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SPC6604
& P对增强模式MOSFET
描述
该SPC6604是N沟道和P沟道增强
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度， DMOS沟道技术。这种高
密度工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
高侧开关，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
N沟道
20V/4.0A,R
DS （ ON）
=50m@V
GS
=4.5V
20V/3.4A,R
DS （ ON）
=60m@V
GS
=2.5V
20V/2.8A,R
DS （ ON）
=75m@V
GS
=1.8V
20V/1.0A,R
DS （ ON）
=120m@V
GS
=1.25V
P沟道
-20V/-3.4A,R
DS （ ON）
= 85mΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V/-2.4A,R
DS （ ON）
=110m@V
GS
=-2.5V
-20V/-1.7A,R
DS （ ON）
=130m@V
GS
=-1.8V
-20V/-1.0A,R
DS （ ON）
=200m@V
GS
=-1.25V
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
TSOP- 6P包装设计
引脚配置（ TSOP- 6P ）
最热
2006/03/20
Ver.3
第1页
SPC6604
& P对增强模式MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPC6604ST6RG
※
本周代码： AZ （ 1 26 ） ; AZ （ 27 52 ）
※
SPC6604ST6RG ：带卷轴;铅 - 免费
包
TSOP- 6P
部分
记号
04YW
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
典型
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
N沟道
V
DSS
V
GSS
20
±12
P沟道
单位
-20
±12
-2.8
-2.1
-8
-1.4
1.15
0.75
-55/150
-55/150
V
V
A
A
A
W
℃
℃
4.0
3.4
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
-3.4
-2.4
10
1.6
50
90
52
90
℃/W
2006/03/20
Ver.3
第2页
SPC6604
& P对增强模式MOSFET
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
符号
条件
V
GS
=0V,I
D
= 250uA
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
= 20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
= 20V,V
GS
= 0V牛逼
J
=55℃
V
DS
=-20V,V
GS
= 0V牛逼
J
=55℃
V
DS
≥
4.5V,V
GS
= 10V
V
DS
≤
-4.5V,V
GS
=-10V
V
GS
=4.5V,I
D
=4.0A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.4A
V
GS
=2.5V,I
D
=3.4A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.4A
V
GS
=1.8V,I
D
=2.8A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.7A
V
GS
=1.25V,I
D
=1.0A
V
GS
=-1.25V,I
D
=-1.0A
V
DS
=5V,I
D
=-3.6A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8A
I
S
=1.6A,V
GS
=0V
I
S
=-1.5A,V
GS
=0V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
分钟。
20
-20
0.4
-0.35
典型值
MAX 。 UNIT
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
1.0
-0.8
±100
±100
1
-1
10
-10
0.040
0.068
0.046
0.090
0.056
0.113
0.105
0.185
10
6
0.8
-0.8
4.8
4.8
1.0
1.0
1.0
1.0
8
10
12
13
30
18
12
15
0.050
0.085
0.060
0.110
0.075
0.130
0.120
0.200
1.2
-1.2
8
8
V
nA
uA
A
6
-6
漏源导通电阻R
DS （ ON）
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
政府飞行服务队
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
N沟道
V
DS
=6V,V
GS
= 4.5V ，我
D
≡2.8A
P沟道
V
DS
=-6V,V
GS
= -4.5V ，我
D
≡-2.8A
nC
开启时间
t
r
t
D（关闭）
打开-O FF时间
t
f
N沟道
V
DD
=6V,R
L
=6 ,I
D
≡1.0A
V
根
= 4.5V ，R
G
=6
P沟道
V
DD
=-6V,R
L
=6 ,I
D
≡-1.0A
V
根
= -4.5V ，R
G
=6
14
16
18
23
35
25
16
20
nS
2006/03/20
Ver.3
第3页
SPC6604
& P对增强模式MOSFET
典型特性（ N沟道）
2006/03/20
Ver.3
第4页
SPC6604
& P对增强模式MOSFET
典型特性（ N沟道）
2006/03/20
Ver.3
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SN74ABT574AZQNR
SG2731J
SSR2010JDB
SST32HF32A1-70-4C-LFS
SKET800/14EH4
SE1K
S87C752-6N28
S-8730B3EUP-AMFT2G
SMBZ5247B
SSC-MSBT801
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