【SPD06N80C3的CoolMOS特点TM功率晶体管产品概述VDSRDS （ ON）最大值@ Tj】,IC型号SPD06N80C3,SPD06N80C3 PDF资料,SPD06N80C3经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPD06N80C3

的CoolMOS

特点

TM

功率晶体管

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）最大值

@ T

j

= 25°C

Q

克，典型值

800

0.9

31

V

nC

新的革命高电压技术

至尊的dv / dt评分

高峰值电流能力

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

超低栅极电荷

超低电容有效

PG-TO252-3

的CoolMOS

TM

800V设计：

具有高直流电压批量工业应用

切换应用程序（即有源钳位正激）

TYPE

SPD06N80C3

包

PG-TO252-3

记号

06N80C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

A

=25 °C

T

A

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩能量，单脉冲

雪崩能量，重复

t

AR2),3)

雪崩电流，重复性

t

AR2),3)

MOSFET的dv / dt坚固

门源电压

I

D，脉冲

E

AS

E

AR

I

AR

的dV / dt

V

GS

V

DS

=0…640 V

STATIC

AC （F >1赫兹）

功耗

工作和存储温度

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

A

=25 °C

T

A

=25 °C

I

D

=1.2 A,

V

DD

=50 V

I

D

=6 A,

V

DD

=50 V

价值

6

3.8

18

230

0.2

6

50

±20

±30

83

-55 ... 150

W

°C

A

V / ns的

V

mJ

单位

A

修订版2.4

第1页

2008-10-15

SPD06N80C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续二极管的正向电流

二极管脉冲电流

2)

符号条件

I

S

I

S，脉冲

的dV / dt

T

A

=25 °C

价值

6

18

4

单位

A

反向二极管的dv / dt

4)

V / ns的

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

R

thJC

R

thJA

热阻，结 -

环境

SMD版本，设备

在PCB上，最小的

脚印

SMD版本，设备

在PCB上， 6厘米

2

冷却

区域

5)

T

出售

回流焊MSL1

-

1.5

K / W

-

62

-

35

-

焊接温度，回流

焊接

-

260

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

雪崩击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=250 A

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

I

DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=6 A

V

DS

=V

GS

,

I

D

= 0.25毫安

V

DS

=800 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=800 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=10 V,

I

D

=3.8 A,

T

j

=25 °C

V

GS

=10 V,

I

D

=3.8 A,

T

j

=150 °C

栅极电阻

修订版2.4

R

G

f

= 1 MHz时，漏极开路

第2页

800

-

2.1

-

870

3

-

3.9

10

A

V

-

50

-

0.78

-

100

0.9

nA

-

2.1

1.2

-

2008-10-15

SPD06N80C3

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

C

国际空间站

C

OSS

V

GS

=0 V,

V

DS

=100 V,

f

= 1兆赫

-

V

GS

=0 V,

V

DS

=0 V

伏至480伏

-

V

DD

=400 V,

V

GS

=0/10 V,

I

D

=6 A,

R

G

=15 ? ,

T

j

= 25°C

-

69

25

15

72

8

-

ns

785

33

26

-

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

有效输出电容，能量

C

O（ ER ）

相关

7)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

C

O（ TR ）

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

-

V

DD

=640 V,

I

D

=6 A,

V

GS

= 0到10伏

-

4

15

31

5.5

-

41

-

nC

V

GS

=0 V,

I

F

=I

S

=6 A,

T

j

=25 °C

-

1

520

5

18

1.2

-

V

ns

C

A

V

R

=400 V,

I

F

=I

S

=6 A,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

-

1)

J- STD20和JESD22

脉冲宽度

t

p

受

T

， MAX

重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

AV

=E

AR

*f.

I

SD

=I

D

，二/ dt≤400A / μs的，V

的dcLINK

= 400V, V

PEAK

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

, T

j

＆ LT ;吨

JMAX

，相同的低侧和高侧开关

2)

3)

4)

5)

设备上40毫米* 40毫米* 1.5环氧印刷电路板FR4与6cm （ 1层， 70微米厚）的铜区的漏极连接。

PCB是垂直的不吹空调

6)

7)

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS 。

修订版2.4

第3页

2008-10-15

SPD06N80C3

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

90

80

70

60

10

1

1 s

10

2

限于由导通状态

阻力

10 s

P

合计

[W]

I

D

[A]

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

100 s

1毫秒

10

0

DC

10毫秒

10

-1

1

10

100

1000

T

C

[°C]

V

DS

[V]

3最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

P

)

参数：

D =吨

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C;

t

p

=10 s

参数：

V

GS

20

20 V

15

10

0

0.5

10 V

Z

thJC

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

0.02

I

D

[A]

10

6.5 V

10

-1

0.01

单脉冲

6V

5

5.5 V

5V

10

-2

10

-5

0

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

0

5

10

15

20

25

t

p

[s]

V

DS

[V]

修订版2.4

第4页

2008-10-15

SPD06N80C3

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=150 °C;

t

p

=10 s

参数：

V

GS

12

6典型。漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=150 °C

参数：

V

GS

4.2

20 V

10 V

3.8

9

6V

3.4

R

DS （ ON）

[

]

3

I

D

[A]

6

5.5 V

2.6

4.5 V

5V

6V

5.5 V

10 V

5V

2.2

3

4.5 V

20 V

1.8

0

5

10

15

20

25

1.4

0

3

6

9

V

DS

[V]

I

D

[A]

7漏源导通电阻

R

DS （ ON）

= F （T

j

);

I

D

=3.8 A;

V

GS

=10 V

8典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值;

t

p

=10 s

参数：

T

j

2.4

20

25 °C

2

15

1.6

R

DS （ ON）

[

]

1.2

98 %

典型值

I

D

[A]

10

150 °C

0.8

5

0.4

0

-60

-20

20

60

100

140

180

0

2

4

6

8

10

T

j

[°C]

V

GS

[V]

修订版2.4

第5页

2008-10-15

最终数据

SPD06N80C3

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

800

0.9

6

P-TO252

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在TO252

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

V

A

TYPE

SPD06N80C3

包

P-TO252

订购代码

Q67040-S4352

记号

06N80C3

最大额定值，在

T

C

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

6

3.8

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=1.2A,

V

DD

=50V

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

18

230

0.2

6

±20

83

-55... +150

A

V

W

°C

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

I

D

=6A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

第1页

2003-07-02

最终数据

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 640 V,

I

D

= 6 A,

T

j

= 125 °C

SPD06N80C3

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=250Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=800V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

1.5

62

75

50

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

870

3

0.5

-

0.78

2.1

0.7

马克斯。

-

3.9

800

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=6A

A

10

100

0.9

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=3.8A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

第2页

2003-07-02

最终数据

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

SPD06N80C3

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.8A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

4

785

390

20

22

42

25

15

65

8

马克斯。

-

75

11

-

单位

S

pF

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

pF

V

DD

=400V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=6A,

R

G

=15,

T

j

=125°C

-

ns

V

DD

=640V,

I

D

=6A

-

3.3

14

27

6

-

35

-

nC

V

DD

=640V,

I

D

=6A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=640V,

I

D

=6A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

5

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2003-07-02

最终数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.086

0.309

0.317

0.112

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

单位

符号

价值

典型值。

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

SPD06N80C3

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

520

5

18

400

马克斯。

6

18

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

单位

0.0001172

0.000447

0.0006303

0.001828

0.004786

0.046

WS / K

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

第4页

2003-07-02

最终数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

100

SPD06N80C3

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

80

70

A

10

1

P

合计

60

50

40

30

20

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

20

K / W

A

16

14

20V

10V

8V

10

0

Z

thJC

I

D

12

10

8

7V

10

-1

10

-2

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

6V

6

4

5V

2

10

-3 -7

10

-6

-5

-4

-3

-1

10

s

t

p

10

0

5

10

15

20

V

30

V

DS

第5页

2003-07-02

SPD06N80C3

酷MOS 功率晶体管

特征

新的革命高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在TO252

超低栅极电荷

周期性的额定雪崩

至尊的dv / dt评分

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

800

0.9

6

PG-TO252

V

A

TYPE

SPD06N80C3

包

PG-TO252

订购代码

Q67040-S4352

记号

06N80C3

最大额定值，在

T

C

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

6

3.8

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=1.2A,

V

DD

=50V

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

18

230

0.2

6

±20

83

-55... +150

A

V

W

°C

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX

1)

I

D

=6A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

门源电压

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

修订版2.4

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1

2008-04-11

SPD06N80C3

最大额定值

参数

漏源电压斜率

V

DS

= 640 V,

I

D

= 6 A,

T

j

= 125 °C

符号

dv / dt的

价值

50

单位

V / ns的

热特性

参数

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

焊接温度，

回流焊， MSL3

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

3)

电气特性

参数

符号

条件

分钟。

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

漏源雪崩

击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

GS （ TH）

I

DSS

I

D

=250Α,

V

GS

=V

DS

V

DS

=800V,

V

GS

=0V,

T

j

=25°C,

T

j

=150°C

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

T

出售

-

值

典型值。

-

马克斯。

1.5

62

75

50

260

单位

K / W

°C

值

典型值。

-

870

3

0.5

-

0.78

2.1

0.7

马克斯。

-

3.9

800

-

2.1

-

单位

V

（ BR ） DS

V

GS

=0V,

I

D

=6A

A

10

100

0.9

-

nA

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

V

GS

=10V,

I

D

=3.8A,

T

j

=25°C

T

j

=150°C

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

门输入电阻

R

G

f=1MHz,

漏极开路

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2

2008-04-11

SPD06N80C3

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

条件

分钟。

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=3.8A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

值

典型值。

4

785

390

20

22

42

25

15

65

8

马克斯。

-

75

11

-

单位

S

pF

有效输出电容，

4)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

5)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

pF

V

DD

=400V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=6A,

R

G

=15,

T

j

=125°C

-

ns

V

DD

=640V,

I

D

=6A

-

3.3

14

27

6

-

35

-

nC

V

DD

=640V,

I

D

=6A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=640V,

I

D

=6A

V

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

=E

AR

*f.

AV

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

220℃ ，回流：对于TO- 263 3Soldering温度

4

C

5

C

O（ ER ）

O（ TR ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

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2008-04-11

SPD06N80C3

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

典型的瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.024

0.086

0.309

0.317

0.112

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0001172

0.000447

0.0006303

0.001828

0.004786

0.046

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=400V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

I

S

I

SM

条件

分钟。

T

C

=25°C

值

典型值。

-

1

520

5

18

400

马克斯。

6

18

1.2

-

单位

A

V

ns

C

A

A / μs的

T

j

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

P

合计

(t)

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

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2008-04-11

SPD06N80C3

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

100

SPD06N80C3

2安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

W

80

70

A

10

1

P

合计

60

50

40

30

20

10

0

I

D

10

0

10

-1

TP = 0.001毫秒

TP = 0.01毫秒

TP = 0.1毫秒

TP = 1毫秒

DC

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

-2 0

10

1

10

2

T

C

10

V

DS

3

3瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

4典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

);

T

j

=25°C

参数：

t

p

= 10 s,

V

GS

20

K / W

A

16

14

20V

10V

8V

10

0

Z

thJC

I

D

12

10

8

7V

10

-1

10

-2

D = 0.5

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.02

D = 0.01

单脉冲

6V

6

4

5V

2

10

-3 -7

10

-6

-5

-4

-3

-1

10

s

t

p

10

0

5

10

15

20

V

30

V

DS

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2008-04-11