SPC4703
P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
描述
该SPC4703combines的沟槽MOSFET技术
具有非常低的正向压降肖特基势垒
整流器在DFN3X2-8L包。沟槽
MOSFET是P沟道增强型功率
场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
肖特基二极管被设置，以方便
实施双向阻断开关，或用于
的DC-DC转换应用。
应用
电池供电系统
DC / DC降压转换器
负荷开关
手机
特点
P沟道
-20V/-3.4A,R
DS （ ON）
= 90mΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V/-2.4A,R
DS （ ON）
=120m@V
GS
=-2.5V
-20V/-1.7A,R
DS （ ON）
=155m@V
GS
=-1.8V
肖特基
维生素K拮抗剂（V ） = 20V ， IF = 1A ， VF<0.43V@1.0A
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
DFN3X2-8L包装设计
引脚配置（ DFN3X2 - 8L ）
最热
2008/05/15
Ver.1
第1页
SPC4703
P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
订购信息
产品型号
SPC4703DF8RGB
符号
A
A
S
G
D
D
K
K
描述
肖特基阳极
肖特基阳极
MOSFET的源极
MOSFET栅极
MOSFET漏极
MOSFET漏极
阴极肖特基
阴极肖特基
包
DFN3X2- 8L
部分
记号
SPC4703
※
SPC4703DF8RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
V
KA
I
F
I
FM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
-1.4
-20
±12
-3.5
-2.8
-15
20
1
0.7
10
典型
P沟道
肖特基
单位
V
V
A
A
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
1.25
0.8
-55/150
-55/150
65
95
0.9
0.6
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Ver.1
第2页
SPC4703
P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
MOSFET静态
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.4A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.4A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.7A
V
GS
=-1.25V,I
D
=-1.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8A
-20
-0.35
-0.8
±100
-1
-5
-6
0.075
0.095
0.120
0.185
6
0.090
0.120
0.155
0.210
V
nA
uA
A
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
正向跨导
MOSFET动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
肖特基参数
正向电压降
反向击穿电压
最大反向漏电流
结电容
SchottkyReverse恢复时间
肖特基反向恢复电荷
政府飞行服务队
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
8
nC
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
16
23
25
20
ns
V
DD
=-6V,R
L
=6
I
D
≡-1.0A,V
根
=-4.5V
R
G
=6
13
18
15
V
F
V
BR
IRM
C
T
T
rr
Q
rr
I
F
=1A
I
R
=电流降至500uA
V
R
= 23V
V
R
= 23V ，T
J
=70℃
V
R
= 10V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
20
0.43
0.47
0.1
1
V
V
mA
pF
31
120
5.4
0.8
10
ns
nC
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P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
描述
该SPC4703combines的沟槽MOSFET技术
具有非常低的正向压降肖特基势垒
整流器在DFN3X2-8L包。沟槽
MOSFET是P沟道增强型功率
场效应晶体管都采用高细胞产生
密度， DMOS沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
肖特基二极管被设置，以方便
实施双向阻断开关，或用于
的DC-DC转换应用。
应用
电池供电系统
DC / DC降压转换器
负荷开关
手机
特点
P沟道
-20V/-3.4A,R
DS （ ON）
= 90mΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V/-2.4A,R
DS （ ON）
=120m@V
GS
=-2.5V
-20V/-1.7A,R
DS （ ON）
=155m@V
GS
=-1.8V
肖特基
维生素K拮抗剂（V ） = 20V ， IF = 1A ， VF<0.43V@1.0A
超高密度电池设计极低
RDS （ ON）
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
DFN3X2-8L包装设计
引脚配置（ DFN3X2 - 8L ）
最热
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P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
引脚说明
针
1
2
3
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6
7
8
订购信息
产品型号
SPC4703DF8RGB
符号
A
A
S
G
D
D
K
K
描述
肖特基阳极
肖特基阳极
MOSFET的源极
MOSFET栅极
MOSFET漏极
MOSFET漏极
阴极肖特基
阴极肖特基
包
DFN3X2- 8L
部分
记号
SPC4703
※
SPC4703DF8RGB ：带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻，结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
V
KA
I
F
I
FM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
-1.4
-20
±12
-3.5
-2.8
-15
20
1
0.7
10
典型
P沟道
肖特基
单位
V
V
A
A
V
A
A
A
W
℃
℃
℃/W
1.25
0.8
-55/150
-55/150
65
95
0.9
0.6
2008/05/15
Ver.1
第2页
SPC4703
P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
MOSFET静态
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.4A
V
GS
=-2.5V,I
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GS
=-1.8V,I
D
=-1.7A
V
GS
=-1.25V,I
D
=-1.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8A
-20
-0.35
-0.8
±100
-1
-5
-6
0.075
0.095
0.120
0.185
6
0.090
0.120
0.155
0.210
V
nA
uA
A
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
正向跨导
MOSFET动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
肖特基参数
正向电压降
反向击穿电压
最大反向漏电流
结电容
SchottkyReverse恢复时间
肖特基反向恢复电荷
政府飞行服务队
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
8
nC
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
f=1MHz
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16
23
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20
ns
V
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=-6V,R
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I
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=-4.5V
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13
18
15
V
F
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rr
Q
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I
F
=1A
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=电流降至500uA
V
R
= 23V
V
R
= 23V ，T
J
=70℃
V
R
= 10V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
20
0.43
0.47
0.1
1
V
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