【SPC6605 & P对增强模式MOSFET描述该SPC6605是N沟道和P沟道增强型功率场】,IC型号SPC6605ST6RG,SPC6605ST6RG PDF资料,SPC6605ST6RG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SPC6605

& P对增强模式MOSFET

描述

该SPC6605是N沟道和P沟道增强

型功率场效应晶体管都采用生产

高细胞密度的DMOS沟道技术。这种高

密度工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

高侧开关，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

应用

在笔记型电源管理

便携式设备

电池供电系统

DC / DC转换器

负荷开关

DSC

液晶显示器逆变器

特点

N沟道

20V/3.6A,R

DS （ ON）

=97m@V

GS

=4.5V

20V/3.1A,R

DS （ ON）

=113m@V

GS

=2.5V

P沟道

-20V/-2.4A,R

DS （ ON）

= 128mΩ @ V

GS

=-4.5V

-20V/-2.0A,R

DS （ ON）

=188m@V

GS

=-2.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

TSOP- 6P包装设计

引脚配置（ TSOP- 6P ）

最热

2011/8/1

初步

第1页

SPC6605

& P对增强模式MOSFET

引脚说明

针

1

2

3

4

5

6

符号

G1

S2

G2

D2

S1

D1

描述

门1

源2

门2

排水2

源1

Drain1

订购信息

产品型号

SPC6605ST6RG

SPC6605ST6RGB

包

TSOP- 6P

TSOP- 6P

部分

记号

05YW

05YW

※

本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）

※

SPC6605ST6RG ：带卷轴;铅 - 免费

※

SPC6605ST6RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

典型

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

J

=150

℃

)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

热阻，结到环境

T

≤

10sec

稳定状态

T

A

=25℃

T

A

=70℃

T

A

=25℃

T

A

=70℃

符号

N沟道

V

DSS

V

GSS

20

±12

3.2

2.6

10

1.6

1.15

0.75

-55/150

-55/150

50

90

52

95

P沟道

-20

±12

-2.4

-1.8

-8

-1.4

V

V

A

A

A

W

℃

℃

℃

/W

单位

I

D

I

DM

I

S

P

D

T

J

T

英镑

R

θJA

2011/8/1

初步

第2页

SPC6605

& P对增强模式MOSFET

电气特性

(T

A

=25

℃

除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅压漏

当前

通态漏电流

符号

条件

V

GS

=0V,I

D

= 250uA

V

GS

=0V,I

D

=-250uA

V

DS

=V

GS

,I

D

=250uA

V

DS

=V

GS

,I

D

=-250uA

V

DS

=0V,V

GS

=±12V

V

DS

=0V,V

GS

=±12V

V

DS

= 20V,V

GS

=0V

V

DS

=-20V,V

GS

=0V

V

DS

= 20V,V

GS

= 0V牛逼

J

=55℃

V

DS

=-20V,V

GS

= 0V牛逼

J

=55℃

V

DS

≥

4.5V,V

GS

= 4.5V

V

DS

≤

-4.5V,V

GS

=-4.5V

V

GS

=4.5V,I

D

=3.6A

V

GS

=-4.5V,I

D

=-2.4A

V

GS

=2.5V,I

D

=3.1A

V

GS

=-2.5V,I

D

=-2.0A

V

DS

=5V,I

D

=-3.4A

V

DS

=-5V,I

D

=-2.4A

I

S

=1.6A,V

GS

=0V

I

S

=-1.6A,V

GS

=0V

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

分钟。

20

-20

0.45

-0.45

典型值

MAX 。 UNIT

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D（上）

1.2

-1.2

±100

±100

1

-1

10

-10

0.085

0.115

0.100

0.165

10

6.5

0.85

-0.8

4.4

7.5

0.6

1

1.9

3

145

7.5

100

550

50

55

5.2

8.5

37

18

15

22

5.7

10

0.097

0.128

0.113

0.188

1.2

-1.2

V

nA

uA

A

S

V

6

-6

漏源导通电阻R

DS （ ON）

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

输入电容

输出电容

反向传输

电容

开启时间

t

r

t

D（关闭）

打开-O FF时间

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

政府飞行服务队

V

SD

N沟道

V

DS

=10V,V

GS

= 4.5V ，我

D

=3.6A

P沟道

V

DS

=-16V,V

GS

= -4.5V ，我

D

=-2.A

nC

N沟道

V

DS

=10V,V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

P沟道

V

DS

=-20V,V

GS

=0V,f=1.0MHz

pF

N沟道

V

DD

=10V,R

L

=2.8 ,I

D

=3.6A

V

根

= 4.5V ，R

G

=6

P沟道

V

DD

=-10V,R

L

=10 ,I

D

=-1.0A

V

根

= -4.5V ，R

G

=3.3

nS

2011/8/1

初步

第3页

SPC6605

& P对增强模式MOSFET

典型特性曲线（ P沟道）

2011/8/1

初步

第4页

SPC6605

& P对增强模式MOSFET

2011/8/1

初步

第5页

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批号

数量

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联系人：杨小姐

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-

-

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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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联系人：连

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

SPC6605ST6RG

VBSEMI

2443+

23000

TSOP-6P

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

SPC6605ST6RG

VB

25+23+

35500

TSOP-6P

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

北京元坤国际科技有限公司

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联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

SPC6605ST6RG

VB

18+

10000

TSOP-6P

全新原装正品/质量有保证

北京首天伟业科技有限公司

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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VB

18+

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