-30V,
V
GS
=-4.5V,
V
DD
=-30V,
V
GS
=-4.5V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=-9.7A
V
R
=-30V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=-48V,
I
D
=-9.7A
V
DD
=-48V,
I
D
=-9.7A,
V
GS
= 0至-10V
V
（高原）
V
DD
=-48V,
I
D
=-9.7A
I
S
I
SM
T
C
=25°C
修订版2.5
第3页

I
D
=-5.4A,
R
G
=6

I
D
=-5.4,
R
G
=6

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
1.8
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
ns
-
-
-
-
1.3
5.1
14
-4.1
2
7.5
21
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
-1.1
52
64
-9.7
-38.8
-1.4
76
96
A
V
ns
nC
2008-07-29
SPD09P06PL
G
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
50
SPD09P06PL
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
-11
SPD09P06PL
W
40
35
A
-9
-8
P
合计
30
25
I
D
-7
-6
-5
20
-4
15
10
5
0
0
-3
-2
-1
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
-10
2
SPD09P06PL
t
P = 11.0μs
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPD09P06PL
K / W
A
10
0
-10
1
I
D
100 s
Z
thJC
=
V
DS
/
I
D
10
-1
on
)
R
DS
(
1毫秒
10
-2
-10
0
DC
10毫秒
单脉冲
10
-3
-10
-1 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-4 -7
10
10
-6
V
DS
修订版2.5
第4页

T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2008-07-29
SPD09P06PL
G
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
-24
SPD09P06PL
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
0.8
SPD09P06PL
A
-20
-18
-16
P
合计
= 42W
V
GS [ V]
a
b
c
d
e
f
g
h
i
kj
i
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-7.0
-8.0
c
d
I
D
-14
-12
-10
g
h
e
f
g
h
i
R
DS （ ON）
f
j
k
-8
-6
-4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
c
a
b
e
d
V
-12
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
25
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
4
A
3
g
fs
I
D
15
10
5
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
8
V
V
GS
修订版2.5
第5页

0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
V
GS
[V] =
与信
g
h
i
j
-5.0 -5.5 -6.0 -7.0
k
-8.0
c
d
e
f
-3.0 -3.5 -4.0 -4.5
0
0
-2
-4
-6
-8
-10 -12 -14 -16
A
-20
I
D

S
2.5
2
1.5
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
I
D
10
2008-07-29
最终数据
SPD09P06PL
SPU09P06PL
产品概述
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
P-TO251-3-1
特征
SIPMOS
=
功率晶体管
P沟道
增强型
逻辑电平
175 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
-60
0.25
-9.7
P-TO252
V
漏
销2
TYPE
SPD09P06PL
SPU09P06PL
包
P-TO252
P-TO251-3-1
订购代码
Q67042-S4007
Q67042-S4020
门
pin1
来源
3脚
最大额定值，在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符号
I
D
价值
-9.7
-6.8
单位
A
漏电流脉冲
T
C
=25°C
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
-38.8
70
4.2
6
±20
42
-55... +175
55/175/56
KV / μs的
V
W
°C
mJ
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
=-9.7A,
V
DS
=-48,
di/dt=200A/s,
T
JMAX
=175°C
门源电压
功耗
T
C
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I
D
=-9.7 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
第1页
2001-07-02

A






最终数据
热特性
参数
特征
热阻，结 - 案
热阻，结 - 环境，含铅
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
SPD09P06PL
SPU09P06PL
值
分钟。
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
3.6
100
75
50
K / W
单位
符号
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0V,
I
D
=-250A
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
-60
-1
值
典型值。
-
-1.5
马克斯。
-
-2
单位
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=-250A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-60V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=-60V,
V
GS
=0V,
T
j
=150°C
A
-0.1
-10
-10
0.3
0.2
-1
-100
-100
0.4
0.25
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=-20V,
V
DS
=0V
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-5.4A
漏源导通电阻
V
GS
=-10V,
I
D
=-6.8A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
第2页
2001-07-02

漏源导通电阻
最终数据
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
I
D
=-5.4
SPD09P06PL
SPU09P06PL
值
分钟。
典型值。
3.5
360
103
40
11
168
49
89
马克斯。
-
450
130
50
17
252
74
134
ns
S
pF
单位
符号
条件
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
f=1MHz
V
DD
=-30V,
V
GS
=-4.5V,
V
DD
=-30V,
V
GS
=-4.5V,
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=-9.7A
V
R
=-30V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=-48V,
I
D
=-9.7A
V
DD
=-48V,
I
D
=-9.7A,
V
GS
= 0至-10V
V
（高原）
V
DD
=-48V,
I
D
=-9.7A
I
S
I
SM
T
C
=25°C
第3页

I
D
=-5.4A,
R
G
=6

I
D
=-5.4,
R
G
=6

跨
g
fs
V
DS
2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
1.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
5.1
14
-4.1
2
7.5
21
-
nC
V
-
-
-
-
-
-
-
-1.1
52
64
-9.7
-38.8
-1.4
76
96
A
V
ns
nC
2001-07-02
最终数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
C
)
50
SPD09P06PL
SPD09P06PL
SPU09P06PL
2漏极电流
I
D
=
f
(T
C
)
参数：
V
GS
10 V
-11
SPD09P06PL
W
40
35
A
-9
-8
P
合计
30
25
I
D
-7
-6
-5
20
-4
15
10
5
0
0
-3
-2
-1
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
C
= 25 °C
-10
2
SPD09P06PL
t
P = 11.0μs
4瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
1
SPD09P06PL
K / W
A
10
0
-10
1
I
D
100 s
Z
thJC
=
V
DS
/
I
D
10
-1
on
)
R
DS
(
1毫秒
10
-2
-10
0
DC
10毫秒
单脉冲
10
-3
-10
-1 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-4 -7
10
10
-6
V
DS
第4页

T
C
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2001-07-02
最终数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 80 s
-24
SPD09P06PL
SPD09P06PL
SPU09P06PL
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
V
GS
0.8
SPD09P06PL
A
-20
-18
-16
P
合计
= 42W
V
GS [ V]
a
b
c
d
e
f
g
h
i
kj
i
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-7.0
-8.0
c
d
I
D
-14
-12
-10
g
h
e
f
g
h
i
R
DS （ ON）
f
j
k
-8
-6
-4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
c
a
b
e
d
V
-12
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
t
p
= 80 s
25
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25°C
参数：
g
fs
4
A
3
g
fs
I
D
15
10
5
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
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